制作ZnO于堆叠太阳能硅薄膜以提高发电效率制造技术

技术编号:9172320 阅读:198 留言:0更新日期:2013-09-19 21:51
本发明专利技术主要目的是制作ZnO于堆叠太阳能硅薄膜以提高发电效率。是把导电玻璃在PECVD制作非晶硅薄膜,随后进行本发明专利技术ZnO膜层制作,是利用Sputter将ZnO靶材进行溅镀,把ZnO镀在非晶硅薄膜上,最后放回到PECVD制作微晶硅薄膜及背电极,即完成此制程。本发明专利技术ZnO膜层制作在非晶硅与微晶硅薄膜中,制作出具高穿透性、高反射性、低折射率及高表面粗糙的ZnO薄膜,主要是当光从TCO玻璃入射后,先到达非晶硅薄膜,再到ZnO膜层时,光会透过ZnO穿透往微晶硅薄膜进入外,也可在ZnO作折射与反射,让更多的光在非晶硅薄膜吸收,以提高非晶硅薄膜的Jsc,此外当光从背电极作反射时,光也会在微晶硅与ZnO作折射,藉此当试片在经过光衰后,有稳定的效率,且有较低的衰退,以达到高发电效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
本专利技术主要目的是制作ZnO于堆叠太阳能硅薄膜以提高发电效率,其主要是把TCO玻璃先在PECVD腔体内制作非晶硅薄膜,随后则进行本专利技术ZnO膜层的制作,其是利用Sputter将ZnO靶材进行溅镀,把ZnO镀膜在非晶硅薄膜上,最后再放回到PECVD腔体内制作微晶硅薄膜,以及背电极,即完成此制程。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:戴嘉男刘幼海刘吉人
申请(专利权)人:吉富新能源科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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