太阳能芯片模组制造工艺制造技术

本发明专利技术提供一种太阳能芯片模组制造工艺，其先将多数个芯片自晶片分离，在一芯片的第一电极点上锡膏后，再以另一芯片的第二电极叠合于锡膏且进行非接触式焊接，使多数个芯片焊接形成一串焊结构，接下来在串焊结构两端的芯片焊上外接电极，再进行结合基板与封装的步骤；本发明专利技术的串焊结构是以锡膏来结合各芯片且各芯片间相互叠合，可解决现有制造工艺以焊带来串连各芯片所造成的串焊效率不佳及串焊过程中容易破片等问题，提供一种可提升焊接速度且能有效防止破片产生的太阳能芯片模组制造工艺。

Solar chip module manufacturing process

The present invention provides a process for manufacturing the solar chip module, a plurality of first chip chip separation, solder paste on a chip of the first electrode point, then the second electrode stack another chip in solder paste and non-contact welding, so that the majority of chip series welding welding electrode structure is formed, the next in an on chip welding ends of welding structure, and then combined with the substrate and the encapsulation steps; welding structure of the invention is to paste to combine the chip and the chip superimposed, can solve the existing manufacturing process to bring the welding series chips caused by series welding efficiency and easy string fragment etc. the welding process, to provide a manufacturing process to enhance the solar chip module welding speed and can effectively prevent the fragments.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏模组或单一光伏电池阵列，尤其是指一种能提升串焊效率与品质的太阳能芯片模组制造工艺。
技术介绍
太阳能芯片模组是指用来吸收太阳光的能量，使芯片内的半导体材质的电子与质子分离而产生电流的光电元件；太阳能芯片模组是以多数个芯片串连形成一串焊结构后，再将多数个串焊结构电连接且封装制成，一种现有的串焊结构，如图7所示，其包括有多数个芯片70及多数个焊带80及多个外接电极90，这种串焊结构是以焊带80来串连各芯片70，增加太阳能芯片模组的电压，并在串焊结构两端的芯片分别结合外接电极90来与外界电连接；这类型的串焊结构在芯片70与芯片70之间以焊带80连接，在焊接时需要将芯片70翻面来焊接焊带80，造成焊接耗费的时间较多、效率较差，尤其是现有的芯片70为了节省材料、缩短电流传递路径而越来越薄，在进行芯片70翻面的过程中，更容易发生芯片70破损的情况，由上述可知，现有的太阳能芯片模组制造工艺在芯片串焊的步骤上仍有改善与进步的空间。
技术实现思路
为了解决现有太阳能芯片模组制造工艺以焊带来串连各芯片所造成的焊接效率较差及容易产生芯片破损等问题，本专利技术提出一种太阳能芯片模组制造工艺，以锡膏来结合串焊结构中的各芯片且使各芯片间相互叠合，能在串焊时免去芯片翻面的程序、避免芯片翻面时破片的产生，提高太阳能芯片模组的制作效率与良率。本专利技术解决技术问题所提出的太阳能芯片模组制造工艺，其包括：芯片分割：首先在一晶片分割出具有一第一长边及一第二长边的多数个芯片，各芯片设有一第一面及一第二面，所述第一面设有一个以上的第一电极，所述第二面设有一个以上的第二电极，所述一个以上的第一电极与所述一个以上的第二电极朝所述
