半导体封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构及其制作方法。其制作方法，包括以下步骤。提供封装基板。封装基板包括介电层、第一金属层以及第二金属层。图案化第二金属层，以形成线路层。形成阻焊层于线路层上，并局部覆盖线路层。配置载板于线路层与阻焊层上。移除介电层与第一金属层，以暴露出线路层。移除位于第一接点与第二接点之间的部分线路层，以暴露出阻焊层上的沟渠。使芯片电性连接于线路层。形成封装胶体于线路层与阻焊层上，并包覆芯片。移除载板。本发明专利技术的半导体封装结构的制作方法制作所得的半导体封装结构不具有核心层，因此半导体封装结构的整体厚度得以缩减，进而符合微型化的发展需求。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制作方法
本专利技术涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种半导体封装结构及其制作方法。
技术介绍
在半导体产业中，集成电路(IC)的生产主要可分为三个阶段：集成电路的设计、集成电路的制作以及集成电路的封装。在晶圆的集成电路制作完成之后，晶圆的主动面配置有多个芯片接垫(diepad)。最后，由晶圆切割所得的裸芯片可通过芯片接垫电性连接于承载器(carrier)。通常而言，承载器可为导线架(leadframe)或封装基板(packagesubstrate)，而芯片可通过打线接合(wirebonding)或覆晶接合(flipchipbonding)等方式连接至承载器上，以使芯片的芯片接垫与承载器的接点电性连接，进而构成芯片封装体。芯片封装体的整体厚度例如是封装胶体的厚度、承载器的厚度以及外部端子的高度的总和。为满足芯片封装体微型化(miniaturization)的发展需求，常见的作法是减少承载器的厚度。然而，承载器的厚度的缩减有限，且会对其结构强度造成影响。因此，遂发展出无核心层(coreless)的承载器(例如基板)。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体封装结构，其承载器不具有核心层，故能减薄整体厚度。本专利技术提供一种半导体封装结构的制作方法，其制作所得的半导体封装结构能具有较薄的厚度。本专利技术提出一种半导体封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供封装基板。封装基板包括介电层、连接介电层的第一金属层以及连接第一金属层的第二金属层，其中第一金属层位于介电层与第二金属层之间。图案化第二金属层，以形成线路层，其中线路层具有第一接点与第二接点。形成阻焊层于线路层上，并使阻焊层局部覆盖线路层。配置载板于线路层与阻焊层上。移除介电层与第一金属层，以暴露出线路层。移除位于第一接点与第二接点之间的部分线路层，以暴露出阻焊层上的沟渠。使芯片通过第一接点与第二接点电性连接于线路层。形成封装胶体于线路层与阻焊层上，并使封装胶体包覆芯片。移除载板。本专利技术提出一种半导体封装结构，其包括线路层、阻焊层、芯片、封装胶体以及多个外部端子。线路层具有第一接点与第二接点。阻焊层局部覆盖线路层，其中阻焊层暴露出第一接点与第二接点，且具有位于第一接点与第二接点之间的沟渠。芯片配置于线路层与阻焊层上，并通过第一接点与第二接点电性连接于线路层。芯片跨越沟渠的上方。封装胶体配置于线路层与阻焊层上，并包覆芯片。这些外部端子分别配置于被阻焊层所暴露出的线路层上。基于上述，由于通过本专利技术的半导体封装结构的制作方法制作所得的半导体封装结构不具有核心层，因此半导体封装结构的整体厚度得以缩减，进而符合微型化的发展需求。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1L是本专利技术一实施例的半导体封装结构的制作流程的剖面示意图；图1M是形成外部端子于图1L的半导体封装结构的剖面示意图；图2A至图2F是本专利技术另一实施例的半导体封装结构的制作流程的剖面示意图；图2G是形成外部端子于图2F的半导体封装结构的剖面示意图。附图标记：10：线路结构100、100A：半导体封装结构110：封装基板111：介电层112：第一金属层113：第二金属层114：线路层114a：第一接点114b：第二接点120：阻焊层121：表面122：凹陷123：沟渠130、131：保焊层140：载板150：芯片151：主动表面152：焊球153：背表面160：封装胶体170：外部端子180：导电柱190：焊线具体实施方式图1A至图1L是本专利技术一实施例的半导体封装结构的制作流程的剖面示意图。首先，请参考图1A，提供封装基板110。封装基板110包括介电层111、形成在介电层111上的第一金属层112(或称连接介电层111的第一金属层112)以及形成在第一金属层112的第二金属层113(或称连接第一金属层112的第二金属层113)，其中第一金属层112位于介电层111与第二金属层113之间。在本实施例中，第一金属层112与第二金属层113的数量分别是两个。前述两个第一金属层112分别位于介电层111的相对两侧，且各个第二金属层113对应形成于第一金属层112上。介电层111的材质可以氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、氮碳化硅或氧碳化硅，或者是FR-4(环氧树脂玻璃纤维)基材、PI(聚亚酰胺树脂)基材或其他类似材质所构成的基材。