一种用于等离子蚀刻切割的芯片结构制造技术

本实用新型专利技术一种用于等离子刻蚀切割的芯片结构，包括芯片钝化层、划片槽、芯片金属层和硅衬底，其中，芯片钝化层由外向内依次设置氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层；划片槽内部由氮化硅填充，外部无密封环包裹，以确保刻蚀精度可控。本实用新型专利技术芯片结构中，芯片钝化层采用由外向内依次设置氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层三层设计，划片槽内部由氮化硅填充，外部无密封环包裹，适用于等离子刻蚀切割芯片，具有缩短产品加工周期，增加芯片数量，降低成本，并提高芯片良品率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及圆片流片和圆片切割的芯片结构领域。
技术介绍
当前芯片的结构，如图1所示，为现有的轮刀切割芯片结构剖面图，该芯片结构中，110为普通焊盘，120为芯片金属层（Chip Metal Layer），130为密封环，140为划片槽结构，150为芯片钝化层， 160为硅衬底。如图2所示，为现有的轮刀切割芯片划片槽结构示意图；该划片槽140结构中，包括钝化层141、通孔层143、金属层142和绝缘层144，密封环130包裹在划片槽外。如图3所示，为现有的轮刀切割芯片钝化层结构剖面图，该芯片钝化层150由外向内依次排列氮化硅层151和氧化硅层152。现有的轮刀切割芯片结构中，划片槽宽度一般在60微米以上，划片槽中分布着测试焊盘，由于测试焊盘有最小尺寸要求，传统的轮刀切割要求划片槽宽度最小在50微米以上，镭射切割要求划片槽宽度最小在30微米以上，密封环设计宽度基本在5微米及以上，所以目前划片槽宽度以传统的流片及切割模式已经到达一个技术极限，无法再缩减。
技术实现思路
针对现有技术采用划片槽结构以传统的流片及切割模式的不足，本技术的目的是提供一种用于等离子刻蚀切割的芯片结构。为了达到上述技术目的，本技术采用的技术方案是：一种用于等离子刻蚀切割的芯片结构，包括芯片钝化层、划片槽、芯片金属层和硅衬底，其中，芯片钝化层由外向内依次设置氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层；划片槽内部由氮化硅填充，外部无密封环包裹，以确保刻蚀精度可控。本技术的有益效果在于，该芯片结构中芯片钝化层采用由外向内依次设置氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层三层设计，划片槽内部由氮化硅填充，外部无密封环包裹，适用于等离子刻蚀切割芯片，具有缩短产品加工周期，增加芯片数量，降低成本，并提高芯片良品率。下面结合附图和具体实施方式对本技术做进一步说明。附图说明图1为现有的轮刀切割芯片结构剖面图。图2为现有的轮刀切割芯片划片槽结构剖视图。图3为现有的轮刀切割芯片钝化层结构剖面图。图4为本技术具体实施例的等离子蚀刻切割芯片结构剖面图。图5为本技术具体实施例的等离子蚀刻切割芯片划片槽结构剖视图。图6为本技术具体实施例的等离子蚀刻切割芯片钝化层剖面图。具体实施方式如图4所示，为本技术具体实施例的等离子蚀刻切割芯片结构剖面图。在该等离子蚀刻切割芯片结构中，410为焊盘，420为芯片金属层（Chip Metal Layer），430为由氮化硅431填充的划片槽，440为由外向内依次设置氧化硅层441、氮化硅层442和氧化硅层441的芯片钝化层，450为硅衬底。如图5所示，为本技术具体实施例的等离子蚀刻切割芯片划片槽结构剖视图。划片槽内部由氮化硅431填充，底部为绝缘层144，外部无密封环包裹，以确保刻蚀精度可控。如图6所示，为本技术具体实施例的等离子蚀刻切割芯片钝化层剖面图。芯片钝化层由外向内依次设置氧化硅层441、氮化硅层442和氧化硅层441，替代现有芯片钝化层的氧化硅层441和氮化硅层442两层结构，以提高后续划片槽的刻蚀选择比。采用本技术的等离子刻蚀切割方式，可以做到蚀刻宽度5微米以内，并且没有崩齿的影响，几乎没有热损伤，几乎没有机械应力损伤，可以刻蚀的宽度为5微米，无需设计密封环；刻蚀一片12英寸的圆片时间与激光切割的时间比约为1：5；与轮刀切割的时间比约为 1：9；芯片由于采用无密封环设计及细划片槽设计，芯片数量可以增加17%及以上，为芯片制造降低极大成本。上述仅为本技术的具体实施例，本领域普通技术人员在不脱离本技术技术思路的基础上能有许多变形和变化，这些显而易见形成的技术方案也包含在本技术保护的技术范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子刻蚀切割的芯片结构，包括芯片钝化层、划片槽、芯片金属层和硅衬底，其特征在于，芯片钝化层由外向内依次设置氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层；划片槽内部由氮化硅填充，外部无密封环包裹，以确保刻蚀精度可控。

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子刻蚀切割的芯片结构，包括芯片钝化层、划片槽、芯片金属层和硅衬底，其特征在于，芯片钝化层由...

【专利技术属性】
技术研发人员：李园园，肖金磊，王国兵，孟红霞，陈志龙，
申请(专利权)人：北京同方微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11