含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层的上部的包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层以及设在该缓存层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本发明专利技术通过设置包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层，有效缓解Ⅲ族氮化物外延层与衬底之间的晶格失配和热失配，而且因为在缓冲层中层叠设置氮镓铟层，使缓冲层中生长的氮镓铝层处于压应变状态，抑制了氮镓铝层随着厚度增加产生的较多的位错缺陷和较大的内应力，进而可以得到高质量的Ⅲ族氮化物外延层。

Semiconductor device containing cache layer of gallium nitrogen aluminum and gallium indium and method for manufacturing the same

The invention relates to a semiconductor device containing a cache layer of nitrogen gallium aluminum and nitrogen gallium indium and a method for manufacturing the same. The semiconductor device includes a substrate, the substrate is located in the upper part of the seed layer, located in the upper part of the seed layer includes a buffer layer of gallium nitrogen aluminum layer and InGaN layer and located in the upper part of the buffer layer III nitride epitaxial layer. By setting the buffer layer comprises a nitrogen gallium aluminum layer and InGaN layer, effectively alleviate the between group III nitride epitaxial layer and the substrate lattice mismatch and thermal mismatch, and because in the buffer layer stacked InGaN layer, so that a compressive strain of nitrogen gallium aluminum layer growth in buffer layer the inhibition of nitrogen, gallium aluminum layer thickness increases with dislocation defects produced more and more stress, and then we can get a group III nitride epitaxial layer of high quality.

【技术实现步骤摘要】
含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件领域，特别是涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
Ⅲ族氮化物半导体材料被誉为是第三代半导体材料，包括氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)以及他们之间形成的三、四元合金，如氮镓铝(AlGaN)、氮铝铟(InAlN)和氮镓铟(InGaN)。以氮化镓(GaN)为主的Ⅲ族氮化物半导体材料具有宽的直接代隙(Eg＝3.36eV)、高熔点、高热导率、高饱和电子速率、高临界击穿电场强度和高电子室温迁移率，被广泛应用于金属半导体场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结场效应晶体管(HFET)、发光二极管(LED)等耐高温、高压和高频交换器件。由于目前很难得到大尺寸的氮化镓单晶体材料，为了获得高质量的氮化镓薄膜，通过在硅、蓝宝石或碳化硅等衬底材料上进行异质外延生长。其中硅具有高质量、价格低、易于解理和制作电极等优势，是最具有潜力的衬底材料。但是由于硅和氮化镓有较大的晶格失配和热失配，如氮化镓与硅之间的热失配为56％，晶格失配为19.6％，在硅衬底生长的氮化镓外延层上会产生较多的位错缺陷和较大的内应力，而这些缺陷会导致外延层生产裂纹，制约着高质量的氮化镓薄膜的生长。为了更好的抑制氮化镓层因应力产生的裂纹，提高其晶体质量，在异质外延生长中通常包含籽晶层和缓冲层。传统的半导体器件的缓存层在硅衬底氮化铝籽晶层上部，形成一定厚度的氮镓铝缓冲层的结构。但是氮镓铝缓存层随着厚度的增加，会产生较多的位错缺陷和较大的内应力，导致其上成长的氮化镓层的品质低下。
技术实现思路
基于此，有必要针对氮镓铝缓存层随着厚度的增加，会产生较多的位错缺陷和较大的内应力的问题，提供一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件及其制造方法。一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件，包括：衬底；籽晶层，所述籽晶层设在所述衬底的上部；缓冲层，所述缓冲层设置在所述籽晶层的上部，所述缓冲层包括氮镓铝层和氮镓铟层；以及Ⅲ族氮化物外延层，所述Ⅲ族氮化物外延层设置在所述缓冲层的上部。在其中一个实施例中，所述缓冲层包括单层氮镓铝层和单层氮镓铟层。在其中一个实施例中，所述氮镓铝层和/或氮镓铟层为多层，且所述氮镓铟层与所述氮镓铝层交替层叠。在其中一个实施例中，当所述氮镓铝层有多层时，所述缓存层中的每一层氮镓铝层中铝的掺杂浓度是不同的，所述氮镓铝层中铝的掺杂浓度小于等于1。在其中一个实施例中，所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。在其中一个实施例中，所述籽晶层为氮化铝层和/或氮镓铝层。在其中一个实施例中，所述Ⅲ族氮化物外延层包括氮化镓外延层及氮镓铝外延层中的至少一层，且所述Ⅲ族氮化物外延层中具有由氮化镓外延层与氮镓铝外延层构成的异质结构。在其中一个实施例中，还包括设置在所述Ⅲ族氮化物外延层中间的氮化铝插入层和/或氮镓铝插入层。上述半导体器件，在籽晶层上部形成一个氮镓铝层与氮镓铟层层叠设置的缓冲层，通过变更铝掺杂浓度调整缓冲层中氮镓铝层的结构构造，有效缓解Ⅲ族氮化物外延层与衬底之间的晶格失配和热失配，而且因为在缓冲层中层叠设置氮镓铟层，使缓冲层中生长的氮镓铝层处于压应变状态，抑制了氮镓铝层随着厚度增加产生的较多的位错缺陷和较大的内应力，进而可以得到高质量的Ⅲ族氮化物外延层。此外，还有必要提供一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件的制造方法。一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：1)在衬底上形成包含硅掺杂氮化铝层的籽晶层；2)在所述籽晶层上形成缓冲层，所述缓冲层包括氮镓铝层和氮镓铟层；3)在所述缓冲层上形成Ⅲ族氮化物外延层。在其中一个实施例中，其特征在于，还包括在所述Ⅲ族氮化物外延层中间形成插入层的步骤。通过该方法制造的含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件，具有较高的高临界击穿电场强度和高电子室温迁移率，半导体器件的工作性能较好。附图说明图1为一实施方式的含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件的结构示意图；图2为一实施方式的含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件的缓冲层的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术的含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。如图1所示，一实施方式的半导体器件包括衬底101、籽晶层102、缓冲层103、第一Ⅲ族氮化物外延层104以及第二Ⅲ族氮化物外延层106。在本实施方式中，衬底101的材料选择除了要考虑晶格失配度、材料的热膨胀系数，还要综合考虑材料的尺寸和价格。在本实施方式中，衬底101的材料选用硅。可以理解，在其他实施方式中，衬底101的材料还可以为蓝宝石或碳化硅等。籽晶层102位于衬底101的上表面，主要作用是在衬底表面形成成核点，有利于Ⅲ族氮化物在衬底上形核和生长。在本实施方式中，籽晶层102的材料是氮化铝。籽晶层102由一层或多层氮化铝层构造而成。优选的，籽晶层102的厚度小于等于500nm。可以理解，在其他实施方式中，籽晶层102的材料是氮镓铝、氮化镓、氮化硅等其他Ⅲ族氮化物，或几者的组合。籽晶层102是含有氮化铝层、氮化镓层、氮化硅层等其他Ⅲ族氮化物层构成的一层或多层结构。缓冲层103位于籽晶层102的上部，主要作用是有效缓解Ⅲ族氮化物外延层与衬底之间的晶格失配和热失配，减少了Ⅲ族氮化物外延层因应力产生的应变，降低位错和缺陷的发生，进而形成较好的Ⅲ族氮化物外延层。在本实施方式中，缓冲层103的材料是氮镓铟和氮化铝，其中氮化铝材料可以根据外延层生长要求变更铝掺杂浓度(铝相对于氮化铝层的质量分数)。优选的，缓冲层103的厚度小于等于5um。如图2所示，缓冲层103为氮镓铝层111与氮镓铟层112依次交替层叠成长构成的超晶格层结构。其中，缓冲层103中第二层氮镓铝层111中的铝的掺杂浓度相对于第一层氮镓铝层111中的铝的掺杂浓度增加15％，第三层氮镓铝层111中的铝的掺杂浓度相对于第一层氮镓铝层111中的铝的掺杂浓度增加35％，第三层氮镓铝层111中的铝的掺杂浓度相对于第一层氮镓铝层111中的铝的掺杂浓度增加60％。缓冲层103中每一层氮镓铝层111中的铝的掺杂浓度可以是不固定的，每一层氮镓铝层111中铝的掺杂浓度的可以根据Ⅲ族氮化物外延层的生长需求进行调整，可以是不规律变化的。优选的，氮镓铝层111中铝的掺杂浓度不超过1。可以理解，在其他实施方式中，缓冲层103可以是一层氮镓铝层111与一层氮镓铟层112构成的两层结构、两层氮镓铝层111与一层氮镓铟层112构成的三层结构、一层氮镓铝层111与两层氮镓铟层112构成的三层结构、两层氮镓铝层111与两层氮镓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件，其特征在于，包括：衬底；籽晶层，所述籽晶层设在所述衬底的上部；缓冲层，所述缓冲层设置在所述籽晶层的上部，所述缓冲层包括氮镓铝层和氮镓铟层；以及Ⅲ族氮化物外延层，所述Ⅲ族氮化物外延层设置在所述缓冲层的上部。

【技术特征摘要】
1.一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件，其特征在于，包括：衬底；籽晶层，所述籽晶层设在所述衬底的上部；缓冲层，所述缓冲层设置在所述籽晶层的上部，所述缓冲层包括氮镓铝层和氮镓铟层；以及Ⅲ族氮化物外延层，所述Ⅲ族氮化物外延层设置在所述缓冲层的上部。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层包括单层氮镓铝层和单层氮镓铟层。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氮镓铝层和/或氮镓铟层为多层，且所述氮镓铟层与所述氮镓铝层交替层叠。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，当所述氮镓铝层有多层时，所述缓存层中的每一层氮镓铝层中铝的掺杂浓度是不同的，所述氮镓铝层中铝的掺杂浓度小于等于1。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。6.根据权利要求1所述的半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣善，李东键，骆薇薇，孙在亨，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44