一种LED芯片及其制造方法技术

一种LED芯片及其制造方法，属于半导体领域，本发明专利技术第二金属电极下方区域外延层被刻蚀减薄，形成第二沟槽；于第二沟槽内沉积第二金属电极；第二沟槽的设置，可增加第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层的接触面积，间接降低接触电阻，进而降低LED芯片的工作电压；第二沟槽还可增加第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层接触面积，可提高第二金属电极的粘附性，进而提升LED芯片的可靠性；第二沟槽的设置使第二金属电极与第二沟槽内裸露外延层间的功函数差增大，形成高阻肖特基接触，具有电流阻挡作用，可改善电流横向扩展能力，提高LED芯片电流分布均匀性，减缓LED芯片在大电流下的饱和速度，达到提升LED芯片亮度与光效的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，具体涉及半导体二极管芯片的制造技术。技术背景传统的发光二极管，其发光层通过MOCVD外延生长于衬底表面，外延结构自上而下包含了第二半导体层、有源层、第一半导体层等。第二半导体层由于空穴迁移率低（几十cm2/Vs），使其电导率（几~十几Ωcm）相较第一半导体层相差很大，导致第二半导体层电流横向扩展能力差，电流分布很不均匀，局部电流密度过大，热效应现象严重，影响LED芯片的使用效率和寿命。另外，由于第二金属电极周围电流密度很大，使其下有源层发出的光被不透明的第二金属电极所遮挡和吸收，导致LED光效与亮度下降。为此，解决上述问题的传统方法是在第二金属电极下生长绝缘介质层（如SiO2、Si3N4等）及透明导电层（ITO、AZO等），起到电流阻挡与电流扩展作用，使流经第二金属电极下方的电流比例减小，在一定程度上增加电流的横向扩展，但绝缘介质的电流阻挡层势必会吸收一部分的出射光线，降低LED芯片的光效与亮度。此外，将第二金属电极做成反射电极，可解决第二金属电极遮光及吸光的问题。第二种方法是刻蚀掉第二金属电极下方区域的有源层或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，在衬底一侧依次外延设置第一半导体层、有源层、电子阻挡层、第二半导体层和欧姆接触层；其特征在于：第一金属电极和第二金属电极设置在远离衬底的同一侧；第一金属电极欧姆接触于第一半导体层上，第二金属电极高阻肖特基接触于第二半导体层上；在第二金属电极的外侧设置透明导电层，在远离衬底的芯片表面设置绝缘钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，在衬底一侧依次外延设置第一半导体层、有源层、电子阻挡层、第二半导体层和欧姆接触层；其特征在于：第一金属电极和第二金属电极设置在远离衬底的同一侧；第一金属电极欧姆接触于第一半导体层上，第二金属电极高阻肖特基接触于第二半导体层上；在第二金属电极的外侧设置透明导电层，在远离衬底的芯片表面设置绝缘钝化层。
2.一种如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，包括在衬底一侧依次外延生长第一半导体层、有源层、电子阻挡层、第二半导体层和欧姆接触层；其特征在于还包括以下步骤：
1）在欧姆接触层表面分别定义第一金属电极区域和第二金属电极区域；
2）对第一金属电极区域下方的欧姆接触层、第二半导体层、电子阻挡层、有源层和第一半导体层进行刻蚀，形成裸露出第一半导体层的第一沟槽；
对第二金属电极区域下方的欧姆接触层和第二半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛生杰，金豫浙，冯亚萍，李佳佳，李志聪，孙一军，王国宏，
申请(专利权)人：扬州中科半导体照明有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32