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本发明主要目的系一种双层高导电及高附着之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池，此技术方法于使用真空溅镀法在高低压下制作高导电性及高附着之双层钼背电极，其目的在于大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率，且提高铜铟镓硒太阳能电池的短路电流，进而达...
该专利属于吉富新能源科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉富新能源科技(上海)有限公司授权不得商用。

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