一种高压LED芯片深刻蚀工艺制造技术

本发明专利技术提供一种高压LED芯片深刻蚀工艺，包括以下步骤：(1)选取外延片，首先进行MESA制程，制作出所需要的图形；(2)进行掩膜SiO2层的沉积，同时对非腐蚀区域进行保护，然后CUT黄光制程；(3)浸泡BOE溶液，在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅，再进行ICP干法刻蚀；(4)去除光刻胶，之后在进行180℃下浸泡自制衬底腐蚀液下腐蚀3～5min对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰；(5)高温腐蚀结束后冲水洗净，再于室温条件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干；(6)掩膜硅去除后，再进行后续的P硅、ITO、PN、钝化硅光刻，金属熔合后完成点测。本发明专利技术使芯片刻蚀走道与侧壁平整度明显提高，可以减少HV芯片产品的漏电风险，提高HV芯片产品的电性品位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片制作
，具体为一种高压LED芯片深刻蚀工艺。
技术介绍
当前基于氮化镓基发光二极管(LED)的半导体技术已经渗透到社会生活的诸多方面，其节能、环保的绿色发展理念在显示、照明领域的优势更加显著。传统LED芯片是在大电流低压下工作，为提升使用电压，一般采用集成封装结构，即多颗芯片串并联。高压芯片是通过将若干芯片集成到一颗芯片上，相比传统芯片此类芯片发光效率较高，产品的光学表现性会更好。但由于是多颗小功率LED串联，彼此之间需要进行深刻蚀以求绝缘性能好，为了杜绝漏电现象影响产品电性，对深刻蚀的工艺提出了较高的要求，本专利技术专利提供了一种新的深刻蚀处理工艺，重点解决高压LED芯片在深刻蚀后易导致芯片漏电等问题。
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题在于提供一种高压LED芯片深刻蚀工艺，以解决由于LED高压芯片是多颗小功率LED串联形成的一种集成芯片，在多颗小LED芯片间需要进行深刻蚀，并且两电极桥接处需要用P-SiO2进行绝缘，如果氧化硅沉积在凹凸不平的接触面上，在湿法腐蚀P-SiO2时由于化学溶液的钻蚀，会使得P硅图形不完整进而未起到很好的绝缘作用，镀上金属电极后容易发生漏电。为了通过高温腐蚀，对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰，使得刻蚀走道与侧壁进一步平整的问题。本专利技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种高压LED芯片深刻蚀工艺，包括以下步骤：(1)选取外延片，首先进行MESA制程，制作出所需要的图形；(2)进行掩膜SiO2层的沉积，同时对非腐蚀区域进行保护，然后CUT黄光制程；(3)浸泡BOE溶液，在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅，再进行ICP干法刻蚀；(4)去除光刻胶，之后在进行180℃下浸泡自制衬底腐蚀液下腐蚀3～5min对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰；(5)高温腐蚀结束后冲水洗净，再于室温条件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干；(6)掩膜硅去除后，再进行后续的P硅、ITO、PN、钝化硅光刻，金属熔合后完成点测。所述步骤(2)中进行掩膜SiO2层的沉积掩膜SiO2层的厚度所述步骤(3)中BOE溶液体积比H2SO4:H3PO4＝1:3。所述步骤(4)中自制衬底腐蚀液体积比HF:NH4F＝1:6。与已公开技术相比，本专利技术存在以下优点：本专利技术使芯片刻蚀走道与侧壁平整度明显提高，界面比较平整。通过该验证方法，可以减少HV芯片产品的漏电风险，提高HV芯片产品的电性品位。附图说明图1为普通干法深刻蚀后未做处理时高压LED芯片。图2为使用本专利技术处理后的高压LED芯片。具体实施方式为了使本专利技术的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1一种高压LED芯片深刻蚀工艺，包括以下步骤：(1)选取外延片，首先进行MESA制程，制作出所需要的图形；(2)进行掩膜SiO2层的沉积，同时对非腐蚀区域进行保护，然后CUT黄光制程；沉积掩膜SiO2层的厚度(3)浸泡BOE溶液，在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅，再进行ICP干法刻蚀；BOE溶液体积比H2SO4:H3PO4＝1:3。(4)去除光刻胶，之后在进行180℃下浸泡自制衬底腐蚀液下腐蚀3～5min对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰；自制衬底腐蚀液体积比HF:NH4F＝1:6。(5)高温腐蚀结束后冲水洗净，再于室温条件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干；(6)掩膜硅去除后，再进行后续的P硅、ITO、PN、钝化硅光刻，金属熔合后完成点测。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征及本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压LED芯片深刻蚀工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)选取外延片，首先进行MESA制程，制作出所需要的图形；(2)进行掩膜SiO2层的沉积，同时对非腐蚀区域进行保护，然后CUT黄光制程；(3)浸泡BOE溶液，在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅，再进行ICP干法刻蚀；(4)去除光刻胶，之后在进行180℃下浸泡自制衬底腐蚀液下腐蚀3～5min对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰；(5)高温腐蚀结束后冲水洗净，再于室温条件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干；(6)掩膜硅去除后，再进行后续的P硅、ITO、PN、钝化硅光刻，金属熔合后完成点测。

【技术特征摘要】
1.一种高压LED芯片深刻蚀工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)选取外延片，首先进行MESA制程，制作出所需要的图形；(2)进行掩膜SiO2层的沉积，同时对非腐蚀区域进行保护，然后CUT黄光制程；(3)浸泡BOE溶液，在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅，再进行ICP干法刻蚀；(4)去除光刻胶，之后在进行180℃下浸泡自制衬底腐蚀液下腐蚀3～5min对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰；(5)高温腐蚀结束后冲水洗净，再于室温条件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩...

【专利技术属性】
技术研发人员：储志兵，唐军，刘亚柱，潘尧波，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34