芯片装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的各个实施例涉及芯片装置及其制造方法。该芯片装置包括载体和被布置在载体之上的至少两个芯片，其中在该至少两个芯片之间以及在载体与至少两个芯片中的至少一个芯片之间布置有连续绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

各个实施例涉及一种芯片装置(chip arrangement)和制造芯片装置的方法。
技术介绍
在本领域中，制造芯片装置的方法，尤其是制造多芯片装置的方法已经是众所周知的。在多芯片装置的情况下，通常多个芯片被侧对侧(side-by-side)地或者芯片对芯片(chip-by-chip)地布置，并且通过接触线、导体、键合接线等接触。在这类多芯片装置中，单个芯片之间的电绝缘非常重要，以便保持芯片装置的运行。因此，需要一种制造在不同芯片之间提供充分绝缘的多芯片装置的方法。
技术实现思路
各个实施例提供了一种芯片装置，该芯片装置包括:载体；以及，布置在载体之上的至少两个芯片；其中连续绝缘层布置在至少两个芯片之间并且布置在载体与至少两个芯片中的至少一个芯片之间。此外，各个实施例提供了一种芯片装置，该芯片装置包括:载体；布置在载体上的第一芯片；以及，布置在连续绝缘层上并且布置在第一芯片旁边的第二芯片，其中连续绝缘层布置在第一芯片上。而且，各个实施例提供了一种制造芯片装置的方法，该方法包括在载体上布置第一芯片；在连续绝缘层上布置第二芯片；以及，在布置在载体上的第一芯片上布置连续绝缘层。【本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片装置，包括：载体；以及被布置在所述载体之上的至少两个芯片；其中连续绝缘层被布置在所述至少两个芯片之间以及在所述载体与所述至少两个芯片中的至少一个芯片之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·马勒，P·施特罗贝尔，E·富尔古特，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT