正装覆晶LED芯片封装体、封装方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种正装覆晶LED芯片封装体、封装方法及其应用，其包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜，所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏，外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层，N电子层设于透明衬底上，该N电子层具有高端及低端，所述P电子层设于该N电子层的高端上，该P电子层上设有P电极，N电极的低端上设有N电极，该P电极的顶端与N电极的顶端平齐，P电极及N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8‑1/3，该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上，所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。本发明专利技术制程简单，导热性好，封装成本较低，可利于快速大量化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管的
，特别是指一种正装覆晶LED芯片封装提、封装工艺及其应用。
技术介绍
目前，常见的LED 灯内部的芯片有两种，一种是正装芯片，另一种是倒装芯片。正装芯片电极在上方，从上至下材料为：P 电极，发光层，N 电极，衬底。现有正装LED 芯片需要进行金线焊接制程，其成本高，且制程会因封装的热胀冷缩导致金线易虚焊断路， 金线遮光发光亮度较低 ，同时由于金线的焊点较小，会使导热性较差。为了提高芯片的发光效率，技术人员研发了倒装芯片。倒装芯片的衬底被剥去，芯片材料是透明的，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出。倒装芯片虽然在发光效率上存在优势，但倒装芯片的价格较高，制备LED 灯丝的工艺也更复杂，造成生产成本的大幅上升。目前，市面上一些已有的正装倒置芯片的LED，其需要先在线路及芯片电极进行锡膏点焊后抛光，同时由于芯片电极面小，如此点焊制程良率均匀性不高，且在贴附时，很容易发生锡膏与电极点未接触的情况，导致芯片与电路之间无法导通，进而导致LED 芯片出现次品，依然使生产成本难以降低，另外该制程较为耗时，不利大量生产。有鉴于此，本设计人针对上述LED芯片设计上未臻完善所导致的诸多缺失及不便，而深入构思，且积极研究改良试做而开发设计出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种制程简单，导热性好，封装成本较低，可利于快速大量化生产的正装覆晶LED芯片封装体、封装方法及其应用。为了达成上述目的，本专利技术的解决方案是：一种正装覆晶LED芯片封装体，其包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜，所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏，所述外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层，所述N电子层设于透明衬底上，该N电子层具有高端及低端，所述P电子层设于该N电子层的高端上，该P电子层上设有P电极，N电极的低端上设有N电极，该P电极的顶端与N电极的顶端平齐，所述P电极及所述N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8-1/3，该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上，所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。进一步，所述N电极及P电极为方形。进一步，所述N电极及P电极的材料为金属：金、银、镍、铝中的任意一种。一种如所述正装覆晶LED芯片封装体的应用，该正装覆晶LED芯片封装体应用于点状光源、条状光源或面状光源中的任意一种。一种正装覆晶LED芯片封装体的封装方法，包括以下步骤：A：于透明基板对应LED芯片大小的线路宽度焊盘上，进行银胶或锡膏的涂覆，银胶或锡膏的涂覆面积为外延芯片光罩面积的1/8-1/3；B：利用固晶机将外延权芯片覆晶在相应对位涂有银胶或锡膏的线路上，该外延芯片的P电极及N电极的电极面积为该外延芯片光罩面积的1/8-1/3；C：进行预成型支架的贴合；D：进行回焊或烘烤；E：进行荧光粉的涂布；F：进行烘烤；G：将烘烤完成的基板进行裁切。进一步，步骤B中，所述银胶或锡膏是通过印刷或者涂布的方式涂覆在基板上。进一步，步骤E、F中，所述荧光粉的涂布是利用贴膜压合、热转印、点胶、膜顶或印刷中的任意一种方式。进一步，步骤G中，所述烘烤是利用红外线或者智能控烤箱进行烘烤。进一步，步骤H中，所述切割是利用激光或者钻石刀切割机进行切割。采用上述结构后，本专利技术正装覆晶LED芯片封装体、封装方法与应用主要是利用特别设计的加大电极的外延芯片及把该外延芯片具有电极高度差的一端电极进行电极化镀金制程，让外延芯片电极具有较大的面积及同一高度，如此直接利用印刷方式可以快速的将导电的连接材料覆上，增加制程简易化，同时芯片的大电极配合，解决了现有正装封装的制程繁复，且导热较差等缺点，并可利于快速大量化生产，与现有芯片的小电极构造需要金线焊接的封装方式完全不同。附图说明图1为本专利技术外延芯片的正视图。图2为本专利技术外延芯片的侧视图。图3为本专利技术线路基板的侧视图。图4为本专利技术线路基板的俯视图。图5为图4的局部放大图。图6为本专利技术于线路基板上印刷银胶或锡膏的侧视图。图7为图6的局部俯视放大图。图8为本专利技术覆晶外延芯片的侧视图。图9为图8的局部俯视放大图。