一种平坦的LED倒装高压芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种平坦的LED倒装高压芯片，包括衬底，所述衬底上表面设置有多个间隔设置的芯片单元，所述芯片单元上部设置有电极，所述芯片单元之间的电极通过第一金属层串联连接，所述LED倒装高压芯片上还设置有用于引出电极的第二金属层，所述LED倒装高压芯片上设置有由流质固化而成的平坦化绝缘层。对比现有技术，本发明专利技术的LED倒装高压芯片通过由流质固化而成的平坦化绝缘层，平坦芯片表面高度差，增加焊接良率；同时由于对LED倒装高压芯片平坦化，深刻蚀角度可以做成直角，减少被刻蚀外延面积，增大发光有效面积；另外平坦化的LED倒装高压芯片可以不用考虑之前深刻蚀处绝缘性能不良导致的漏电问题，以及斜坡处的电极厚度过薄造成的电压高等问题。

A flat LED flip chip

The invention discloses a high-voltage LED flip chip, including flat substrate, the surface of the substrate is provided with a plurality of spaced apart chip unit, the upper part of the chip unit is arranged between the electrode and the electrode chip unit connected in series by a first metal layer, the LED flip chip is also provided with a high pressure for the second metal layer electrodes, the LED flip chip is provided by high pressure liquid solidified into the planarization insulating layer. Compared with the prior art, the invention of LED flip chip high voltage by liquid solidified into the planarization insulating layer, flat chip surface height difference, increase welding yield; at the same time as the LED flip chip high planarization, deep etching angle can be made into a right angle, reduce the etching extension area, effectively increasing luminous area; another LED flip chip high planarization can not be considered before deep etching at the problem of leakage caused by bad insulation performance, and the thickness of electrode voltage at the high slope caused by the thin.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片领域，具体涉及一种平坦的LED倒装高压芯片。
技术介绍
目前，随着科技的发展，LED芯片应用越来越广泛，其中倒装的LED芯片由于可避免对发光造成干扰，愈来愈受到人们的青睐，但是，LED倒装高压芯片由于其结构中包括多个串联连接的芯片单元，制作时需在芯片单元间做深刻蚀，而做了深刻蚀以后，LED倒装高压芯片表面存在深达6-7um的高度差，这对锡膏焊来说极易产生焊接缺陷。所以急需一种方法使LED倒装高压芯片制备成为一种表面平坦的芯片。
技术实现思路
为此，本专利技术提出一种平坦的LED倒装高压芯片。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种平坦的LED倒装高压芯片，包括衬底，所述衬底上表面设置有多个间隔设置的芯片单元，所述芯片单元上部设置有电极，所述芯片单元之间的电极通过第一金属层串联连接，所述LED倒装高压芯片上还设置有用于引出电极的第二金属层，所述LED倒装高压芯片上设置有由流质固化而成的平坦化绝缘层。进一步的，所述平坦化绝缘层设置在衬底与第一金属层之间。进一步的，所述平坦化绝缘层设置在第一金属层与第二金属层之间。进一步的，所述平坦化绝缘层同时设置在衬底与第一金属层之间、第一金属层与第二金属层之间。进一步的，所述平坦化绝缘层为树脂、光刻胶、旋图玻璃、无机透明氧化物。进一步的，所述无机透明氧化物为SiO2、Al2O3、Si3N4。本专利技术的有益效果是：对比现有技术，本专利技术的LED倒装高压芯片通过由流质固化而成的平坦化绝缘层，平坦芯片表面高度差，增加焊接良率；同时由于对LED倒装高压芯片平坦化，深刻蚀角度可以做成直角，减少被刻蚀外延面积，增大发光有效面积；另外平坦化的LED倒装高压芯片可以不用考虑之前深刻蚀处绝缘性能不良导致的漏电问题，以及斜坡处的电极厚度过薄造成的电压高等问题。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术现有技术倒装高压芯片的结构示意图；图2是本专利技术实施例一的结构示意图；图3是本专利技术实施例二的结构示意图图4是本专利技术实施例三的结构示意图。