一种提高垂直LED芯片电流扩展的制作方法技术

本发明专利技术提供一种提高垂直LED芯片电流扩展的制作方法，包括：首先提供剥离生长衬底后暴露出N型GaN层的LED芯片，在N型GaN层表面形成钝化层；然后刻蚀所述钝化层，暴露出所述N型GaN层表面，形成金属电极开孔和焊垫开孔；最后在所述金属电极开孔中蒸镀金属材料形成金属电极，同时在所述焊垫开孔中及所述焊垫开孔之间的钝化层上蒸镀金属材料形成焊垫，其中，所述金属电极的宽度呈渐变趋势，所述焊垫开孔的宽度大于或者等于蒸镀在所述焊垫开孔中的焊垫宽度。本发明专利技术通过在焊垫开孔中全部填充或部分填充金属材料，来阻挡焊垫与N型GaN层直接接触，防止焊垫下直接复合，提高芯片发光效率；同时采用金属电极宽度渐变方式，使电流容易扩展到更边缘区域，提高芯片的电流扩展。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高垂直LED芯片电流扩展的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：1)提供剥离生长衬底后暴露出N型GaN层的LED芯片，在所述暴露的N型GaN层表面形成钝化层；2)刻蚀所述钝化层，暴露出所述N型GaN层表面，形成金属电极开孔和与所述金属电极开孔连通的焊垫开孔；3)在所述金属电极开孔中蒸镀金属材料形成金属电极，同时在所述焊垫开孔中及所述焊垫开孔之间的钝化层上蒸镀金属材料，形成与所述金属电极电连的焊垫，其中，从远离所述焊垫一侧到靠近所述焊垫一侧，所述金属电极的宽度呈渐变趋势。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于婷婷，徐慧文，李起鸣，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31