覆晶封装结构与芯片制造技术

技术编号:14146768 阅读:269 留言:0更新日期:2016-12-11 03:27
本发明专利技术提供一种覆晶封装结构与芯片,其中覆晶封装结构包括一导线架以及一芯片。导线架具有多个引脚以及多个定位凹陷。定位凹陷位于引脚上。芯片具有多个柱体。柱体配置于芯片与导线架之间。至少部分柱体对应于定位凹陷分布。一种覆晶封装结构,包括线路板、芯片以及多个第一焊料。线路板具有多个定位凹陷。芯片具有多个焊垫、多导电柱以及多个支撑柱。导电柱配置于焊垫上,且支撑柱对应于定位凹陷分布。各支撑柱的高度大于各导电柱的高度。第一焊料配置于各导电柱与线路板之间。本发明专利技术另提出一种具有多个导电柱以及多个支撑柱的芯片,进而增进本发明专利技术的覆晶封装结构的可靠度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体封装结构,且特别是有关于一种覆晶封装结构与芯片
技术介绍
覆晶封装(Flip Chip)技术为目前广泛使用的半导体封装技术。在覆晶封装技术中,芯片与承载器之间会通过凸块(bumps)电性连接,且凸块通常通过焊料焊接于承载器上。然而,由于芯片与承载器的热膨胀系数有所差异,故在凸块的回焊(reflow)制程之后可能会使凸块遭受一定程度的剪应力(shearing stress)。此外,在回焊的过程中,由于焊料会呈现熔融状态,因此焊料的厚度在回焊过程中不易控制,容易导致设置于承载器上的芯片出现歪斜的情况。承上述,如何改善回焊制程所导致的芯片歪斜、偏移等问题,实为研发人员目前亟待解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种覆晶封装结构与芯片,其中覆晶封装结构可使芯片与承载器具有良好的相对位置。本专利技术提供一种具有支撑柱的芯片。本专利技术的覆晶封装结构,其包括导线架以及芯片。导线架具有多个引脚以及多个位于该些引脚上的定位凹陷。芯片具有多个柱体。柱体配置于芯片与导线架之间。至少部分柱体对应于定位凹陷分布。且另一部分的该些柱体高度低于该些对应于该些定位凹陷的柱体高度。在本专利技术的一实施例中,上述的各定位凹陷的深度介于5微米至20微米之间。在本专利技术的一实施例中,上述的芯片包括多个焊垫与多个导电柱,焊垫
通过该些导电柱与该导线架连接。在本专利技术的一实施例中,还包括多个第一焊料,配置于各导电柱与对应的引脚之间。在本专利技术的一实施例中,上述的芯片包括多个焊垫、多个导电柱与多个支撑柱,焊垫通过导电柱与导线架连接,支撑柱对应于定位凹陷分布,且各支撑柱的高度大于各导电柱的高度。在本专利技术的一实施例中,还包括多个第一焊料,配置于各该导电柱与对应的引脚之间。在本专利技术的一实施例中,上述的支撑柱与导电柱的高度差介于10微米至30微米之间。在本专利技术的一实施例中,上述的支撑柱对应于芯片的角落分布或边缘分布。在本专利技术的一实施例中,还包括多个第二焊料,配置于定位凹陷中,其中支撑柱通过第二焊料固定于定位凹陷中。在本专利技术的一实施例中,上述的支撑柱的材料包括导电材料。在本专利技术的一实施例中,还包括一封装胶体,包覆导线架以及芯片。本专利技术的覆晶封装结构,其包括线路板、芯片以及多个第一焊料。线路板具有多个定位凹陷。芯片具有多个焊垫、多个导电柱以及多个定位凹陷。导电柱配置于焊垫上。支撑柱对应于定位凹陷分布的。各支撑柱的高度大于各导电柱的高度。第一焊料配置于各导电柱与线路板之间。在本专利技术的一实施例中,上述的线路板包括核心层、至少一线路层以及至少一防焊层。线路层覆盖核心层。防焊层覆盖线路层。定位凹陷位于防焊层。在本专利技术的一实施例中,上述的支撑柱与导电柱的高度差介于10微米至30微米之间。在本专利技术的一实施例中,上述的各定位凹陷的深度介于5微米至20微米之间。在本专利技术的一实施例中,上述的支撑柱对应于芯片的角落或边缘分布。在本专利技术的一实施例中,上述的覆晶封装结构还包括多个第二焊料,第二焊料配置于定位凹陷中,其中支撑柱通过第二焊料固定于定位凹陷中。在本专利技术的一实施例中,上述的支撑柱的材料例如为导电材料。在本专利技术的一实施例中,上述的覆晶封装结构还包括一封装胶体,且封装胶体包覆线路板、芯片以及第一焊料。本专利技术的芯片,其具有多个焊垫、多个配置于焊垫上的导电柱以及多个支撑柱,其中各支撑柱的高度高于各导电柱的高度。在本专利技术的一实施例中,上述的芯片还包括多个焊料,而焊料配置于导电柱上。在本专利技术的一实施例中,上述的支撑柱的材料例如为导电材料。在本专利技术的一实施例中,上述的支撑柱对应于芯片的角落或边缘分布。在本专利技术的一实施例中,上述的部分支撑柱与其中一个导电柱配置于同一焊垫上。基于上述,本专利技术采用具有定位凹陷的导线架或线路板,通过将芯片上的柱体对应于定位凹陷分布,则可避免芯片与导线架或线路板之间发生偏移。此外,本专利技术通过将回焊制程所需的焊料配置于定位凹陷,则可避免芯片与导线架或线路板之间发生歪斜。再者,本专利技术还采用具有支撑柱的芯片,且支撑柱的高度大于导电柱之高度,由此可有效的控制在回焊过程中配置于导电柱其中一端的焊料的厚度,据此可避免芯片相对于导线架或线路板发生歪斜。由此可知,基于本专利技术,芯片与导线架或线路板的相对位置可获得确保,进而增进本专利技术的覆晶封装结构的可靠度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A为本专利技术的一实施例所提供的覆晶封装结构的上视图;图1B为图1A所提供的覆晶封装结构沿剖线I-I’的剖面示意图;图2A为本专利技术的另一实施例所提供的覆晶封装结构的上视图;图2B为图2A所提供的覆晶封装结构沿剖线II-II’的剖面示意图;图3A为本专利技术的又一实施例所提供的覆晶封装结构的上视图;图3B为图3A所提供的覆晶封装结构沿剖线III-III’的剖面示意图;图4A为本专利技术的再一实施例所提供的覆晶封装结构的上视图;图4B为图4A所提供的覆晶封装结构沿剖线IV-IV’的剖面示意图;图5A为本专利技术的另一实施例所提供的覆晶封装结构的上视图;图5B为图5A所提供的覆晶封装结构沿剖线V-V’的剖面示意图;图6为本专利技术的一实施例所提供的芯片侧视图;图7为本专利技术另一实施例所提供的芯片侧视图。附图标记说明:10、20、30、40、50:覆晶封装结构;100、110、120:导线架;102:引脚;104:定位凹陷;130、140:线路板;132:核心层;134:线路层;136:防焊层;200、210、220、230、240、250、260:芯片;202、252、262:焊垫;204、254、264:导电柱;216、256、266:支撑柱;300:第一焊料;302:第二焊料;400:封装胶体;I-I’、II-II’、III-III’、IV-IV’、V-V’:剖线。具体实施方式图1A为本专利技术的一实施例所提供的覆晶封装结构的上视图。图1B为图1A所提供的覆晶封装结构沿剖线I-I’的剖面示意图。请同时参考图1A与图1B,在本实施例中,覆晶封装结构10包括导线架100以及芯片200,其中导线架100具有多个引脚102以及多个位于引脚102上的定位凹陷104。芯片200具有多个导电柱204,导电柱204配置于芯片200与导线架100之间,且导电柱204对应于定位凹陷104分布。在本实施例中,各定位凹陷104的深
度介于5微米至20微米之间,且定位凹陷104可通过半蚀刻(half-etched)制程形成。除上述之外,芯片200还可包括多个焊垫202,焊垫202可通过导电柱204与导线架100连接。覆晶封装结构10可还包括多个第一焊料300配置于各导电柱204与对应的引脚102之间。如此一来,芯片200可通过导电柱204以及第一焊料300与导线架100电性相连。此处,导电柱204选用的材料可为铜、银、镍或上述材料的组合,但不以此为限。第一焊料300所选用的材料的熔点需相较于导电柱204的熔点为低。举例来说,导电柱204选用的材料为铜柱(Copper pillar),第一焊料300选用的材料为锡银合金(SnAg)或锡铅合金(SnPb)。在本实施例中,导电柱204除了作为导电用途之外,也具有支撑芯片200在导线架100上的用途。如本文档来自技高网
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覆晶封装结构与芯片

