半导体封装件的制造方法以及半导体封装件技术

在半导体封装件中，芯片焊盘，半导体元件，连接构件以及引线的表面通过硅烷耦合剂被进行表面处理，半导体元件的表面中接合有连接构件的半导体元件的一面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域，第一区域与封装树脂之间的接合强度比第二区域与封装树脂之间的接合强度弱。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体封装件(Package)的制造方法以及半导体封装件。
技术介绍
已知一种在将半导体元件接合在芯片焊盘(DiePad)上，且在将半导体元件与引线(Lead)通过连接构件连接的状态下，用封装树脂将半导体元件，引线，连接构件以及芯片焊盘封装的树脂封装型半导体封装件(参照专利文献一～五)。芯片焊盘由金属形成，其与封装树脂之间的粘合力低。因此，芯片焊盘与封装树脂之间容易产生剥离。在芯片焊盘与封装树脂剥离的状态下，当进行半导体封装件的可靠性试验(温度循环(Cycle)试验，断续工作试验等的环境试验)时，芯片焊盘以及封装树脂等会由于外部热量或者半导体元件的自身热量而产生热膨胀。因此，根据芯片焊盘与封装树脂的热膨胀系数的差异，芯片焊盘与封装树脂进行相对移动，导致将半导体元件与芯片焊盘进行接合的接合构件可能产生断裂(Crack)。一旦接合构件产生断裂，便导致半导体元件与芯片焊盘之间的电阻升高。另外，半导体元件的散热性也会变差。在专利文献一中，通过在芯片焊盘的上表面实施表面粗化处理，提升芯片焊盘与封装树脂之间的粘合力，从而抑制上述问题。在专利文献一中，在芯片焊盘的上表面实施表面粗化处理之后，将半导体元件接合在芯片焊盘的上表面。然后，在将半导体元件与引线通过连接构件连接之后，用封装树脂进行封装。在该方法中，封装树脂被充填在芯片焊盘的上表面的凹凸部中，封装树脂与凹凸部物理嵌合。因此，便能够抑制芯片焊盘与封装树脂的相>对移动。然而，在该方法中，由于芯片焊盘与封装树脂之间的粘合力是通过芯片焊盘与封装树脂嵌合这样的物理作用而产生的，因此粘合力并不足够。另外，在专利文献一中，并没有提及封装树脂与半导体元件之间的粘合力。通常，由于半导体元件的表面是由半导体的氧化膜或者电极等无机物构成，因此封装树脂与半导体元件之间的粘合力很弱。因此，当对半导体封装件进行上述可靠性试验时，根据半导体元件与封装树脂的热膨胀系数的差异，封装树脂与半导体元件进行相对移动，导致将半导体元件与芯片焊盘进行接合的接合构件可能产生断裂。与此相对，已知一种硅烷偶联剂(SilaneCoupling)，作为提升无机物(金属)与有机物(树脂)之间的粘合力的技术。硅烷偶联剂是一种通过将金属与树脂化学接合，从而提升金属与树脂之间的粘合力的技术。在专利文献二中，在将装载有半导体封装件的树脂基板与由金属形成的散热基板进行接合时，将硅烷偶联剂涂布在散热基板的表面，提升两者的粘合力。在专利文献三～五中，公开了一种在将半导体元件安装到表面被硅烷偶联剂处理过的引线框架(LeadFrame)上后，用封装树脂对半导体元件以及引线进行封装的技术。然而，在该方法中，为了使硅烷偶联剂不会阻碍芯片焊盘与接合构件之间的粘合力，必须在装载半导体元件的区域实施掩膜(Masking)处理。另外，虽然芯片焊盘与封装树脂之间的粘合力提升，但是封装树脂与半导体元件之间的粘合力依然还有待改善。与此相对，对封装树脂与半导体元件之间的粘合力提升这一方法在对提升半导体封装件的电气特性方面未必会产生理想的效果。例如，当半导体元件与封装树脂牢固地粘合，在进行可靠性试验时，根据半导体元件与封装树脂的热膨胀系数的差异，在半导体元件与封装树脂的界面中会产生很大的应力。在半导体元件中，形成有用于形成电气电路的多个层，当在半导体元件与封装树脂的界面中会产生很大的应力时，在各个层中产生断裂，或者在各个层之间产生剥离，可能会对半导体元件的电气特性造成影响。先行技术文献专利文献【专利文献一】日本特开2011-82389号公报【专利文献二】日本特开2005-226096号公报【专利文献三】日本特开2005-340474号公报【专利文献四】日本特开2005-072306号公报【专利文献五】日本特开平08-078561号公报
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提升芯片焊盘以及半导体元件与封装树脂之间的粘合力，且半导体元件的电气特性出色的半导体封装件的制造方法以及半导体封装件。本专利技术的一个形态所涉及的半导体封装件的制造方法，依次包括：将半导体元件接合在芯片焊盘的上表面的装载工序，将所述半导体元件与引线通过连接构件进行电连接的连接工序，将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面通过硅烷偶联剂进行表面处理的表面处理工序，以及将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线用封装树脂进行封装的封装工序，在所述半导体元件的表面中接合有所述连接构件的所述半导体元件的第一表面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域，所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度更弱。