一种孔洞电极的发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种孔洞电极的发光二极管，包括：衬底、氮化镓基、多个电极孔洞、电流扩展层、绝缘层和电极结构，其特征在于所述电极孔洞数量大于3，且所述电极孔洞对应的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接，将连续的finger线变成不连续的电极孔洞，化线为点，大大减少有源层的刻蚀面积，从而提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种孔洞电极的发光二极管。
技术介绍
发光二极管（Light-EmittingDiode，LED）具有高亮度、低能耗、响应速度快等优点，发光二极管作为新型高效的固体光源，在室内照明、景观照明、显示屏、信号指示等领域都有广泛的应用。目前，发光二极管的N型电极和P型电极的结构都为圆环电极加电流扩展线（finger）（如图1a和1b所示），这样的结构使电流分布均匀，从而起到电流扩展作用。但是，电极finger线的制备需要蚀刻部分有源层，减少发光面积，导致发光二极管亮度降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种孔洞电极的发光二极管，以解决现有技术中finger线使亮度降低的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种孔洞电极的发光二极管，包括：衬底；氮化镓基，所述氮化镓基位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；多个电极孔洞，所述电极孔洞位于所述氮化镓基内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；电流扩散层，所述电流扩散层位于所述P型氮化镓层背离所述有源层一侧表面；绝缘层，所述绝缘层位于所述电极孔洞侧壁，且覆盖相邻电极孔洞之间电流扩散层表面；电极结构，所述电极结构包括：位于所述绝缘层表面且完全填充所述电极孔洞的N型电极，和位于未覆盖有所述绝缘层的电流扩展层表面的P型电极；其特征在于，所述电极孔洞数量大于3，且所述电极孔洞对应的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接。优选的，所述电极孔洞为等大或不等大。优选的，所述电极孔洞呈对称排列。优选的，所述电极孔洞可以为圆形、椭圆形、方形、三角形或菱形。优选的，所述导电性连接为Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一种或几种合金的线性连接。优选的，所述P型电极和N型电极的材料为Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一种或几种合金，其厚度范围为2-4um。优选的，所述线性连接为串联连接。优选的，还包括：位于所述P型氮化镓层和电流扩展层之间的电流阻挡层。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术提供的一种孔洞电极的发光二极管，包括3个以上的电极孔洞，且所述电极孔洞对应的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接，使发光二极管的电流分布更均匀。此外，与传统的由圆形电极连接finger线组成的N型电极相比，本专利技术通过形成3个以上电极孔洞，且所述电极孔洞的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接，将连续的finger线变成不连续的电极孔洞，化线为点，大大减少有源层的刻蚀面积，从而提高发光效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a为现有技术中具有圆环电极加电流扩展线（finger）电极结构的发光二极管的结构示意图；图1b为现有技术中具有圆环电极加电流扩展线（finger）电极结构的发光二极管的电极俯视图；图2a为本专利技术一种具体实施方式所提供的具有通孔电极的发光二极管的结构示意图；图2b为本专利技术一种具体实施方式所提供的具有通孔电极的发光二极管的电极俯视图；图3为本专利技术另一种具体实施方式所提供的具有通孔电极的发光二极管的电极俯视图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，现有技术中的N型电极和P型电极的结构都为圆环电极加电流扩展线（finger），这样的结构会减少发光面积，降低发光二极管亮度。专利技术人研究发现，这是因为现有技术中在制作finger线的时候，需要刻蚀部分的有源层和P型氮化镓层，不仅减小了有源层的面积和P型氮化镓层的面积，同时降低了P型氮化镓层的结构强度，从而降低发光二极管的亮度。基于上述研究的基础上，本专利技术实施例提供了一种孔洞电极的发光二极管，包括：衬底；氮化镓基，所述氮化镓基位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；多个电极孔洞，所述电极孔洞位于所述氮化镓基内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；电流扩散层，所述电流扩散层位于所述P型氮化镓层背离所述有源层一侧表面；绝缘层，所述绝缘层位于所述电极孔洞侧壁，且覆盖相邻电极孔洞之间电流扩散层表面；电极结构，所述电极结构包括：位于所述绝缘层表面且完全填充所述电极孔洞的N型电极，和位于未覆盖有所述绝缘层的电流扩展层表面的P型电极；其特征在于，所述电极孔洞数量大于3，且所述电极孔洞对应的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术提供的一种孔洞电极的发光二极管，包括3个以上的电极孔洞，且所述电极孔洞的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接，使发光二极管的电流分布更均匀。此外，与传统的由圆形电极连接finger线组成的N型电极相比，本专利技术通过形成多个电极孔洞，且所述电极孔洞的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接，将连续的finger线变成不连续的电极孔洞，化线为点，大大减少有源层的刻蚀面积，从而提高发光效率。为了使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施方式的限制。结合图2a和图2b来说明本专利技术一种具体实施方式的具有通孔电极的发光二极管的结构。图2a为本专利技术一种具体实施方式所提供的具有通孔电极的发光二极管的结构示意图，图2b为本专利技术一种具体实施方式所提供的具有通孔电极的发光二极管的电极俯视图。在本专利技术的一种具体实施方式中，本专利技术所提供的具一种孔洞电极的发光二极管，包括：衬底100；氮化镓基，所述氮化镓基位于所述衬底100表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层201，位于所述N型氮化镓层201背离所述衬底100一侧的有源层202，位于所述有源层202背离所述N型氮化镓层201一侧的P型氮化镓层203；3个以上电极孔洞300，所述电极孔洞300位于所述氮化镓基内，完全贯穿所述P型氮化镓层203和所述有源层202，延伸至所述N型氮化镓层201表面；电流扩散层400，所述电流扩散层400位于所述P型氮化镓层203背离所述有源层202一侧表面；绝缘层500，所述绝缘层500位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种孔洞电极的发光二极管，包括：衬底；氮化镓基，所述氮化镓基位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层； 多个电极孔洞，所述电极孔洞位于所述氮化镓基内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；电流扩散层，所述电流扩散层位于所述P型氮化镓层背离所述有源层一侧表面；绝缘层，所述绝缘层位于所述电极孔洞侧壁，且覆盖相邻电极孔洞之间电流扩散层表面；电极结构，所述电极结构包括：位于所述绝缘层表面且完全填充所述电极孔洞的N型电极，和位于未覆盖有所述绝缘层的电流扩展层表面的P型电极；其特征在于，所述电极孔洞数量大于3，且所述电极孔洞对应的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种孔洞电极的发光二极管，包括：
衬底；
氮化镓基，所述氮化镓基位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；
多个电极孔洞，所述电极孔洞位于所述氮化镓基内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；
电流扩散层，所述电流扩散层位于所述P型氮化镓层背离所述有源层一侧表面；
绝缘层，所述绝缘层位于所述电极孔洞侧壁，且覆盖相邻电极孔洞之间电流扩散层表面；
电极结构，所述电极结构包括：位于所述绝缘层表面且完全填充所述电极孔洞的N型电极，和位于未覆盖有所述绝缘层的电流扩展层表面的P型电极；
其特征在于，所述电极孔洞数量大于3，且所述电极孔洞对应的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接。
2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡鹏，何键云，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44