图10为本专利技术覆荧光胶膜的侧视图。图11为图10的局部放大示意图。具体实施方式为了进一步解释本专利技术的技术方案，下面通过具体实施例来对本专利技术进行详细阐述。如图1至图11所示，本专利技术揭示了一种正装覆晶LED芯片封装体，其包括具有线路11的基板1（如图3至图5所示）、外延芯片2（如图1及图2所示）、及荧光胶膜3（如图10及图11所示），所述线路基板1上印刷有导电银胶或锡膏4，所述外延芯片2具有透明衬底21、N电子层22及P电子层23，所述N电子层22设于透明衬底21上，该N电子层22具有高端及低端，所述P电子层23设于该N电子层22的高端上，该P电子层23上设有P电极231，N电极221的低端上设有N电极221，该P电极231的顶端与N电极221的顶端平齐，如图所示，N电极221与P电极231可呈对角线设置，且分别为方形，所述N电极221及P电极231的材料为金属：金、银、镍、铝中的任意一种，电极221、231的设置位置及形状，并不以此为限，所述P电极231及所述N电极221的面积分别占该外延芯片2光罩面积的1/8-1/3，该外延芯片2的P电极231及N电极221覆晶在线路基板1的导电银胶或锡膏4上，所述荧光胶膜3贴覆在线路基板1及外延芯片2的透明衬底21顶部。上述正装覆晶LED芯片封装体可应用于点状光源（单个LED芯片封装体）、条状光源（即线性光源，将多个LED芯片封装体排成一行）或面状光源（按照不同排列组合形式多行多列，发出各种形状面的光,，形成一个面）。一种正装覆晶LED芯片封装体的封装方法，包括以下步骤：A：于透明基板对应LED芯片大小的线路宽度焊盘上，进行银胶或锡膏的涂覆，银胶或锡膏的涂覆面积为外延芯片光罩面积的1/8-1/3；B：利用固晶机将外延芯片覆晶在相应对位涂有银胶或锡膏的线路上，该外延芯片的P电极及N电极的电极面积为该外延芯片光罩面积的1/8-1/3；C：进行预成型支架的贴合；D：进行回焊或烘烤；E：进行荧光粉的涂布；F：进行烘烤；G：将烘烤完成的基板进行裁切。步骤B中，所述银胶或锡膏是通过印刷或者涂布的方式涂覆在基板上。步骤F中，所述荧光粉的涂布是利用贴膜压合、热转印、点胶、膜顶或印刷中的任意一种方式。步骤G中，所述烘烤是利用红外线或者智能控烤箱进行烘烤。步骤H中，所述切割是利用激光或者钻石刀切割机进行切割。本专利技术正装覆晶LED芯片封装体、封装方法与应用主要是利用特别设计的加大电极的外延芯片及把该外延芯片具有电极高度差的一端电极进行电极化镀金制程，让外延芯片电极具有较大的面积及同一高度，如此直接利用印刷方式可以快速的将导电的连接材料覆上，增加制程简易化，同时芯片的大电极配合，解决了现有封装的成本高，制程繁复，且导热较差等缺点，并可利于快速大量化生产，与现有芯片的小电极构造需要金线焊接的封装方式完全不同。上述实施例和图式并非限定本专利技术的产品形态和式样，任何所属
的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本专利技术的专利范畴。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正装覆晶LED芯片封装体，其包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜，所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏，所述外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层，所述N电子层设于透明衬底上，该N电子层具有高端及低端，所述P电子层设于该N电子层的高端上，该P电子层上设有P电极，N电极的低端上设有N电极，该P电极的顶端与N电极的顶端平齐，所述P电极及所述N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8‑1/3，该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上，所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。

【技术特征摘要】
1.一种正装覆晶LED芯片封装体，其包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜，所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏，所述外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层，所述N电子层设于透明衬底上，该N电子层具有高端及低端，所述P电子层设于该N电子层的高端上，该P电子层上设有P电极，N电极的低端上设有N电极，该P电极的顶端与N电极的顶端平齐，所述P电极及所述N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8-1/3，该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上，所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。2.如权利要求1所述的正装覆晶LED芯片封装体，其特征在于：所述N电极及P电极的材料为金属：金、银、镍、铝中的任意一种。3.一种如权利要求1所述的正装覆晶LED芯片封装体的应用，其特征在于：该正装覆晶LED芯片封装体应用于点状光源、条状光源或面状光源中的任意一种。4.一种如权利要求1所述的正装覆晶LED芯片封装体的封装方法，包括以下步骤：A：于透明基板对应LED芯片大...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑敏，
申请(专利权)人：厦门忠信达工贸有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35