【技术保护点】
一种覆晶封装结构,其特征在于,包括:一导线架,具有多个引脚以及多个位于该些引脚上的定位凹陷;以及一芯片,具有多个柱体,该些柱体配置于所述芯片与所述导线架之间,至少一部分的该些柱体对应于该些定位凹陷分布,且另一部分的该些柱体高度低于该些对应于该些定位凹陷的柱体高度。

【技术特征摘要】
2015.05.29 TW 1041174651.一种覆晶封装结构,其特征在于,包括:一导线架,具有多个引脚以及多个位于该些引脚上的定位凹陷;以及一芯片,具有多个柱体,该些柱体配置于所述芯片与所述导线架之间,至少一部分的该些柱体对应于该些定位凹陷分布,且另一部分的该些柱体高度低于该些对应于该些定位凹陷的柱体高度。2.根据权利要求1所述的覆晶封装结构,其特征在于,所述柱体包括多个导电柱,且所述芯片还包括多个焊垫,该些焊垫通过该些导电柱与所述导线架连接。3.根据权利要求2所述的覆晶封装结构,其特征在于,还包括多个第一焊料,配置于各所述导电柱与对应的引脚之间。4.根据权利要求1所述的覆晶封装结构,其特征在于,所述柱体包括多个导电柱与多个支撑柱,且所述芯片还包括多个焊垫,该些焊垫通过该些导电柱与所述导线架连接,该些支撑柱对应于该些定位凹陷分布,且各所述支撑柱的高度大于各所述导电柱的高度。5.根据权利要求4所述的覆晶封装结构,其特征在于,还包括多个第一焊料,配置于各所述导电柱与对应的引脚之间。6.根据权利要求4所述的覆晶封装结构,其特征在于,该些支撑柱对应于所述芯片的角落分布。7.根据权利要求4所述的覆晶封装结构,其特征在于,该些支撑柱对应于所述芯片的边缘分布。8.根据权利要求4所述的覆晶封装结构,其特征在于,还包括多个第二焊料,配置于该些定位凹陷中,其中该些支撑柱通过该些第二焊料固定于该些定位凹陷中。9.根据权利要求1所述的覆晶封装结构,其特征在于,还包括一封装胶体,包覆所述导线架以及所述芯片。10.一种覆晶封...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴自胜
申请(专利权)人:南茂科技股份有限公司百慕达南茂科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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