半导体封装及其制造方法技术

半导体封装及其制造方法。一种半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片电连接至基板；以及模制部，该模制部包括按照交替图案布置的第一模制构件和第二模制构件。所述第一模制构件具有与所述第二模制构件的第二物理柔性不同的第一物理柔性。

【技术实现步骤摘要】

本公开的各种实施方式涉及封装技术，并且更具体地，涉及利用模制构件的半导体封装及其制造方法。
技术介绍
高性能多功能的电子系统日益受欢迎。同时，电子系统特别地随着便携式电子系统的不断普及而日益尺寸缩小。结果，常常需要具有大容量的紧凑半导体存储器装置。另外，随着对便携式电子系统和可穿戴电子系统的兴趣增加，具有足够柔性的“柔性”电子系统日益受欢迎。在这些系统中，封装基板或安装在该封装基板上的半导体芯片可以具有薄的外形，使得可以容易地使封装基板或半导体芯片弯曲、扭曲或者变弯等。然而，可能难以获得以物理方式并以化学方式保护封装基板和半导体芯片的足够柔性的模制构件。因此，可靠且柔性的半导体封装及其制造方法是所希望的。
技术实现思路
各种实施方式致力于利用模制构件的半导体封装、制造该半导体封装的方法、包括该半导体封装的电子系统以及包括该半导体封装的存储卡。根据实施方式，一种半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片电连接至基板；以及模制部，该模制部被设置在所述基板和所述半导体芯片上，并且包括按照交替图案布置的第一模制构件和第二模制构件。所述第一模制构件具有不同于(例如小于)所述第二模制构件的第二物理柔性的第一物理柔性。根据实施方式，一种半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片电连接至基板；以及模制部，该模制部被设置在所述基板和所述半导体芯片上，其中，所述模制部包括第一模制构件以及形成在所述第一模制构件上方和周围的第二模制构件。所述第一模制构件具有第一杨氏模量并且所述第二模制构件具有第二杨氏模量，其中，所述第
一杨氏模量大于所述第二杨氏模量。根据实施方式，提供了一种制造半导体封装的方法。所述方法包括将半导体芯片附接至基板并且在所述基板上形成模制部以覆盖所述半导体芯片。所述模制部被形成为包括按照交替图案布置的第一模制构件和第二模制构件。所述第一模制构件的第一物理柔性不同于(例如小于)所述第二模制构件的第二物理柔性。根据实施方式，提供了一种包括半导体封装的电子系统。所述半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片电连接至基板；以及模制部，该模制部被设置在所述半导体芯片和所述基板上，并且包括按照交替图案布置的第一模制构件和第二模制构件。所述第一模制构件具有不同于(例如小于)所述第二模制构件的第二物理柔性的第一物理柔性。根据实施方式，提供了一种包括半导体封装的电子系统。所述半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片被设置在基板上；以及模制部，该模制部被设置在所述基板和所述半导体芯片上，其中，所述模制部包括第一模制构件以及形成在所述第一模制构件上方和周围的第二模制构件。所述第一模制构件中的每一个具有第一杨氏模量并且所述第二模制构件具有第二杨氏模量，其中，所述第一杨氏模量大于所述第二杨氏模量。根据实施方式，提供了一种包括半导体封装的存储卡。所述半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片电连接至基板；以及模制部，该模制部被设置在所述半导体芯片和所述基板上，并且包括按照交替图案布置的第一模制构件和第二模制构件。所述第一模制构件具有不同于(例如小于)所述第二模制构件的第二物理柔性的第一物理柔性。根据实施方式，提供了一种包括半导体封装的存储卡。所述半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片电连接至基板；以及模制部，该模制部被设置在所述基板和所述半导体芯片上，其中，所述模制部包括第一模制构件以及形成在所述第一模制构件上方和周围的第二模制构件。所述第一模制构件中的每一个具有第一杨氏模量并且所述第二模制构件具有第二杨氏模量，其中，所述第一杨氏模量大于所述第二杨氏模量。附图说明鉴于附图和伴随的详细描述，本公开的各种实施方式将变得更显而易见，附图中：图1和图2分别是例示了根据实施方式的半导体封装的平面图和截面图；图3是例示了根据实施方式的半导体封装的应力消除动作的截面图；图4和图5分别是例示了根据实施方式的半导体封装的平面图和截面图；图6和图7分别是例示了根据实施方式的半导体封装的平面图和截面图；图8和图9分别是例示了根据实施方式的半导体封装的平面图和截面图；图10、图11、图12、图13、图14和图15是例示了根据实施方式的制造半导体封装的方法的截面图和平面图；图16、图17、图18、图19和图20是例示了根据实施方式的制造半导体封装的方法的截面图和平面图；图21是例示了根据各种实施方式的包括至少一个半导体封装的电子系统的框图；以及图22是例示了根据各种实施方式的包括具有至少一个半导体封装的存储卡的电子系统的框图。具体实施方式将在下文中参照附图描述实施方式的各种示例。相同的附图标记在本说明书中自始至终指代相同的元件。图1和图2分别是例示了根据实施方式的半导体封装10的示例的表示的平面图和截面图。图2的截面图是沿着图1的线I-I’截取的。另外，图3是例示了根据实施方式的半导体封装的应力消除动作的示例的截面图。在图1和图2中，实施方式的半导体封装10可以包括基板100、设置在基板100上的半导体芯片120以及设置在基板100的表面上以覆盖半导体芯片120的模制部134。模制部134可以包括第一模制构件130和第二模制构件132。第一模制构件130和第二模制构件132中的每一个可以被形成为矩形条或平面条。可以按照横向方向交替地布置或者排列第一模制构件130和第二模制构件132。换句话说，可以按照交替图案布置第一模制构件130和第二模制构件132。另外，第一模制构件130可以具有不同于(例如小于)第二模制构件132的第二物理柔性的第一物理柔性。基板100可以是平板构件或者包括平板构件，该平板构件包括主体102、第一外部互连图案104、第二外部互连图案105、外部绝缘层106和108、内部互连图案103a以及通孔电极103b。基板100可以包括印刷电路板(PCB)、有机基板或绝缘基板。如果基板100包括PCB，则该PCB可以是能够容易地弯曲、扭转或者变弯的柔性PCB。如果基板100包括绝缘基板，则主体102可以由绝缘材料形成或者包括绝缘材料。如果基板100包括有机基板，则主体102可以由绝缘材料形成或者包括有机材料。在各种实施方式中，有机材料可以是从由聚合树脂材料、环氧树脂材料和塑性材料构成的组中选择的至少一种或者包括从由聚合树脂材料、环氧树脂材料和塑性材料构成的组中选择的至少一种。基板100的主体102可以包括上面设置有半导体芯片120的前侧表面102a以及与前侧表面102a相反的后侧表面102b。第一外部互连图案104可以被设置在主体102的前侧表面102a上，并且第二外部互连图案105可以被设置在主体102的后侧表面102b上。第一互连图案104和第二互连图案105中的每一个可以包括铜材料。内部互连图案103a和通孔电极103b可以被设置在主体102中，并且通孔电极103b可以将内部互连图案103a电连接至外部互连图案104和105。内部互连图案103a和通孔电极103b中的每一个可以是铜材料或者包括铜材料。在各种实施方式中，内部互连图案103a可以是多层结构或者包括多层结构。通孔电极103b中的每一个可以提供将内部互连图案103a中的一个连接至第一外部互连图案104中的一个或者第二外部互连图案105中的一个的信号路径。设置在主体102的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，该半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片电连接至基板；以及模制部，该模制部被设置在所述基板和所述半导体芯片上，并且包括按照交替图案布置的第一模制构件和第二模制构件，其中，所述第一模制构件具有第一物理柔性并且所述第二模制构件具有第二物理柔性，所述第一物理柔性与所述第二物理柔性不同。