具体实施方式下面结合图1至图4，分别对本专利技术的三个实施例进行详细的介绍。图1为现有技术中的一种LED倒装高压芯片。参照图1，现有的LED倒装高压芯片包括衬底1，所述衬底1上依次设置有外延层、反射层，所述外延层和反射层通过刻蚀形成多个独立的芯片单元2，所述芯片单元2上分别设置有电极21。刻蚀后的LED倒装高压芯片表面凹凸不平，存在6-7um的高度差，LED倒装高压芯片表面再通过蒸镀工艺依次设置有第一绝缘层4、第一金属层22、第二绝缘层5和第二金属层23，其中，芯片单元2上的电极通过第一金属层21串联连接，第二金属层23为LED倒装高压芯片的引出电极。但是，通过蒸镀工艺设置的绝缘层或金属层无法消除LED倒装高压芯片表面的高度差问题，这对锡膏焊来说极易产生焊接缺陷，同时，由于高度差的存在也影响作为电极的金属层的性能，容易造成漏电或电压高等问题。图2为本专利技术的实施例一附图。参照图2，本专利技术的LED倒装高压芯片包括衬底1，所述衬底1上表面设置有多个间隔设置的芯片单元2，所述芯片单元2上部设置有电极21，所述芯片单元2之间的电极通过第一金属层22串联连接，所述LED倒装高压芯片上还设置有用于引出电极的第二金属层23，在本实施例中，所述衬底1与第一金属层22之间、第一金属层22与第二金属层23之间分别设置有由流质固化而成的平坦化绝缘层3，取代现有技术中通过蒸镀形成的第一绝缘层4和第二绝缘层5，利用液态材料的流动特性填补LED倒装高压芯片表面的不平，消除高度差及短路问题。进一步的，所述平坦化绝缘层3可以是树脂、光刻胶、旋图玻璃、无机透明氧化物等物质，其中，所述树脂不吸光，耐高温，制备后需做一次光刻做出图形；所述光刻胶不吸光，耐高温，形貌为正梯形；所述旋图玻璃旋图在芯片表面后，需对所述旋图玻璃平坦化后，再对所述旋图玻璃做一次光刻做出图形；所述无机透明氧化物绝缘性能良好，可以为SiO2、Al2O3、Si3N4，所述无机透明氧化物，最低厚度需达到反射层高度，所述无机透明氧化物制备好后，需对所述无机透明氧化物平坦化后，再对所述无机透明氧化物做一次光刻做出图形。图3为本专利技术的实施例二附图。参照图3，所述LED倒装芯片包括衬底1，所述衬底1上表面设置有多个间隔设置的芯片单元2，所述芯片单元2上部设置有电极21，所述芯片单元2之间的电极21通过第一金属层22串联连接，所述LED倒装高压芯片上还设置有用于引出电极21的第二金属层23，在本实施例中，所述衬底1与第一金属层22之间设置有由流质固化而成的平坦化绝缘层3，取代现有技术中通过蒸镀形成的第一绝缘层4，利用液态材料的流动特性填补LED倒装高压芯片表面的不平，消除第一金属层22与芯片单元2之间易短路的问题。图4为本专利技术的实施例二附图。参照图4，所述LED倒装芯片包括衬底1，所述衬底1上表面设置有多个间隔设置的芯片单元2，所述芯片单元2上部设置有电极21，所述芯片单元2之间的电极21通过第一金属层22串联连接，所述LED倒装高压芯片上还设置有用于引出电极21的第二金属层23，在本实施例中，所述第一金属层22与第二金属层23之间设置有由流质固化而成的平坦化绝缘层3，取代现有技术中通过蒸镀形成的第二绝缘层5，利用液态材料的流动特性填补LED倒装高压芯片表面的不平，消除第一金属层22与第二金属层23之间易短路及表面的高度差问题。对比现有技术，本专利技术的LED倒装高压芯片通过由流质固化而成的平坦化绝缘层3，平坦芯片表面高度差，增加焊接良率；同时由于对LED倒装高压芯片平坦化，深刻蚀角度可以做成直角，减少被刻蚀外延面积，增大发光有效面积；另外平坦化的LED倒装高压芯片可以不用考虑之前深刻蚀处绝缘性能不良导致的漏电问题，以及斜坡处的电极21厚度过薄造成的电压高等问题。本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了相互排斥的特征和 / 或步骤以外，均可以以任何方式组合，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换，即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个实施例而已。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平坦的LED倒装高压芯片，包括衬底（1），所述衬底（1）上表面设置有多个间隔设置的芯片单元（2），所述芯片单元（2）上部设置有电极（21），所述芯片单元（21）之间的电极通过第一金属层（22）串联连接，所述LED倒装高压芯片上还设置有用于引出电极（21）的第二金属层（23），其特征在于：所述LED倒装高压芯片上设置有由流质固化而成的平坦化绝缘层（3）。

【技术特征摘要】
1.一种平坦的LED倒装高压芯片，包括衬底（1），所述衬底（1）上表面设置有多个间隔设置的芯片单元（2），所述芯片单元（2）上部设置有电极（21），所述芯片单元（21）之间的电极通过第一金属层（22）串联连接，所述LED倒装高压芯片上还设置有用于引出电极（21）的第二金属层（23），其特征在于：所述LED倒装高压芯片上设置有由流质固化而成的平坦化绝缘层（3）。2.根据权利要求1所述的一种平坦的LED倒装高压芯片，其特征在于：所述平坦化绝缘层（3）设置在衬底（1）与第一金属层（22）之间。3.根据权利要求1所述的一种平坦的LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，郝锐，李玉珠，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44