【技术实现步骤摘要】
一种四元系LED芯片的生产工艺
本专利技术属于LED芯片制造
技术介绍
四元系LED芯片由于其发光效率高,波长范围广,使用寿命长而受到半导体照明界的广泛重视,已被大量应用于大屏显示、交通信号灯、景观照明、汽车状态显示等各个领域。四元系LED芯片制程中后段的制作方法是将整片芯片分割成单一晶粒、人工倒边翻转、扩张、人工负极外观检测、再翻转、人工正极外观检测。其中两次翻转过程由于是与蓝膜作载体,这样会导致蓝膜上胶层与芯片正面接触,产生陷膜、残胶等问题。另外,从分割到正检测完成均为人工作业,人为污染、多误挑、少挑等问题严重影响成品合格良率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种生产效率高、成本较低、成品合格率较高、材料节省的四元系LED芯片的制作方法。本专利技术先在GaAs基板一侧面外延生长形成具有发光层的外延片,然后在外延片的两侧分别制作正电极和负电极,取得具有多元胞的芯片半制品;其特点还包括以下步骤:1)把所述芯片半制品正电极向上,在负电极的表面粘附蓝膜,然后从上至下对芯片半制品进行各元胞等间距半分割;2)将芯片半制品从蓝膜上分离出来后,对各元胞进行光电参数测试;3)将芯片半制品正电极向上,再在负电极的表面粘附蓝膜,然后从上至下对芯片半制品进行各元胞等间距全分割,直至分割到蓝膜上方为止;4)将具有蓝膜的芯片半制品进行扩张处理;5)将具有蓝膜的芯片半制品进行晶粒外观检测机扫描辨识,确认每颗晶粒的坐标,并设定刮边排数,采用晶粒外观检测设备进行自动刮边、检测晶粒正电极外观;6)翻转具有蓝膜的芯片半制品,使半制品的负电极向上,对负电极外观进行检测;7)再次翻 ...
【技术保护点】
一种四元系LED芯片的生产工艺,先在GaAs 基板一侧面外延生长形成具有发光层的外延片,然后在外延片的两侧分别制作正电极和负电极,取得具有多元胞的芯片半制品;其特征在于还包括以下步骤:1)把所述芯片半制品正电极向上,在负电极的表面粘附蓝膜,然后从上至下对芯片半制品进行各元胞等间距半分割;2)将芯片半制品从蓝膜上分离出来后,对各元胞进行光电参数测试;3)将芯片半制品正电极向上,再在负电极的表面粘附蓝膜,然后从上至下对芯片半制品进行各元胞等间距全分割,直至分割到蓝膜上方为止;4)将具有蓝膜的芯片半制品进行扩张处理;5)将具有蓝膜的芯片半制品进行晶粒外观检测机扫描辨识,确认每颗晶粒的坐标,并设定刮边排数,采用晶粒外观检测设备进行自动刮边、检测晶粒正电极外观;6)翻转具有蓝膜的芯片半制品,使半制品的负电极向上,对负电极外观进行检测;7)再次翻转,使正电极向上人工进行外观复检。
【技术特征摘要】
1.一种四元系LED芯片的生产工艺,先在GaAs基板一侧面外延生长形成具有发光层的外延片,然后在外延片的两侧分别制作正电极和负电极,取得具有多元胞的芯片半制品;其特征在于还包括以下步骤:1)把所述芯片半制品正电极向上,在负电极的表面粘附蓝膜,然后从上至下对芯片半制品进行各元胞等间距半分割;2)将芯片半制品从蓝膜上分离出来后,对各元胞进行光电参数测试;3)将芯片半制品正电极向上,再在负电极...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖和平,陈亮,马祥柱,陈宝,杨凯,
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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