本专利技术的一个形态所涉及的半导体封装件，包括：芯片焊盘，被接合在所述芯片焊盘的上表面的半导体元件，引线，将所述半导体元件与所述引线进行连接的连接构件，将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线进行封装的封装树脂，所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面由硅烷偶联剂进行表面处理，所述半导体元件的表面中接合有所述连接构件的所述半导体元件的所述第一表面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域，所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度更弱。【专利技术效果】根据本专利技术，由于从半导体元件的安装或者引线的连接完成之后采用硅烷偶联剂进行表面处理，因此不仅能够提升芯片焊盘与封装树脂之间的接合强度，还能够提升半导体元件与封装树脂之间的接合强度。另外，在露出有机物的第一区域中，相比于露出无机物的第二区域，由于硅烷偶联剂的羟基末端难以结合，因此封装树脂与第一区域之间的接合强度比封装树脂与第二区域之间的接合强度更弱。因此，当从半导体元件外部的加热或者半导体元件自身的发热所引起的热膨胀产生时，根据半导体元件与封装树脂的热膨胀系数的差异，能够将在半导体元件的第二区域与封装树脂的界面中产生的应力在与第一区域相对应的半导体元件或者封装树脂的部分中进行缓和。因此，能够对在形成在半导体元件的第一表面侧的用于形成电气电路的各个层中产生断裂，或者在各个层之间产生剥离的情况进行抑制，且能够抑制对半导体元件的电气特性造成影响。因此，能够提供一种提升芯片焊盘以及半导体元件与封装树脂之间的粘合力，且半导体元件的电气特性出色的半导体封装件的制造方法以及半导体封装件。【简单附图说明】【图1】是显示第一实施方式涉及的半导体封装件的结构的俯视平面图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，依次包括：将半导体元件接合在芯片焊盘的上表面的装载工序，将所述半导体元件与引线通过连接构件进行电连接的连接工序，将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面通过硅烷偶联剂进行表面处理的表面处理工序，以及将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线用封装树脂进行封装的封装工序，其中，在所述半导体元件的表面中接合有所述连接构件的所述半导体元件的第一表面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域，所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度更弱。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，依次包括：
将半导体元件接合在芯片焊盘的上表面的装载工序，
将所述半导体元件与引线通过连接构件进行电连接的连接工序，
将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面通过硅烷偶联
剂进行表面处理的表面处理工序，以及
将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线用封装树脂进行封装
的封装工序，
其中，在所述半导体元件的表面中接合有所述连接构件的所述半导体元件的第一表面
含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域，
所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述第二区域与所述封装树脂之间
的接合强度更弱。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于：
其中，在所述半导体元件的所述第一表面上设有与所述连接构件电连接的电极部，
通过所述电极部与所述连接构件构成电连接部，
所述电连接部的表面由无机物构成，
所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比述电连接部的表面与所述封装树脂
之间的接合强度更弱。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于：
其中，在所述装载工序中，采用接合构件将所述芯片焊盘与所述半导体元件接合，
在所述表面处理工序中，通过所述过硅烷偶联剂对所述接合构件的表面进行表面处
理，
所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述接合构件与所述封装树脂之间
的接合强度更强，
所述芯片焊盘的所述上表面与所述封装树脂之间的接合强度比所述接合构件与所述
封装树脂之间的接合强度更强。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于：
其中，所述表面处理工序依次包含：
将含有所述硅烷偶联剂的溶液向所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及
所述引线的表面，以及悬吊引线部15的表面进行喷雾的喷雾工序，
将所述溶液进行加热的加热工序。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于：

【专利技术属性】
技术研发人员：见泽有市，长瀬健男，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP