半导体装置制造方法及图纸

提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括具有第一电极及背栅极的晶体管以及具有一对电极的电容器，晶体管的背栅极与半导体之间有可具有铁电性的第一绝缘体。第一绝缘体隔着第二绝缘体与半导体重叠。晶体管的源极及漏极中的一个与第一电极电连接。晶体管的源极及漏极中的另一个与一对电极中的一个电连接。一对电极都与第一绝缘体接触并具有隔着第一绝缘体彼此重叠的区域。作为第一绝缘体，使用铁电体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置。此外，本专利技术的一个方式不限定于上述。本说明书等所公开的专利技术的涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition ofmatter)。因此，作为根据本专利技术的一个方式的的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法、它们的检查方法或它们的使用方法等。

技术介绍

1、近年来，对lsi、cpu、存储器(存储装置)等半导体装置进行开发。这些半导体装置用于计算机、便携式信息终端等各种电子设备。此外，根据运算处理执行时的暂时存储、数据的长期存储等用途，开发各种存储方式的存储器。作为典型的存储方式的存储器，可以举出dram、sram及闪存等。

2、此外，如非专利文献1所示，利用铁电体(ferroelectric)的存储器的研究开发活跃。此外，为了实现下一代铁电存储器，铁电性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.一种半导体装置，包括：

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，包括：

2.一种半导体装置，包括：

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：松崎隆德，大贯达也，国武宽司，方堂凉太，神保安弘，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：