本实用新型专利技术涉及电力生产领域，尤其涉及一种CIGS薄膜电池，基底，通过溅射法沉积钼在所述基底上的背接触件，通过共蒸镀法沉积在所述背接触件上的P型CIGS层，淀积在所述P型CIGS层上的N型CIGS层和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在所述N型CIGS层上的反射防止膜。本实用新型专利技术通过将P型CIGS层耦合到N型CIGS层，形成具有单一连接点的光吸收层，无需设置具有硫化镉的缓冲层，提高了太阳能电池性能，避免了有毒物质对薄膜及环境的污染。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电力生产领域，尤其涉及一种CIGS薄膜电池。
技术介绍
CIGS是太阳能薄膜电池CuInxGa(l-x) Se2的简写，具有稳定性好、抗福照性能好、成本低、效率高等优点，以被广泛应用于光伏产业中，目前，现有的CIGS薄膜电池一般包括具有硫化镉(CdS)的缓冲层，缓冲层CdS具有潜在的毒性，可造成薄膜和环境的污染，并可降低太阳能电池的性能。
技术实现思路
为了实现上述目的，本技术的一个目的是提供一种CIGS薄膜电池，以解决上述问题。本技术提供了一种CIGS薄膜电池，包括:基底，通过溅射法沉积钼在基底上的背接触件，通过共蒸镀法沉积在背接触件上的P型CIGS层，淀积在P型CIGS层上的N型CIGS层和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在N型CIGS层上的反射防止膜；背接触件与基底连接，P型CIGS层与背接触件连接，N型CIGS层与P型CIGS层连接，反射防止膜与N型CIGS层连接。进一步，基底为钠钙玻璃。进一步，N型CIGS层由混合的碱金属和砸化物构成。进一步，碱金属包括钠。进一步，砸化物包括Na2Se。进一步，反射防止膜的侧面设有栅电极。进一步，N型CIGS层上沉积有透明电极层。进一步，透明电极层为氧化锌薄膜。与现有技术相比本技术的有益效果是:通过将P型CIGS层耦合到N型CIGS层，形成具有单一连接点的光吸收层，无需设置具有硫化镉的缓冲层，提高了太阳能电池性能，避免了有毒物质对薄膜及环境的污染。【附图说明】图1是本技术CIGS薄膜电池一种实施例的结构示意图；图2是本技术CIGS薄膜电池另一种实施例的结构示意图。【具体实施方式】下面通过具体的实施例子并结合附图对本技术做进一步的详细描述。如图1、图2所示，图1是本技术CIGS薄膜电池一种实施例的结构示意图；图2是本技术CIGS薄膜电池另一种实施例的结构示意图。参图1所示，本实施例提供了一种CIGS薄膜电池，包括基底1，通过溅射法沉积钼在基底I上的背接触件2，通过共蒸镀法沉积在背接触件2上的P型CIGS层31，淀积在P型CIGS层上的N型CIGS层32，P型CIGS层31及N型CIGS层32组成光吸收层3，和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在N型CIGS层32上的反射防止膜4。本实施例通过将P型CIGS层31耦合到N型CIGS层32，形成具有单一连接点的光吸收层3，无需设置具有硫化镉的缓冲层，提高了太阳能电池性能，避免了有毒物质对薄膜及环境的污染。在本实施例中，基底I可采用钠钙玻璃。在本实施例中，使用溅射法形成的钼(Mo)薄膜具有低电阻率的电极和较大的粘接力，可以防止由于在热膨胀系数差造成的背接触件2与基底I的剥离。在本实施例中，N型CIGS层32由混合的碱金属和砸化物构成，其中，碱金属包括钠(Na)ο在本实施例中，砸化物包括Na2Se。在本实施例中，反射防止膜4的侧面设有栅电极5，将栅电极5设置在反射防止膜4的侧面可以增加太阳光的吸收率，提高太阳能电池的效率。参图2所示，沉积光吸收层3和反射防止膜4之间设有具有高光透射率和高导电性的透明电极层6，透明电极层6沉积在N型CIGS层32上。在本实施例中，透明电极层6为氧化锌(ZnO)薄膜，ZnO薄膜可以与Al或B掺杂以获得更小的电阻值。在本实施例中，还可采用在氧化锌(ZnO)薄膜沉积铟锡氧化物(ITO)的双层结构，以获得更优良的电光学特性。虽然本专利技术已经描述了关于具体实施例，但将显而易见的本领域技术人员进行各种变化和修改可以做出而不脱离本专利技术的精神和范围如在下面的权利要求限定。上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本技术的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本技术的保护范围，凡未脱离本技术技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本技术的保护范围之内。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。【主权项】1.一种CIGS薄膜电池，其特征在于，包括:基底，通过溅射法沉积钼在所述基底上的背接触件，通过共蒸镀法沉积在所述背接触件上的P型CIGS层，淀积在所述P型CIGS层上的N型CIGS层和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在所述N型CIGS层上的反射防止膜；所述背接触件与所述基底连接，所述P型CIGS层与所述背接触件连接，所述N型CIGS层与所述P型CIGS层连接，所述反射防止膜与所述N型CIGS层连接。2.根据权利要求1所述的CIGS薄膜电池，其特征在于，所述基底为钠钙玻璃。3.根据权利要求2所述的CIGS薄膜电池，其特征在于，所述碱金属包括钠。4.根据权利要求3所述的CIGS薄膜电池，其特征在于，所述砸化物包括Na2Se。5.根据权利要求4所述的CIGS薄膜电池，其特征在于，所述反射防止膜的侧面设有栅电极。6.根据权利要求1至5任一项所述的CIGS薄膜电池，其特征在于，所述N型CIGS层上沉积有透明电极层。7.根据权利要求6所述的CIGS薄膜电池，其特征在于，所述透明电极层为氧化锌薄膜。【专利摘要】本技术涉及电力生产领域，尤其涉及一种CIGS薄膜电池，基底，通过溅射法沉积钼在所述基底上的背接触件，通过共蒸镀法沉积在所述背接触件上的P型CIGS层，淀积在所述P型CIGS层上的N型CIGS层和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在所述N型CIGS层上的反射防止膜。本技术通过将P型CIGS层耦合到N型CIGS层，形成具有单一连接点的光吸收层，无需设置具有硫化镉的缓冲层，提高了太阳能电池性能，避免了有毒物质对薄膜及环境的污染。【IPC分类】H01L31/04, H01L31/055, H01L31/0216【公开号】CN204614795【申请号】CN201420814184【专利技术人】张明宇, 安娜 【申请人】云南能投能源产业发展研究院【公开日】2015年9月2日【申请日】2014年12月20日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种CIGS薄膜电池，其特征在于，包括：基底，通过溅射法沉积钼在所述基底上的背接触件，通过共蒸镀法沉积在所述背接触件上的P型CIGS层，淀积在所述P型CIGS层上的N型CIGS层和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在所述N型CIGS层上的反射防止膜；所述背接触件与所述基底连接，所述P型CIGS层与所述背接触件连接，所述N型CIGS层与所述P型CIGS层连接，所述反射防止膜与所述N型CIGS层连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张明宇，安娜，
申请(专利权)人：云南能投能源产业发展研究院，
类型：新型
国别省市：云南;53
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