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本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其中导电层和绝缘层交替地层叠；接触插塞，其穿过栅极结构在绝缘层的层叠方向上延伸；第一间隔层，其各自位于导电层和接触插塞之间；以及第二间隔层，其各自位于接触插塞和第一间...
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