一种半导体器件，包括衬底、绝缘层以及外延结构。第一衬底层掺杂有P型掺杂剂。第二衬底层掺杂有N型掺杂剂并且设置在第一衬底层的上方。绝缘层设置在第一衬底层的上方，并且与第二衬底层的至少一个侧面接触。绝缘层和第二衬底层共同覆盖第一衬底层的顶面...

本发明公开了一种靶材及GaN HEMT器件的制作方法。靶材用于在磁控溅射工艺中形成GaN HEMT器件的栅极，所述靶材的第一表面包括位于所述靶材的中心的中央凸起以及环绕所述中央凸起的至少一个环形凸起。本发明实施例可以降低GaN HEMT...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。半导体器件的制备方法包括：于衬底上形成第一外延结构，所述第一外延结构包括开口区；于所述第一外延结构远离所述衬底的一侧形成刻蚀阻挡层；去除所述刻蚀阻挡层位于所述开口区的部分；于所述开口区对应所述刻蚀...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，其中半导体器件包括：衬底；半导体外延层，位于衬底的一侧；半导体外延层内具有二维电子气的异质结；栅极结构，位于半导体外延层的栅极区；第一氮化硅层，位于半导体外延层的漂移区以及栅极...

本发明公开了一种GaN功率器件及其制备方法，GaN功率器件包括：依次层叠设置的衬底、二氧化硅层、成核层、缓冲层、超晶格层、高阻层、沟道层、势垒层和帽层。本发明可以提高垂直击穿电压，避免产生裂纹和凹陷，且成本较低。

本申请提供一种薄膜沉积设备传样装置及其传样方法，该传样装置包括反应室以及与反应室连通的传输室，传输室包括晶圆分离单元、存储单元、中转单元和移动结构。其中，晶圆分离单元可容置单一晶圆或单一晶圆环或单一晶圆体，用于使晶圆和晶圆环之间相互分离...

本发明公开了一种氮化镓器件及其制备方法，氮化镓器件包括：沟道层位于衬底之上；势垒层位于沟道层远离衬底的表面；栅极结构位于势垒层远离沟道层的表面；源极位于势垒层远离沟道层的表面，漏极位于势垒层远离沟道层的表面，或者，源极位于沟道层远离衬底...

本发明公开了一种氮化镓器件。该氮化镓器件包括：衬底；缓冲层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于缓冲层远离衬底的表面；缓冲层的第一表面为靠近衬底的表面，缓冲层的第二表面为缓冲层和沟道层接触的表面，缓冲层的第二表面侧的材料至少包括铝原子掺杂的Ⅲ...

本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件。该器件包括：衬底；第一缓冲层，第一缓冲层位于衬底之上，第一缓冲层为受主能级掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层；第二缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层远离衬底的表面，第二缓冲层为受主能级掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族...

本公开提供一种电连接到电池的电路系统。该电路系统包括调节电路、第一晶体管组和第二晶体管组。调节电路包括第一节点、第二节点和第三节点。第一节点电连接到电源，第二节点电连接到电池的阴极。第一晶体管组电连接到调节电路的第一节点和第三节点。第二...

本发明提供了一种氮化镓器件以及制备方法。该氮化镓器件包括：衬底；外延层，外延层位于衬底的表面，外延层依次包括沟道层和势垒层；栅极结构，栅极结构位于外延层远离衬底的表面，栅极结构包括平面部和凸起部，凸起部高于平面部设置，且凸起部环绕平面部...

本发明公开了一种半导体器件以及制备方法，半导体器件包括：衬底；第三氮化物半导体层，位于衬底的一侧，其具有第一表面，第一表面包括至少一个第一凹槽；第一氮化物半导体层，位于第三氮化物半导体层的第一表面；第一氮化物半导体层远离衬底一侧的表面在...

本发明提供一种电路系统、用于操作电路系统的方法，系统包括：第一晶体管，其栅极透过一第一节点电连接到一第一控制端子，其源极透过一第二节点电连接到一电源；第二晶体管，其栅极通过一第三节点电连接到一第二控制端子，其源极通过一第四节点电连接到一...

本发明公开了一种GaN器件的制备方法及GaN器件，制备方法包括：在衬底结构上形成氮化镓层；在所述氮化镓层的一侧形成AlGaN层；对所述AlGaN层进行清洗处理；通过氧气对清洗处理后的所述AlGaN层的表面进行等离子体处理。本发明可以降低...

本发明公开了一种氮化镓射频器件以及制备方法。该氮化镓射频器件包括：高阻衬底，高阻衬底的电阻率大于或等于1000Ω·cm，高阻衬底内掺杂有电中性原子，电中性原子的部分或者全部位于高阻衬底的晶格间隙中；电中性原子的掺杂浓度小于10<s...

本发明实施例公开一种半导体器件及半导体器件的制作方法。该半导体器件，包括：衬底；设置于所述衬底一侧的缓冲层；设置于所述缓冲层远离所述衬底一侧的电子传输层；设置于所述电子传输层远离所述衬底一侧的势垒层；设置于所述势垒层远离所述衬底一侧的电...

本揭露提供了一种电路系统及其制造及操作的方法。一种电路系统包含一功率电路及一操作电路。操作电路电性连接至功率电路。操作电路经组态以控制功率电路的操作、检测功率电路在操作中的一第一信号、以及响应于该第一信号对功率电路进行保护。

本发明提供了一种氮化镓器件结构，该氮化镓器件结构包括：氮化镓器件结构的有源区包括多个条形栅极、多个条形源极、多个条形漏极、桥接栅极和栅极导电连接结构；且条形源极和条形漏极之间设置一条形栅极；桥接栅极位于其连接的相邻两选定条形栅极之间的外...

本发明实施例公开一种半导体器件及半导体器件的制作方法。该半导体器件包括衬底；设置于衬底一侧的半导体掺杂层；设置于半导体掺杂层远离衬底一侧的栅极、源极和漏极；设置于栅极远离衬底一侧的场板；场板包括至少两层子场板；各子场板通过过孔连接；至少...

本申请提供一种晶体管结构及其制作方法、芯片，晶体管结构包括：衬底基板，以及沿远离衬底基板的方向依次层叠设置于衬底基板上的外延缓冲层、异质结膜层和栅极；晶体管结构还包括：场板，设置于栅极远离衬底基板的一侧；漏极互联金属层，设置于场板远离衬...