薄膜封装基板、薄膜覆晶封装体以及薄膜覆晶封装方法技术

本发明专利技术揭露了一种薄膜封装基板，包含可挠性基材及多条导线，其中可挠性基材具有第一表面，且第一表面上具有芯片接合区。多条导线设置于第一表面上，各导线具有内引脚延伸至芯片接合区内。可挠性基材上具有多个骑缝孔，位于芯片接合区内并围绕出移除区域。本发明专利技术另外揭露了一种薄膜覆晶封装体以及薄膜覆晶封装方法，可应用上述的薄膜封装基板，在不影响薄膜覆晶封装体的厚度下增加其散热效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种薄膜封装基板、使用此薄膜封装基板的薄膜覆晶封装结构及薄膜覆晶封装方法，并且特别地，本专利技术关于一种可增加散热效果的薄膜封装基板、使用此薄膜封装基板的薄膜覆晶封装结构及薄膜覆晶封装方法。
技术介绍
薄膜覆晶(Chip On Film,COF)封装结构乃是一种将芯片封装于可挠性基板或是软性基板的技术，一般常用于液晶显示器中的驱动IC的封装之用。请参阅图1，图1绘示现有技术的薄膜覆晶封装体1的示意图。如图1所示，薄膜覆晶封装体1包含可挠性基板10、导线12、防焊层14、芯片16及封装胶体18，其中导线12设置在可挠性基板10的一表面上，并局部被防焊层14所覆盖，芯片16设置在此表面预设的芯片接合区中并与导线12电性连接，封装胶体18填充于芯片16与可挠性基板10之间以固定并保护芯片16及芯片16与导线12的连接处。在现有技术中，当薄膜覆晶封装体1连接至其他电路结构而运作时芯片16会产生热量。随着集成电路微小化，芯片16功能向上提升的同时也会产生更多的热量，若这些热量无法有效地从芯片16或薄膜覆晶封装体1消散，将会造成芯片16或薄膜覆晶封装体1的效能降低，更甚者，有可能使芯片16或薄膜覆晶封装体1损坏。因此，薄膜覆晶封装体1需增设散热机制来帮助散热。因此，现有技术的薄膜覆晶封装体1上通常会通过贴附金属材质的散热片或者是涂布散热胶来帮助散热，例如，于图1中，薄膜覆晶封装体1的芯片16上方及/或可挠性基板10下方设置有散热层S。散热层S可通过传导的方式吸收芯片16运作时产生的热量，并将热量发散至周围空气中，以帮助薄膜覆晶封装体1进行散热。然而，散热层S不论是设置于芯片16上方或者于可挠性基板10下方，都
会增加薄膜覆晶封装体1的厚度。目前各种电子产品趋向小型化、轻量化，因此其内部电路或各种模块的空间设计相形重要，现有技术的散热层S会增加薄膜覆晶封装体1的厚度，令薄膜覆晶封装体1对电子产品的小型化将产生不利的影响。另一方面，散热层S也会使薄膜覆晶封装体1的可挠性降低，增加制程或组装上的困难度。基于上述问题，有必要研发一种能有效帮助薄膜覆晶封装体进行散热且不增加薄膜覆晶封装体厚度的结构或方法，以符合现今的电子产品小型化与轻量化的需求。
技术实现思路
本专利技术的一范畴在于提供一种可帮助散热的薄膜封装基板。根据一具体实施例，本专利技术的薄膜封装基板包含可挠性基材以及多条导线。可挠性基材具有第一表面，且第一表面上具有芯片接合区。多条导线设置于第一表面上，并且各导线具有内引脚延伸至芯片接合区内。可挠性基材具有多个骑缝孔位于芯片接合区的垂直投影范围内，并围绕出一个移除区域。本专利技术的另一范畴在于提供一种薄膜覆晶封装体，具有良好的散热效果且不额外增加厚度。根据一具体实施例，本专利技术的薄膜覆晶封装体包含可挠性基材、多条导线、芯片及封装胶体。可挠性基材具有第一表面，且第一表面上具有芯片接合区，可挠性基材于芯片接合区中形成穿透孔，且可挠性基材于穿透孔的侧壁上具有残留结构。多条导线设置于第一表面上，并且各导线具有内引脚延伸至芯片接合区内。芯片设置于芯片接合区中，并与导线的内引脚电性连接。封装胶体填充于芯片与可挠性基材之间，而穿透孔暴露出部分的封装胶体。本专利技术的另一范畴在于提供薄膜覆晶封装方法，可帮助薄膜覆晶封装体进行散热且不增加薄膜覆晶封装体的厚度。根据一具体实施例，本专利技术的薄膜覆晶封装方法包含下列步骤：准备具有可挠性基材及多条导线的薄膜封装基板，其中可挠性基材具有第一表面，第一表面上具有芯片接合区，导线设置于第一表面上，各导线具有一内引脚延伸至芯片接
合区内，且可挠性基材具有多个骑缝孔位于芯片接合区的垂直投影范围内并围绕出移除区域；设置芯片于芯片接合区中，并使芯片电性连接各导线的内引脚；形成封装胶体于芯片及可挠性基材之间；以及沿骑缝孔去除可挠性基材的移除区域，使可挠性基材形成穿透孔暴露出部分封装胶体。关于本专利技术的优点与精神可以藉由以下的专利技术详述以及所附附图得到进一步的了解。附图说明图1绘示现有技术的薄膜覆晶封装体的示意图。图2A绘示根据本专利技术的一具体实施例的薄膜封装基板的仰视图。图2B绘示根据图2A的薄膜封装基板的剖面图。图3A绘示根据本专利技术的一具体实施例的薄膜覆晶封装体的剖面图。图3B绘示图3A的薄膜覆晶封装体的仰视图。图4绘示根据本专利技术的另一具体实施例的薄膜覆晶封装体的剖面图。图5A至图5E绘示根据本专利技术的另一具体实施例的薄膜覆晶封装方法的各步骤的结构示意图。具体实施方式请参阅图2A及图2B，图2A绘示根据本专利技术的一具体实施例的薄膜封装基板2的仰视图，图2B绘示根据图2A的薄膜封装基板2的剖面图。如图2A及图2B所示，本专利技术的薄膜封装基板2包含可挠性基材20、多条导线22及防焊层24，其中导线22及防焊层24设置在可挠性基材20之上。可挠性基材20具有相对的第一表面200a与第二表面200b，而第一表面200a上预设有芯片接合区202。多条导线22分别设置在第一表面200a上，并且各导线22分别具有内引脚延伸至芯片接合区202中。防