芯片的两侧延伸至所述第一长边及所述第二长边；芯片串焊：在一所述芯片的一个以上的第一电极点上一锡膏，所述锡膏是设置于靠近所述芯片的所述第一长边处，接下来将另一所述芯片的第二面的一个以上的第二电极叠合于所述锡膏，并使两所述芯片的第一长边与第二长边平行且重叠，重复叠合多数个所述芯片后，再对点上锡膏且重叠排列完成的多数个所述芯片进行非接触式焊接，通过所设的锡膏将多数个所述芯片焊接在一起、形成具有二端的一串焊结构；外接电极焊接：在所述串焊结构的其中一端的所述芯片的一个以上的第一电极焊接一外接电极，接着在所述串焊结构的另一端的的所述芯片的一个以上的第二电极焊接一外接电极；结合基板：在一基板涂上接着剂形成一粘贴层，利用所述粘贴层将所述串焊结构固定于所述基板；封装：在所述串焊结构与所述基板涂上高分子封装材料且进行加热，在静置一段时间后形成一封装层。所述的太阳能芯片模组制造工艺，其中于所述的芯片分割步骤中进行芯片的筛选。所述的太阳能芯片模组制造工艺，其中于所述的外接电极焊接步骤中对各芯片间的焊接处及各外接电极与各芯片间的焊接处进行检测。所述的太阳能芯片模组制造工艺，其中于所述的芯片串焊步骤中是以红外线激光对多数个所述芯片加热。所述的太阳能芯片模组制造工艺，其中所述的外接电极为一铜箔。所述的太阳能芯片模组制造工艺，其中于所述的结合基板步骤中检查所述串焊结构与所述基板之间的结合状况。所述的太阳能芯片模组制造工艺，其中于所述的封装步骤中使用的高分子封装材料为环氧树脂。本专利技术的技术手段可获得的功效增进在于：本专利技术的太阳能芯片模组制造工艺，以锡膏来结合串焊结构中的各芯片且使各芯片间相互叠合，在串焊各芯片时不需要对各芯片进行翻面，可提升串焊效率、避免各芯片在翻面时所发生的芯片破损的情况，有效地降低了芯片破片产生的机率、提升串焊的成功率及太阳能芯片模组的制作良率。附图说明图1是本专利技术较佳实施例的制作流程图。图2是本专利技术较佳实施例的芯片的上视图。图3是本专利技术较佳实施例的芯片的下视图。图4是本专利技术较佳实施例的步骤B的实施示意图。图5是本专利技术较佳实施例的串焊结构的端面示意图。图6是本专利技术较佳实施例的芯片模组的剖面示意图。图7是现有串焊结构的端面示意图。符号说明：A 芯片分割B 芯片串焊C 外接电极焊接D 结合基板E 封装20 芯片21 第一面211 第一电极22 第二面221 第二电极30 锡膏40 串焊结构41 外接电极50 基板51 粘贴层60 封装层70 芯片80 焊带90 外接电极具体实施方式为能详细了解本专利技术的技术特征及实用功效，并可依照
技术实现思路
来实现，兹进一步以如图式所示的较佳实施例，详细说明如后：请参阅图1所示，本专利技术为一种太阳能芯片模组制造工艺，其包括：芯片分割A、芯片串焊B、电极点焊C、结合基板D及封装E；对于本专利技术的太阳能芯片模组制造工艺的加工步骤，详细说明如下：芯片分割A：首先在一晶片以激光切割的方式形成多数个芯片20的切割线，再以机械裂片的方式使所述多数个芯片20与该晶片分离；如图2及图3所示，分割后的各芯片20呈矩形且具有一第一长边及一第二长边，该芯片20设有一第一面21及一第二面22，该第一面21上设有一个以上的第一电极211，该第二面22设有一个以上的第二电极221，所述一个以上的第一电极211与所述一个以上的第二电极221朝两侧延伸至该芯片20的该第一长边及该第二长边，在本专利技术的较佳实施例中的第一电极211与第二电极221分别设有两个；接下来，将经过裂片后的芯片20以人工的方式进行筛选，把完整的芯片20与破损的芯片20分开集中。芯片串焊B：如图4及图5所示，在进行芯片分割A之后，在一该芯片20点上一锡膏30，该锡膏30设置于所述一个以上的第一电极211、靠近该芯片20的第一该长边处，接下来将另一该芯片20的该第二面22的一个以上的第二电极221叠合于该锡膏30上，并使两该芯片20的第一长边与第二长边平行且重叠，重复此一步骤数次后，再将点上锡膏30且重叠排列完成的多数个该芯片20以红外线激光进行加热、通过步骤B中所设的锡膏30将多数个该芯片20焊接在一起、形成具有二端的一串焊结构40。外接电极焊接C：如图5所示，经过芯片串焊B步骤后，在该串焊结构40其中一端的该芯片20的一个以上的第一电极211焊接一外接电极41，接着同样在该串焊结构40另一端的该芯片20的一个以上的第二电极221焊接一外接电极41；再来对各芯片20间的焊接处及各外接电极41与各芯片20间的焊接处进行检测，测量该串焊结构40对电的通导性，并将通过检测与未通过检测的串焊结构40分开集中；在本专利技术的较佳实施例中是于该串焊结构40的两端的第一电极211与第二电极221各焊
上一铜箔来作为外接电极41与外界电连接。结合基板D：如图6所示，在一基板50涂上接着剂形成一粘贴层51，利用该粘贴层51将该串焊结构40固定于该基板50；接着检查该串焊结构40与该基板50之间的结合状况。封装E：如图6所示，最后在该串焊结构40与该基板50涂上高分子封装材料且进行加热，经过加热的高分子封装材料在静置一段时间后形成一封装层60，在本专利技术的制造工艺中是采用环氧树脂(EPOXY)来作为封装的材料。本专利技术的太阳能芯片模组制造工艺在各芯片20间以锡膏30相互连接且各芯片20间相互叠合，与现有的太阳能芯片模组制造工艺是以焊带80来连接各芯片20相比，经由本专利技术所制作的串焊结构40免去了该焊带80的使用，在串焊各芯片20时不需要对各芯片20进行翻面，可节省串焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能芯片模组制造工艺，其特征在于，包括：芯片分割：首先在一晶片分割出具有一第一长边及一第二长边的多数个芯片，各芯片设有一第一面及一第二面，所述第一面设有一个以上的第一电极，所述第二面设有一个以上的第二电极，所述一个以上的第一电极与所述一个以上的第二电极朝所述芯片的两侧延伸至所述第一长边及所述第二长边；芯片串焊：在一所述芯片的一个以上的第一电极点上一锡膏，所述锡膏是设置于靠近所述芯片的所述第一长边处，接下来将另一所述芯片的第二面的一个以上的第二电极叠合于所述锡膏，并使两所述芯片的第一长边与第二长边平行且重叠，重复叠合多数个所述芯片后，再对点上锡膏且重叠排列完成的多数个所述芯片进行非接触式焊接，通过所设的锡膏将多数个所述芯片焊接在一起、形成具有两端的一串焊结构；外接电极焊接：在所述串焊结构其中一端的所述芯片的一个以上的第一电极焊接一外接电极，接着在所述串焊结构的另一端的所述芯片的一个以上的第二电极焊接一外接电极；结合基板：在一基板涂上接着剂形成一粘贴层，利用所述粘贴层将所述串焊结构固定于所述基板；封装：在所述串焊结构与所述基板涂上高分子封装材料且进行加热，在静置一段时间后形成一封装层。...

【技术特征摘要】
1.一种太阳能芯片模组制造工艺，其特征在于，包括：芯片分割：首先在一晶片分割出具有一第一长边及一第二长边的多数个芯片，各芯片设有一第一面及一第二面，所述第一面设有一个以上的第一电极，所述第二面设有一个以上的第二电极，所述一个以上的第一电极与所述一个以上的第二电极朝所述芯片的两侧延伸至所述第一长边及所述第二长边；芯片串焊：在一所述芯片的一个以上的第一电极点上一锡膏，所述锡膏是设置于靠近所述芯片的所述第一长边处，接下来将另一所述芯片的第二面的一个以上的第二电极叠合于所述锡膏，并使两所述芯片的第一长边与第二长边平行且重叠，重复叠合多数个所述芯片后，再对点上锡膏且重叠排列完成的多数个所述芯片进行非接触式焊接，通过所设的锡膏将多数个所述芯片焊接在一起、形成具有两端的一串焊结构；外接电极焊接：在所述串焊结构其中一端的所述芯片的一个以上的第一电极焊接一外接电极，接着在所述串焊结构的另一端的所述芯片的一个以上的第二电极焊接一外接电极；结合基板：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄洪嘉俊，
申请(专利权)人：特罗碧迦太阳光电有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71