一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法，该石墨烯/硅太阳电池自下而上依次有背面电极、p型硅层、n型硅层、n型掺杂的石墨烯层和正面电极，石墨烯掺杂载流子浓度不低于1012cm-2。其制造包括：先将p型硅片浸入化学制绒液中，使其表面形成绒面结构；然后将制绒后的样品通过磷扩散或磷离子注入进行磷掺杂形成n型硅层；再将n型掺杂的石墨烯转移至磷掺杂n型硅层上；在p型硅层上制作背面电极；在n型掺杂的石墨烯上制作正面电极。本发明专利技术的石墨烯/硅太阳电池利用石墨烯材料能提高太阳电池的开路电压，且可以降低太阳电池的串联电阻，提高输出功率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种石墨烯/硅太阳电池，其特征在于自下而上依次有背面电极（1）、p型硅层（2）、n型硅层（3）、n型掺杂的石墨烯层（4）和正面电极（5），石墨烯掺杂载流子浓度不低于1012cm?2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林时胜，李晓强，
申请(专利权)人：杭州格蓝丰纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：