【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜覆晶封装结构。
技术介绍
1、薄膜覆晶(chip on film,cof)封装结构为常见的液晶显示器的驱动芯片的封装型态。随着科技进展，芯片的效率不断提升，且单位面积中芯片之凸块数也不断增加。然而，此亦导致芯片在运作时所散发的热量也变的更多。因此，为了避免芯片因为受热而导致效能下降，许多厂商致力于发展薄膜覆晶封装结构的散热技术。一般而言，薄膜覆晶封装结构上之散热结构的面积越大，则散热结构的散热能力越好。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种薄膜覆晶封装结构，可通过增加散热结构的面积来提升散热能力。
2、本专利技术的至少一实施例提供一种薄膜覆晶封装结构。薄膜覆晶封装结构包括可挠性线路基板、芯片以及散热结构。可挠性线路基板具有相对的第一表面与第二表面，且包括预定弯折区以及位于第一表面的芯片接合区。芯片接合区与预定弯折区沿着第一方向延伸。芯片接合于可挠性线路基板的芯片接合区。散热结构包括下部结构与上部结构。散热结构以下部结构贴设于第一表面与第二表面的至少其中一者上，并对应芯片接合区。下部结构包括第一下黏着层。上部结构包括第一上绝缘保护层、上散热层以及第二上绝缘保护层。上散热层位于第一上绝缘保护层与第二上绝缘保护层之间。上部结构以第一上绝缘保护层贴附于下部结构。上部结构于可挠性线路基板上的正投影面积大于且完全覆盖下部结构于可挠性线路基板上的正投影面积。下部结构于可挠性线路基板上的正投影不重叠于预定弯折区。
3、基于上述，本专利技术的薄膜覆晶封装
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1.一种薄膜覆晶封装结构，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中在重叠于所述下部结构的位置，所述上散热层至所述可挠性线路基板的最小垂直距离不小于80微米。
3.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述上散热层于所述可挠性线路基板上的正投影部分重叠于所述预定弯折区。
4.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述可挠性线路基板更包括切割线，所述散热结构的所述上部结构于所述可挠性线路基板上的正投影位于所述切割线之内。
5.根据权利要求4所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述上部结构平行于所述第一方向的边界于所述可挠性线路基板上的正投影位于所述切割线与所述预定弯折区之间。
6.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述散热结构的所述上部结构更包括第一上黏着层及第二上黏着层，分别位于所述第一上绝缘保护层与所述上散热层之间以及所述上散热层与所述第二上绝缘保护层之间。
7.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述散热结构的所述下部结构更包括第二下黏着层以及下散热层，其中所述下散热层位于所述第
8.根据权利要求7所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述上散热层于所述可挠性线路基板上的正投影面积大于且完全覆盖所述下散热层于所述可挠性线路基板上的正投影面积。
9.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，更包括底部填充胶，填充于所述芯片与所述可挠性线路基板之间并覆盖所述芯片的四周，其中所述散热结构的所述下部结构于所述可挠性线路基板上的正投影完全覆盖所述底部填充胶于所述可挠性线路基板上的正投影。
10.根据权利要求9所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述下部结构于所述可挠性线路基板上的正投影面积大于所述底部填充胶于所述可挠性线路基板上的正投影面积。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜覆晶封装结构，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中在重叠于所述下部结构的位置，所述上散热层至所述可挠性线路基板的最小垂直距离不小于80微米。
3.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述上散热层于所述可挠性线路基板上的正投影部分重叠于所述预定弯折区。
4.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述可挠性线路基板更包括切割线，所述散热结构的所述上部结构于所述可挠性线路基板上的正投影位于所述切割线之内。
5.根据权利要求4所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述上部结构平行于所述第一方向的边界于所述可挠性线路基板上的正投影位于所述切割线与所述预定弯折区之间。
6.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述散热结构的所述上部结构更包括第一上黏着层及第二上黏着层，分别位于所述第一上绝缘保护层与所述上散热层之间以及所述上散热层与所述第二上...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖奎佑，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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