【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、目前半导体器件的制备工艺中，随着刻蚀层数及刻蚀深度的增加，底层刻蚀液容易缺失或堆积，造成底部结构的损伤。例如，在动态随机存取存储器(dynamic randomaccsess memory，dram)的制备工艺中，通常通过一步刻蚀多层结构，同时形成位线结构和位线接触插塞，如此，容易造成底部的位线接触插塞过刻蚀、刻蚀不足或者发生倾斜。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法。
2、第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构，包括：
3、基底；所述基底包括沿第一方向间隔排布的多个有源区；
4、位于所述有源区表面、且延伸进入所述基底中的导电插塞；
5、位于所述导电插塞上的导电结构；其中，所述导电结构与所述导电插塞非自对准。
6、在一些实施例中，所述导电插塞在所述第一方向上的尺寸小于所述导电结构在所述第一方向上的尺寸。
7、...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞在所述第一方向上的尺寸小于所述导电结构在所述第一方向上的尺寸。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞在所述第一方向上的尺寸小于所述有源区在所述第一方向上的尺寸。
4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述导电插塞侧壁的保护层；
5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述有源区表面形成延伸进入所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞在所述第一方向上的尺寸小于所述导电结构在所述第一方向上的尺寸。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞在所述第一方向上的尺寸小于所述有源区在所述第一方向上的尺寸。
4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述导电插塞侧壁的保护层；
5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述有源区表面形成延伸进入所述基底的导电插塞，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述导电插塞在所述第一方向上的尺寸小于位于所述导电插塞底部的有源区在所述第一方向上的尺寸。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述导电插塞上形成导电结构，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：李营慧，王士欣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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