【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储器装置及其制造方法，并且更具体地，涉及包括狭缝的存储器装置及其制造方法。
技术介绍
1、存储器装置可以包括存储数据的存储器单元阵列、被配置为执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路、以及被配置为控制外围电路的控制逻辑。
2、存储器单元阵列可以包括多个存储块，多个存储块中的每一个可以包括多个存储器单元。具有三维结构的存储器装置可以包括层叠在基板上的存储器单元。例如，在具有三维结构的存储器装置中，存储块可以包括从基板起在垂直方向上延伸的多个串，并且多个串中的每一个可以包括多个存储器单元。
3、存储块可以通过狭缝彼此分开。狭缝可以是以线形状划分层叠层的沟槽。随着存储器装置的储存容量增加，层叠层的高度增加。此外，可能出现层叠层中包括的结构的密度差异。因为蚀刻工艺是在等离子环境中进行的，所以随着待蚀刻结构的高度和密度差异的增大，可能出现电荷电位差，从而在狭缝中可能出现缺陷。
技术实现思路
1、本公开的一些实施方式涉及能够防止在狭缝中出现缺陷的存储器装置及制造该存储器装置的方法。
2、根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括在第一方向上划分为单元区域和连接区域的第一存储块。存储器装置还包括在第一方向上划分为单元区域和连接区域的第二存储块，第二存储块在垂直于第一方向的第二方向上与第一存储块相邻。存储器装置还包括位于第一存储块和第二存储块之间的、将第二存储块与第一存储块分开的狭缝。狭缝在第一存储块的单元区域与第二存储块的单元区域之间具有第一宽度，
3、根据本公开，一种制造存储器装置的方法包括：在划分出彼此相邻的单元区域和连接区域的下结构上形成第一层叠结构；在第一层叠结构中形成第一单元插塞和保护图案；在第一层叠结构上形成第二层叠结构；在第二层叠结构中形成第二单元插塞；形成将第二层叠结构和第一层叠结构划分为第一存储块与第二存储块并且暴露出保护图案的狭缝；以及去除保护图案。
4、在一些实施方式中，本技术可以通过防止在狭缝中出现缺陷来减小通过狭缝而划分的存储块的电特性差异。
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1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述狭缝包括：
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，除了形成有所述第一扩展孔或所述第二扩展孔的区域之外，所述狭缝具有线形状。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述狭缝包括：
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述第三扩展孔位于与所述单元区域和所述连接区域之间的边界面相邻的所述单元区域中。
6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述第四扩展孔位于与所述单元区域和所述连接区域之间的边界面相邻的所述连接区域中。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储块和所述第二存储块包括第一层叠结构和层叠在所述第一层叠结构上的第二层叠结构。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述狭缝的形成于所述第一层叠结构之间的部分具有所述第二宽度，并且所述狭缝的形成于所述第二层叠结构之间的部分具有所述第一宽度。
9.一种制造存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
10.根据权利
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述保护图案形成为圆柱形状。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述保护图案由导电材料或半导体材料形成。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述保护图案由多晶硅形成。
14.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第一层叠结构上形成所述第一单元插塞和所述保护图案的步骤包括以下步骤：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一垂直孔和所述第二垂直孔同时形成。
16.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第二层叠结构中形成所述第二单元插塞的步骤包括以下步骤：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在形成所述第三垂直孔时，蚀刻所述第二层叠结构的一部分以暴露出每个所述第一单元插塞。
18.根据权利要求9所述的方法，其中，每个所述保护图案形成为圆柱或四角柱体的形状。
19.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：在去除所述保护图案之后：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述狭缝包括：
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，除了形成有所述第一扩展孔或所述第二扩展孔的区域之外，所述狭缝具有线形状。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述狭缝包括：
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述第三扩展孔位于与所述单元区域和所述连接区域之间的边界面相邻的所述单元区域中。
6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述第四扩展孔位于与所述单元区域和所述连接区域之间的边界面相邻的所述连接区域中。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储块和所述第二存储块包括第一层叠结构和层叠在所述第一层叠结构上的第二层叠结构。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述狭缝的形成于所述第一层叠结构之间的部分具有所述第二宽度，并且所述狭缝的形成于所述第二层叠结构之间的部分具有所述第一宽度。
9.一种制造存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
10.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：都洪景，李起洪，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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