【技术特征摘要】
2015.05.29 KR 10-2015-00763921.一种半导体封装，该半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片电连接至基板；以及模制部，该模制部被设置在所述基板和所述半导体芯片上，并且包括按照交替图案布置的第一模制构件和第二模制构件，其中，所述第一模制构件具有第一物理柔性并且所述第二模制构件具有第二物理柔性，所述第一物理柔性与所述第二物理柔性不同。2.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括：互连构件，所述互连构件将所述半导体芯片电连接至所述基板。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基板包括：主体，该主体具有彼此相反的前侧表面和后侧表面；第一外部互连图案，所述第一外部互连图案被设置在所述主体的所述前侧表面上；第二外部互连图案，所述第二外部互连图案被设置在所述主体的所述后侧表面上；第一外部绝缘层，该第一外部绝缘层覆盖所述第一外部互连图案；第二外部绝缘层，该第二外部绝缘层覆盖所述第二外部互连图案；内部互连图案，所述内部互连图案被设置在所述主体中以具有多层的结构；以及通孔电极，所述通孔电极被设置在所述主体中以将所述第一外部互连图案和所述第二外部互连图案连接至所述内部互连图案。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述主体包括柔性绝缘材料或柔性有机材料。5.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述第一外部互连图案包括连接至互连构件的基板焊盘。6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述互连构件包括金属线或金属凸起。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一模制构件沿着所述基板的表面在第一方向上延伸以具有条形状，
\t并且被布置为沿着主体的表面在与所述第一方向垂直的第二方向上按照预定距离彼此间隔开；并且其中，所述第二模制构件按照条形状设置在所述第一模制构件之间，以提供按照交替图案的布置。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一物理柔性小于所述第二物理柔性，并且其中，所述第一模制构件中的每一个包括具有第一杨氏模量的第一材料，并且所述第二模制构件中的每一个包括具有第二杨氏模量的第二材料，所述第二杨氏模量小于所述第一杨氏模量。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述第一杨氏模量在大约20吉帕斯卡GPa至大约30GPa的范围内。10.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述第一模制构件中的每一个由环氧模塑料EMC材料形成或者包括EMC材料。11.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述第二模制构件中的每一个由具有在大约0.01GPa至大约0.1GPa的范围内的第二杨氏模量的绝缘材料形成或者包括该绝缘材料。12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述第二模制构件中的每一个包括硅树脂材料或硅橡胶材料。13.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述第一模制构件中的至少两个被设置在所述基板的两个最外边缘上，以用作用于维持所述模制部的外形的支撑部。14.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一模制构件中的至少一个以及所述第二模制构件中的至少一个被设置为与所述半导体芯片交叉并且与所述半导体芯片的顶面和两个相对的侧壁交叠。15.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一模制构件包括：第一图案，所述第一图案沿着所述基板的表面在第一方向上延伸以具有条形状，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴渊芝，白铉知，李其勇，金宗铉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR