一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的制备方法，在衬底上制备背电极层；在所制得的背电极层上制备CIGS吸收层；将含有Cd离子的溶液喷淋于CIGS吸收层表面，并在100℃-500℃下加热10min-60min后取出；在CIGS吸收层上制备CdS缓冲层；在所制得的CdS缓冲层上制备窗口层；在窗口层上制备电极层，即得铜铟镓硒薄膜太阳能电池。本发明专利技术在制备CIGS吸收层后，通过在CIGS吸收层表面喷淋含Cd离子的溶液，然后经高温加热，使Cd离子向CIGS吸收层表面加速扩散，在CIGS吸收层表面浅层形成浅埋结，减少载流子在CIGS/CdS界面层的复合，增强铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的N型特性，提高电池转换效率达5-10％。

【技术实现步骤摘要】


本专利技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的制备方法。

技术介绍

随着经济社会的发展，人们对能源的需求也与日俱增。由于常规化石能源储量有限，污染环境。因此，发展利用新的清洁能源就成为解决常规能源匮乏，环境污染的唯一途径。由于太阳能取之不尽用之不竭，清洁无污染，是未来最理想最可持续的可再生能源。太阳能电池直接将光能转变为电能，是太阳能利用的一种重要方式。
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池具有高光吸收系数、高转化效率、可调的禁带宽度、高稳定性、较强的抗辐射能力等优点，目前转换效率已经超过多晶硅电池，并仍在不断获得新突破，是一种非常有发展潜力的薄膜太阳能电池。太阳能电池中的CIGS吸收层是一种P型半导体材料，这是由于太阳能电池所需的CIGS吸收层成分为贫Cu状态，薄膜内有大量的Cu空位VCu等受主缺陷存在。另外，研究表明：在CIGS吸收层的表面有一层几十纳米的(CuIn5Se8，CuIn3Se5，CuIn2Se3.5，Cu3In5Se9等)有序缺陷化合物(ODC)存在，它们为N型材料，可在CIGS表面浅层形成浅埋P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤一，在衬底上制备背电极层；步骤二，在所制得的背电极层上制备CIGS吸收层；步骤三，将含有Cd离子的溶液喷淋于CIGS吸收层表面，并在100℃‑500℃下加热10min‑60min后取出；步骤四，在步骤三中的CIGS吸收层上制备CdS缓冲层；步骤五，在所制得的CdS缓冲层上制备窗口层；步骤六，在窗口层上制备电极层，即得铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在
于，所述方法包括如下步骤：
步骤一，在衬底上制备背电极层；
步骤二，在所制得的背电极层上制备CIGS吸收层；
步骤三，将含有Cd离子的溶液喷淋于CIGS吸收层表面，并在100
℃-500℃下加热10min-60min后取出；
步骤四，在步骤三中的CIGS吸收层上制备CdS缓冲层；
步骤五，在所制得的CdS缓冲层上制备窗口层；
步骤六，在窗口层上制备电极层，即得铜铟镓硒(CIGS)薄膜太
阳能电池。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中
将CIGS吸收层放置于250-350℃下的扩散炉中加热25-45min取出。...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩安军，张庆钊，彭东阳，顾世海，李琳琳，
申请(专利权)人：北京汉能创昱科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11