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公开了一种三维(3D)存储装置，其包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交错的第一导电层和第一电介质层；以及沿第一方向延伸穿过堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构与沟道结构的底部处的第一半导体层接触。沟道结构包括半导体沟道和位于半导体沟道之上的存储膜...
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