第一金属层112与第二金属层113的材质可以是铜、铝、金、银、镍或前述金属的合金。如图1A所示，第一金属层112的厚度例如是小于第二金属层113的厚度。接着，请参考图1B，例如以曝光显影的方式图案化第二金属层113以形成线路层114。在本实施例中，线路层114仍覆盖第一金属层112，且具有第一接点114a与第二接点114b。在其他实施例中，线路层可暴露出部分第一金属层，本专利技术对此不加以限制。接着，请参考图1C，例如以涂布、印刷或喷印等方式形成阻焊材料于线路层114上。接着，例如以曝光显影的方式图案化阻焊材料，以形成阻焊层120，使得阻焊层120局部覆盖线路层114，而暴露出第一接点114a与第二接点114b。为防止暴露于阻焊层120的第一接点114a与第二接点114b产生氧化或硫化等现象，进一步形成保焊层130于第一接点114a与第二接点114b上，如图1D所示。一般来说，保焊层130可以是有机保焊膜(OSP)，或者是由不易氧化的金属材料所构成，例如通过电镀的方式形成镍/金层于第一接点114a与第二接点114b上。另一方面，线路层114、阻焊层120与保焊层130可构成线路结构10，其中各个线路结构10会与对应的第一金属层112相连接。接着，请参考图1E，分别于各个线路结构10上配置载板140。具体来说，各个载板140配置于对应的线路层114与阻焊层120上，并与对应的阻焊层120相互抵贴，而未与对应的线路层114有所接触。载板140例如是硬质基材或可挠性基材，且可通过离型膜(releasefilm)贴合于阻焊层120。在进行后续的封装步骤时，载板140可作为暂时性的辅助支撑结构，用以支撑对应的线路结构10。请继续参考图1D与图1E，线路结构10的数量例如是两个，其中这两个线路结构10分别位于介电层111的相对两侧，且各个线路结构10会与对应的载板140相配合。接着，请参考图1F，移除介电层111与第一金属层112(或称使各个线路结构10与对应的第一金属层112分离)。此时，线路层114中原先与第一金属层112相连接的部分会暴露于外。后续以其中一个线路结构10的封装制程作说明。接着，请参考图1G，例如以曝光显影的方式移除覆盖于阻焊层120上的部分线路层114，并使线路层114略低于阻焊层120中未被载板140所覆盖的表面121，以定义出多个凹陷122。请参考图1H，例如以曝光显影的方式移除位于第一接点114a与第二接点114b之间的凹陷122内的线路层114，以暴露出阻焊层120的沟渠123。之后，请参考图1I，形成保焊层131于各个凹陷122内，以覆盖暴露于阻焊层120的线路层114，藉以防止线路层114产生氧化或硫化等现象。接着，请参考图1J，使芯片150通过第一接点114a与第二接点1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供封装基板，所述封装基板包括介电层、连接所述介电层的第一金属层以及连接所述第一金属层的第二金属层，其中所述第一金属层位于所述介电层与所述第二金属层之间；图案化所述第二金属层，以形成线路层，其中所述线路层具有第一接点与第二接点；形成阻焊层于所述线路层上，并使所述阻焊层局部覆盖所述线路层；配置载板于所述线路层与所述阻焊层上；移除所述介电层与所述第一金属层，以暴露出所述线路层；移除位于所述第一接点与所述第二接点之间的部分所述线路层，以暴露出所述阻焊层上的沟渠；使芯片通过所述第一接点与所述第二接点电性连接于所述线路层；形成封装胶体于所述线路层与所述阻焊层上，并使所述封装胶体包覆所述芯片；以及移除所述载板。

【技术特征摘要】
2015.12.02 TW 1041403021.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供封装基板，所述封装基板包括介电层、连接所述介电层的第一金属层以及连接所述第一金属层的第二金属层，其中所述第一金属层位于所述介电层与所述第二金属层之间；图案化所述第二金属层，以形成线路层，其中所述线路层具有第一接点与第二接点；形成阻焊层于所述线路层上，并使所述阻焊层局部覆盖所述线路层；配置载板于所述线路层与所述阻焊层上；移除所述介电层与所述第一金属层，以暴露出所述线路层；移除位于所述第一接点与所述第二接点之间的部分所述线路层，以暴露出所述阻焊层上的沟渠；使芯片通过所述第一接点与所述第二接点电性连接于所述线路层；形成封装胶体于所述线路层与所述阻焊层上，并使所述封装胶体包覆所述芯片；以及移除所述载板。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述芯片覆晶接合于所述第一接点与所述第二接点，以电性连接于所述线路层。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：在电性连接所述芯片与所述线路层之前，形成至少一导电柱于所述线路层上，其中所述导电柱位于所述第一接点或所述第二接点的一侧，并且暴露于所述封装胶体之外。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：移除部分所述线路层，并形成保焊层于所述线路层与所述导电柱上。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述芯片打线接合于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪章，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71