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本发明涉及一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法，该石墨烯/硅太阳电池自下而上依次有背面电极、p型硅层、n型硅层、n型掺杂的石墨烯层和正面电极，石墨烯掺杂载流子浓度不低于1012cm-2。其制造包括：先将p型硅片浸入化学制绒液中，使其表面形成绒...
该专利属于杭州格蓝丰纳米科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州格蓝丰纳米科技有限公司授权不得商用。

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