【技术实现步骤摘要】
本专利文件涉及一种半导体技术，更具体地，涉及一种半导体装置中的晶体管。
技术介绍
1、晶体管是半导体装置的基本单元。随着近来各种小型化、低功率、高性能电子设备使用的增加，需要一种新的晶体管设计来满足减小晶体管的尺寸和功耗的要求。
技术实现思路
1、可以在一些实施例中实施本公开技术，以提供以低成本采用简单工艺制造低能耗的晶体管。也可以在一些实施例中实施本公开技术，以提供用于制造低功耗晶体管的方法。
2、在所公开技术的一些实施例中，晶体管可以包括：衬底；设置在所述衬底之上的栅电极；设置在所述栅电极和所述衬底之间的栅绝缘层；形成在所述衬底中的一个或更多个掺杂区；以及设置在所述衬底之上的一个或更多个选择器层，所述一个或更多个选择器层至少一个与所述一个或更多个掺杂区至少一个垂直重叠，其中所述一个或更多个选择器层中的每个包括绝缘材料层和掺杂剂，其中所述绝缘材料层包括与所述栅绝缘层相同的材料，并且所述掺杂剂掺杂在所述绝缘材料层中。
3、在所公开技术的一些实施例中，用于制造晶体管的...
【技术保护点】
1.一种晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或更多个选择器层的侧表面直接接触所述栅绝缘层的侧表面。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或更多个选择器层的厚度小于或等于所述栅绝缘层的厚度。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，选择掺杂在所述绝缘材料层中的掺杂剂以产生浅陷阱，所述浅陷阱提供用于导电载流子在所述绝缘材料层中移动的通路。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或更多个掺杂区包括位于所述栅电极一侧的第一掺杂区和位于所述栅电极另一侧的第二掺杂区，以及
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或更多个选择器层的侧表面直接接触所述栅绝缘层的侧表面。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或更多个选择器层的厚度小于或等于所述栅绝缘层的厚度。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，选择掺杂在所述绝缘材料层中的掺杂剂以产生浅陷阱，所述浅陷阱提供用于导电载流子在所述绝缘材料层中移动的通路。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述一个或更多个掺杂区包括位于所述栅电极一侧的第一掺杂区和位于所述栅电极另一侧的第二掺杂区，以及
6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述选择器层包括与所述掺杂区相邻的界面部分，并且包括掺杂在所述掺杂区中的掺杂剂。
7.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述掺杂区包括与所述选择器层相邻的界面部分，并且包括在所述选择器层中的所述掺杂剂。
8.一种用于制造晶体管的方法，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：宋政桓，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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