【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式总体上涉及一种电子装置和制造该电子装置的方法，更具体地，涉及一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元占据的面积确定。最近，随着用于在基板上的单层中形成存储器单元的半导体装置的集成度的改进达到极限，已经提出用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了改进这种半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体装置包括：栅极结构，其中导电层和绝缘层交替地层叠；接触插塞，其穿过栅极结构在绝缘层的层叠方向上延伸；第一间隔层，其各自位于导电层和接触插塞之间；以及第二间隔层，其各自位于接触插塞和第一间隔层之间。
2、在实施方式中，一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠体；形成穿过层叠体在第一材料层的层叠方向上延伸的第一开口；通过蚀刻第二材料层形成连接到第一开口的第二开口；分别在第二开口中形成第一间隔层；分别在第二开口中形成第二间隔层；以及在第一开口中形成接触插塞。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二间隔层各自包括空隙。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一间隔层是无空隙氧化层。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一间隔层或所述第二间隔层各自包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞包括柱和从所述柱突出的第一突出部。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括用于暴露所述导电层中的至少一个导电层的阶梯结构，并且所述柱穿过由所述阶梯结构暴露的最上导电层。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一突出部连接到由所述阶梯结构暴露的所述最上导电层的顶表面。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述阻挡层各自包括氧化物或氮化物。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，位于不同高度的所述第二间隔层具有不同的厚度。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述牺牲层各自包括非晶硅。
15.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述第一间隔层的步骤包括以下步骤：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，随着所述牺牲层被氧化并且体积膨胀，形成所述第一间隔层。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述牺牲层的步骤包括以下步骤：
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述牺牲层各自包括非晶硅。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一间隔层是无空隙氧化层。
21.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述第二间隔层的步骤包括以下步骤：
22.根据权利要求21所述的方法，其中，在形成所述第二氧化层时，通过沿着所述第一氧化层的蚀刻表面沉积所述第二氧化层来形成包括空隙的所述第二氧化层。
23.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一间隔层或所述第二间隔层各自包括氧化硅。
24.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
25.根据权利要求24所述的方法，其中，形成所述接触插塞的步骤包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二间隔层各自包括空隙。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一间隔层是无空隙氧化层。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一间隔层或所述第二间隔层各自包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞包括柱和从所述柱突出的第一突出部。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括用于暴露所述导电层中的至少一个导电层的阶梯结构，并且所述柱穿过由所述阶梯结构暴露的最上导电层。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一突出部连接到由所述阶梯结构暴露的所述最上导电层的顶表面。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述阻挡层各自包括氧化物或氮化物。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，位于不同高度的所述第一间隔层具有不同的厚度。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，位于不同高度的所述第二间隔层具有不同的厚度。
13.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：金智成，康倫豪，申完燮，田锡旼，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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