【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开的实施例涉及三维(3d)存储装置及其制造方法。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，使平面存储单元缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。因此，平面存储单元的存储密度接近上限。随着3d存储层的数量不断增加，对沟道轮廓的控制变得越来越困难。
技术实现思路
1、本文公开了3d存储装置和用于形成3d存储装置的方法的实施例。
2、在一个方面，公开了一种3d存储装置。3d存储装置包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交错的第一导电层和第一电介质层；以及沿第一方向延伸穿过堆叠结构的沟道结构，该沟道结构与在沟道结构的底部部分处的第一半导体层接触。沟道结构包括半导体沟道以及位于半导体沟道之上的存储膜。半导体沟道包括有角结构，并且半导体沟道在位于有角结构下方的沟道结构的底部部分处的第一宽度小于半导体沟道在位于有角结构上方的沟道结构的上部部分处的第二宽度。
3、在一些实施方式中，3d存...
【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的3D存储装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的3D存储装置，其中，所述第二半导体层包括未掺杂的多晶硅层，并且所述第一半导体层包括多晶硅层。
4.根据权利要求2所述的3D存储装置，还包括：
5.一种用于形成三维(3D)存储装置的方法，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述衬底上形成所述第一电介质层、所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层，包括：
7.根据权利要求5所述的方法，还包括：
8.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
1.一种三维(3d)存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的3d存储装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的3d存储装置，其中，所述第二半导体层包括未掺杂的多晶硅层，并且所述第一半导体层包括多晶硅层。
4.根据权利要求2所述的3d存储装置，还包括：
5.一种用于形成三维(3d)存储装置的方法，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述衬底上形成所述第一电介质层、所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层，包括：
7.根据权利要求5所述的方法，还包括：
8.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第二多晶硅层上形成所述第二电介质层和所述第三多晶硅层，包括：
9.根据权利要求5所述的方法，还包括：
10.根据权利要求5所述的方法，其中，执行所述氧化操作以在由所述沟道孔的所述侧壁暴露的所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层上形成所述第五电介质层，包括：
11.根据权利要求5所述的方法，其中，执行所述氧化操作以在由所述沟道孔的所述侧壁暴露的所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层上形成所述第五电介质层，包括：
12.根据权利要求11所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴林春，吴双双，李磊，张坤，夏志良，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。