覆晶式发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种覆晶式发光二极管封装结构，包含：一LED晶粒，在该LED晶粒的表面上设有二分开的指状铝或铜电极层、一反光层其以PVD或CVD形成而覆盖设在该电极层上、及二镍金或铜金凸块分别形成在该二电极层的一预定位置上并露出于该反光层外供作为焊垫；一LED载板，其表面设有至少二分开的表面粘着用接点供可凭借表面粘着工艺将该LED晶粒的二镍金或铜金凸块对应连结在该二分开的接点上，以形成一减少贵金属用量以降低制作成本的覆晶式LED封装结构；本发明专利技术更在该LED晶粒外围区以喷涂或模制形成一具均匀厚度且具荧光材的封装胶层，使该LED晶粒得通过该封装胶层的混光作用以形成白光或其他颜色光，以节省荧光材成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种覆晶式发光二极管(LED)封装结构，尤指一种在该LED晶粒的表面上包含二分开的铝或铜电极层、一反光层形成并覆盖在该电极层上及二镍金或铜金凸块分别形成在该二电极层的一预定位置上并露出于该反光层外以供作为焊垫(bondpad)；该LED晶粒的二镍金或铜金凸块再凭借表面粘着工艺(SMT)对应连结至一LED载板的表面上所设二分开的接点，以形成一减少贵金属用量以降低制作成本的覆晶式LED封装结构。
技术介绍
在有关覆晶式发光二极管(flip-chipLED)如氮化镓LED结构或发光二极管的反光层的制造方法或覆晶式封装结构等
中，目前已存在多种
技术介绍
，如：US8,211,722、US6,914,268、US8,049,230、US7,985,979、US7,939,832、US7,713,353、US7,642,121、US7,462,861、US7,393,411、US7,335,519、US7,294,866、US7,087,526、US5,557,115、US6,514,782、US6,497,944、US6,791,119、US2011/0014734、US2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于，包含：一LED晶粒，在该LED晶粒的正面上设有：二分开且电性绝缘的电极层，其中该电极层以铝或铜构成；一反光层形成设于该电极层上并覆盖在该电极层上，并在该二分开的电极层上各保留一预定位置未被该反光层所覆盖；及二分开的凸块，其分别形成于该二分开的电极层上且未被该反光层所覆盖的预定位置上，其中该凸块以镍金或铜金形成，供作为表面粘着工艺时的焊垫使用。

【技术特征摘要】
1.一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于，包含：一LED晶粒，在该LED晶粒的正面上设有：二分开且电性绝缘的电极层，其中该电极层以铝或铜构成；一反光层形成设于该电极层上并覆盖在该电极层上，并在该二分开的电极层上各保留一预定位置未被该反光层所覆盖；及二分开的凸块，其分别形成于该二分开的电极层上且未被该反光层所覆盖的预定位置上，其中该凸块以镍金或铜金形成，供作为表面粘着工艺时的焊垫使用。2.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：进一步包含一LED载板，其中该LED载板的表面上设有二分开且电性绝缘的SMT接点，再利用表面粘着工艺使该LED晶粒上由镍金或铜金构成的二凸块能凭借导电胶以对应连结在该LED载板的表面上所设二分开的SMT接点上。3.如权利要求2所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于：该LED晶粒与该LED载板之间进一步充填有胶材层，该胶材层填满该LED晶粒与该载板之间的空...

【专利技术属性】
技术研发人员：璩泽中，宋大崙，赖东昇，
申请(专利权)人：茂邦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：萨摩亚;WS