一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法，其特征在于，将Bi，Te，Se颗粒按一定化学计量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI，混合均匀,然后在950～1050℃下熔炼掺杂的母合金，随后浇铸到模具中冷却凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型半导体块体热电材料。本发明专利技术首次将液液结构转变这个物理现象引入到热电材料制备领域，通过控制母系合金的熔体状态，直接操纵凝固组织，并结合KI掺杂，优化了BiTeSe基热电材料的性能。与现有方法相比，本发明专利技术在大幅度提升热电优值的基础上，具有清洁无污染，无需特种设备，操作简单，周期短，成本低等优点，特别适合于商业化大规模生产和应用。

【技术实现步骤摘要】
201610070418

【技术保护点】
一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法，其特征在于，将Bi,Te,Se颗粒按一定化学计量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI,混合均匀，然后在950～1050℃下熔炼掺杂的母合金，随后浇铸到模具中冷却凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型半导体热电材料。

【技术特征摘要】
1.一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法，其特征在于，将Bi,Te,Se颗
粒按一定化学计量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI,混合均匀，然后在950～
1050℃下熔炼掺杂的母合金，随后浇铸到模具中冷却凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型
半导体热电材料。
2.如权利要求1所述的一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法，其特征
在于，所述掺杂的母合金熔炼时，先将其加热到650℃，使覆盖剂融化，随后升温到700～
800℃，保温1-2h，再升温到950℃～1050℃，保温0.5-1h实现温度诱导液液结构转变，随
后降温到650℃保温30min后，浇铸到模具中冷却凝固，即得到高性能的BiTeS...

【专利技术属性】
技术研发人员：祖方遒，朱彬，吴展，张文进，王小宇，余愿，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34