焊层24局部覆盖导线22并暴露出芯片接合区202，一般而言，芯片接合区202的范围即是由防焊层24的一开口所界定。在芯片接合区202的垂直投影范围内，可挠性基材20还包含多个骑缝孔204。骑缝孔204于芯片接合区202的垂直投影范围中环绕出移除区域206，而导线22的各内引脚可位于移除区域206之外。各个骑缝孔204之间以一间距接续间隔排列而围绕出移除区域206。于本具体实施例中，各个骑缝孔204为贯穿第二表面200b的盲孔，也就是各个骑缝孔204未完全贯穿可挠性基材20，使得可挠性基材20在接近第一表面200a处保留了一厚度T1未被骑缝孔204贯通，而此保留的厚度T1可约介于可挠性基材20的厚度T2的1/6至1/3之间。然而，骑缝孔204的形式并不限定于本具体实施例的型态，其可为完全贯穿可挠性基材20的贯通孔，或是贯穿第一表面200a的盲孔。在本具体实施例中，骑缝孔204所围绕出的移除区域206为矩形，但在实务中，也可为圆形、椭圆形或其他适合的形状。另一方面，骑缝孔204的形状实务中也可包含圆形、椭圆形或矩形等不同形状，而不限定于本具体实施例的椭圆形。上述薄膜封装基板2可用于薄膜覆晶封装体上，令薄膜覆晶封装体具有良好的散热效果，同时不会增加薄膜覆晶封装体的厚度。请一并参阅图3A及图3B，图3A绘示根据本专利技术的一具体实施例的薄膜覆晶封装体3的剖面图，图3B绘示图3A的薄膜覆晶封装体3的仰视图。如图3A所示，薄膜覆晶封装体3包含可挠性基材30、多条导线32、防焊层34、芯片36以及封装胶体38，其中多条导线32、防焊层34、芯片36以及封装胶体38分别设置于可挠性基材30之上。在本具体实施例中，可挠性基材30具有第一表面300a以及相对于第一表面300a的第二表面300b，第一表面300a上设有芯片接合区302，且可挠性基材30在芯片接合区302内形成穿透孔304。多条导线32设置在可挠性基材30的第一表面300a上，且各导线32具有内引脚延伸至芯片接合区302内。防焊层34局部覆盖导线32并暴露出芯片接合区302。芯片36设置于芯片接合区302中，并可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜封装基板，包含：一可挠性基材，具有相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面上具有一芯片接合区；以及多条导线，设置于该可挠性基材的该第一表面上，各导线具有一内引脚，各内引脚延伸至该芯片接合区内；其中该可挠性基材具有多个骑缝孔，所述多个骑缝孔位于该芯片接合区的垂直投影范围内且围绕出一移除区域。

【技术特征摘要】
2015.05.13 TW 1041151911.一种薄膜封装基板，包含：一可挠性基材，具有相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面上具有一芯片接合区；以及多条导线，设置于该可挠性基材的该第一表面上，各导线具有一内引脚，各内引脚延伸至该芯片接合区内；其中该可挠性基材具有多个骑缝孔，所述多个骑缝孔位于该芯片接合区的垂直投影范围内且围绕出一移除区域。2.如权利要求1所述的薄膜封装基板，其特征在于，所述多条导线的内引脚位于该移除区域之外。3.如权利要求1所述的薄膜封装基板，其特征在于，所述多个骑缝孔包含贯穿该第二表面的盲孔。4.如权利要求1所述的薄膜封装基板，其特征在于，所述多个骑缝孔的形状包含圆形、椭圆形或矩形。5.一种薄膜覆晶封装体，包含：一可挠性基材，具有一第一表面，该第一表面上具有一芯片接合区，该可挠性基材于该芯片接合区内形成一穿透孔，且该可挠性基材于该穿透孔的侧壁上具有一残留结构；多条导线，设置于该可挠性基材的该第一表面上，各导线具有一内引脚，各内引脚延伸至该芯片接合区内；一芯片，设置于该芯片接合区内并与所述多条导线的内引脚电性连接；以及一封装胶体，填充于该芯片与该可挠性基材之间，且该穿透孔暴露出部分该封装胶体。6.如权利要求5所述的薄膜覆晶封装体，其特征在于，进一步包含一散热件，设置于该穿透孔中并接触该封装胶体。7.如权利要求5所述的薄膜覆晶封装体，其特征在于，所述多条导线的内引脚位于该穿透孔之外。8.如权利要求5所述的薄膜覆晶封装体，其特征在于，该残留结构由撕除该
\t穿透孔内的该可挠性基材而残留形...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈崇龙，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71