双层高导电及高附着之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池制造技术

技术编号:9172325 阅读:134 留言:0更新日期:2013-09-19 21:51
本发明专利技术主要目的系一种双层高导电及高附着之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池,此技术方法于使用真空溅镀法在高低压下制作高导电性及高附着之双层钼背电极,其目的在于大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率,且提高铜铟镓硒太阳能电池的短路电流,进而达到生产成本降低及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双层高导电及高附着之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池,其目的在于大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量,经由提高双层钼背电极的导电性及附着性,进而达到高生产量率及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈政宏刘幼海刘吉人
申请(专利权)人:吉富新能源科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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