【技术实现步骤摘要】
201510959663
【技术保护点】
一种制造高效率多晶电池的工艺，依次包括硅片表面制绒、扩散、刻蚀、氮化硅薄膜沉积、印刷烧结步骤，其特征在于：在所述的硅片表面制绒步骤与扩散步骤之间增加反应离子刻蚀制绒步骤，在所述的刻蚀步骤和氮化硅薄膜沉积步骤之间增加镀Al2O3膜步骤，在所述的硅片背面沉积Al2O3膜；在所述的氮化硅薄膜沉积步骤和所述的印刷烧结步骤之间增加激光开槽步骤，在所述的Al2O3膜上激光开槽。
【技术特征摘要】
1.一种制造高效率多晶电池的工艺，依次包括硅片表面制绒、扩散、刻蚀、氮化硅薄膜沉积、印刷烧结步骤，其特征在于：在所述的硅片表面制绒步骤与扩散步骤之间增加反应离子刻蚀制绒步骤，在所述的刻蚀步骤和氮化硅薄膜沉积步骤之间增加镀Al2O3膜步骤，在所述的硅片背面沉积Al2O3膜；在所述的氮化硅薄膜沉积步骤和所述的印刷烧结步骤之间增加激光开槽步骤，在所述的Al2O3膜上激光开槽。
2.根据权利要求1所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：所述的反应离子刻蚀制绒步骤为：使用O2、SF6反应离子或Cl2、SF6反应离子或SF6、Cl2和O2反应离子，对所述的硅片表面进行轰击刻蚀。
3.根据权利要求2所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：所述的反应离子刻蚀制绒步骤为：使用O2、SF6反应离子，对所述的硅片表面进行轰击刻蚀。
4.根据权利要求1所述的制造高效率多晶电池的工艺，其特征在于：所述的镀Al2O3膜步骤为：通过单原子层沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员：李奎，朱生宾，李陶，谢伟，崔廷，蒋明强，王凌祥，
申请(专利权)人：合肥晶澳太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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