一种高压覆晶LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高压覆晶LED芯片，包括衬底，其中：所述的衬底上端面依次设有缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、ITO层和增透膜，衬底底部依次设有绝缘膜导热焊盘和热扩散件，不同的LED芯片单元通过隔离槽进行隔离，隔离槽内填充有绝缘荧光层，N型层和P型层上分别设有N型电极和P型电极，电极之间通过连接桥相连。本实用新型专利技术提供了一种高压覆晶LED芯片，能够改善高压LED芯片散热问题，并且能有效降低由折射率突变引起的反射损耗和光线的全内反射，从而提高出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED芯片，具体涉及一种高压覆晶LED芯片，属于LED照明

技术介绍
LED是一种节能、环保和长寿命、无污染的发光器件，现有公知的高压LED由于ITO层的折射率较大，大量的光线因全内反射而转换为热量损耗掉。同时，由于界面折射率的突变引起光线的反射损耗，从而对高压的LED的出光效率造成不良影响，此外，LED芯片大多生长的蓝宝石衬底上，主要通过传导散热，而蓝宝石衬底由于较厚，所以热量难于导出，热量聚集在芯片会影响芯片可靠性，增加光衰和减少芯片寿命。
技术实现思路
本技术提供了一种高压覆晶LED芯片，能够改善高压LED芯片散热问题，并且能有效降低由折射率突变引起的反射损耗和光线的全内反射，从而提高出光效率。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种高压覆晶LED芯片，包括衬底，其中：所述的衬底上端面依次设有缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、ITO层和增透膜，衬底底部依次设有绝缘膜导热焊盘和热扩散件，不同的LED芯片单元通过隔离槽进行隔离，隔离槽内填充有绝缘荧光层，N型层和P型层上分别设有N型电极和P型电极，电极之间通过连接桥相连。上述的衬底上至少包括两个及以上的LED芯片单元，各个芯片单元之间通过连接桥进行串联。从而实现在高压电流下使用。上述的热扩散件为板式结构，其中底面设有高压绝缘层，总面积大于LED晶片的面积。上述的绝缘荧光层由绝缘材料和荧光材料制备而成，绝缘材料可以采用通常使用的SiO或者其它绝缘类材料。该材料具有发光效率高，填洞能力强，平整度高，绝缘性能好的特点。上述的增透膜采用SiON材料，厚度为LED发光波长的四分之一。最好的增透膜材料的折射率应尽量接近1.58，而SiON的折射率可以实现1.6-1.7的范围内可调一般为1.58-1.71，因此SiON是目前最为优秀的增透膜材料，可以实现较好的反射性能；并且在此厚度下，能够实现最佳的增透效果。上述的增透膜除覆盖ITO层上方外，还覆盖ITO层上表面至N型层的侧面，且ITO层上方的增透膜具有圆柱状微结构。上述的绝缘膜为陶瓷绝缘膜，采用气相沉积方法固定于衬底的下面。采用气相沉积法生成的陶瓷绝缘膜，致密、绝缘性好、导热性高。本技术至少具有如下技术效果或优点：能够改善高压LED芯片散热问题，并且能有效降低由折射率突变引起的反射损耗和光线的全内反射，从而提高出光效率；采用可融入芯片工艺的发光薄膜作为绝缘层，其布局合理、结构新颖，绝缘荧光层发光效率高、填洞能力强、平整度高、绝缘性能好。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例的结构示意图。图1中，1、热扩散件，2、导热焊盘，3、绝缘膜，4、衬底，5、缓冲层，6、N型层，7、量子阱层，8、P型层，9、ITO层，10、增透膜，11、绝缘荧光层，12、连接桥，13、隔离槽，14、N型电极，15、P型电极。具体实施方式为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。如图1所示，一种高压覆晶LED芯片，包括衬底4，其中：衬底4端面依次设有缓冲层5、N型层6、量子阱层7、P型层8、ITO层9和增透膜10，衬底4底部依次设有绝缘膜3、导热焊盘2和热扩散件1，不同的LED芯片单元通过隔离槽13进行隔离，隔离槽13内填充有绝缘荧光层11，N型层6和P型层8上分别设有N型电极14和P型电极15，电极之间通过连接桥12相连。其中，在实际应用中，所述的衬底4上至少包括两个及以上的LED芯片单元，各个芯片单元之间通过连接桥12进行串联。其中，在实际应用中，所述的热扩散件1为板式结构，其中底面设有高压绝缘层，总面积大于LED晶片的面积。其中，在实际应用中，所述的绝缘荧光层11由绝缘材料和荧光材料制备而成，绝缘材料可以采用通常使用的SiO2或者其它绝缘类材料。其中，在实际应用中，所述的增透膜10采用SiON材料，厚度为LED发光波长的四分之一。其中，在实际应用中，所述的增透膜10除覆盖ITO层9上方外，还覆盖ITO层9上表面至N型层6的侧面，且ITO层9上方的增透膜10具有圆柱状微结构。其中，在实际应用中，所述的绝缘膜3为陶瓷绝缘膜，采用气相沉积方法固定于衬底4的下面。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，虽然本技术已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本技术，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围内，当可利用上述揭示的
技术实现思路
作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压覆晶LED芯片，包括衬底(4)，其特征在于：衬底(4)端面依次设有缓冲层(5)、N型层(6)、量子阱层(7)、P型层(8)、ITO层(9)和增透膜(10)，衬底(4)底部依次设有绝缘膜(3)、导热焊盘(2)和热扩散件(1)，不同的LED芯片单元通过隔离槽(13)进行隔离，隔离槽(13)内填充有绝缘荧光层(11)，N型层(6)和P型层(8)上分别设有N型电极(14)和P型电极(15)，电极之间通过连接桥(12)相连。

【技术特征摘要】
1.一种高压覆晶LED芯片，包括衬底(4)，其特征在于：衬底(4)端面依次设有缓冲层(5)、N型层(6)、量子阱层(7)、P型层(8)、ITO层(9)和增透膜(10)，衬底(4)底部依次设有绝缘膜(3)、导热焊盘(2)和热扩散件(1)，不同的LED芯片单元通过隔离槽(13)进行隔离，隔离槽(13)内填充有绝缘荧光层(11)，N型层(6)和P型层(8)上分别设有N型电极(14)和P型电极(15)，电极之间通过连接桥(12)相连。2.根据权利要求1所述的一种高压覆晶LED芯片，其特征在于：所述的衬底(4)上至少包括两个及以上的LED芯片单元，各个芯片单元之间通过连接桥(12)进行串联。3.根据权利要求1所述的一种高压覆晶LED芯片，其特征在于：所述的热扩散件(1)为板式结构，其中底...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈锦全，
申请(专利权)人：肇庆市欧迪明科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44