【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置。此外，本专利技术的一个方式不限定于上述。本说明书等所公开的专利技术的涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition ofmatter)。因此，作为根据本专利技术的一个方式的的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法、它们的检查方法或它们的使用方法等。
技术介绍
1、近年来，对lsi、cpu、存储器(存储装置)等半导体装置进行开发。这些半导体装置用于计算机、便携式信息终端等各种电子设备。此外，根据运算处理执行时的暂时存储、数据的长期存储等用途，开发各种存储方式的存储器。作为典型的存储方式的存储器，可以举出dram、sram及闪存等。
2、此外，如非专利文献1所示，利用铁电体(ferroelectric)的存储器的研究开发活跃。此外，为了实现下一代铁电存储器，铁电性hfo2类材料的研究(非专利文献2)、关于铪氧化物薄膜的铁电性的研究(非专利文献3)、关于hfo2薄膜的铁电性的研究(非专利文献4)以及使用铁电体hf0.5zr0.5o2的feram与cmos的统合的实证(非专利文献5)等有关氧化铪的研究也活跃。
3、[先行技术文献]
4、[非专利文献]
5、[非专利文献1]t.s.boescke，etal，
6、[非专利文献2]zhen fan，et al，“ferroelectric hfo2-based materials fornext-generation ferroelectric memories”，journal of advanced dielectrics，vol.6，no.2，2016
7、[非专利文献3]jun okuno，et al，“soc compatible 1t1c feram memoryarraybased on ferroelectric hf0.5zr0.5o2”，vlsi 2020
8、[非专利文献4]akira toriumi,"ferroelectric properties of thinhfo2films",the japan society ofapplied physics,vol.88,no.9,2019
9、[非专利文献5]t.francois，etal，“demonstrationofbeol-compatibleferroelectric hf0.5zr0.5o2 scaled feram co-integrated with 130nm cmos forembeddednvm applications”，iedm 2019
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种占有面积小的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种存储容量大的半导体装置。
3、注意，根据本专利技术的一个方式的目的不局限于上述列举的目的。上述列举的目的并不妨碍其他目的的存在。其他目的是指将在下面的记载中描述的上述以外的目的。所属
的普通技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出上述以外的目的。此外，本专利技术的一个方式并不需要实现所有的上述目的及其他目的。此外，本专利技术的一个方式实现上述列举的目的和其他目的中的至少一个。
4、解决技术问题的手段
5、本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括具有第一电极、第一绝缘体、第二绝缘体、栅极、背栅极及半导体的晶体管以及具有一对电极的电容器，背栅极具有隔着第一绝缘体及第二绝缘体与半导体重叠的区域，晶体管的源极及漏极中的一个与第一电极电连接，晶体管的源极及漏极中的另一个与一对电极中的一个电连接，一对电极都与第一绝缘体接触并具有隔着第一绝缘体彼此重叠的区域，并且第一绝缘体为铁电体。
6、本专利技术的另一个方式是一种半导体装置，包括被层叠的多个层以及贯穿多个层的第一电极，多个层都包括具有第一绝缘体、第二绝缘体、栅极、背栅极及半导体的晶体管以及具有一对电极的电容器，背栅极具有隔着第一绝缘体及第二绝缘体与半导体重叠的区域，晶体管的源极及漏极中的一个与第一电极电连接，晶体管的源极及漏极中的另一个与一对电极中的一个电连接，一对电极都与第一绝缘体接触并具有隔着第一绝缘体彼此重叠的区域，并且第一绝缘体为铁电体。
7、上述一对电极中的另一个及背栅极也可以设置在同一绝缘体上。此外，第一绝缘体优选包含铪、锆及氧。或者，第一绝缘体优选包含铝、钪及氮。第二绝缘体也可以包含硅及氧。
8、上述一对电极优选都包含钛及氮。上述半导体优选为氧化物半导体。上述半导体优选包含铟及锌中的至少一个以及氧。
9、专利技术效果
10、根据本专利技术的一个方式，可以提供一种新颖半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种占有面积小的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种可靠性高的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种功耗低的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种存储容量大的半导体装置。
11、注意，本专利技术的一个方式的效果不局限于上述列举的效果。上述列举的效果并不妨碍其他效果的存在。因此，本专利技术的一个方式有时不具有上述列举的效果。其他效果是指将在下面的记载中描述的上述以外的效果。所属
的普通技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出上述以外的效果。此外，本专利技术的一个方式具有上述列举的效果和其他效果中的至少一个。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.一种半导体装置，包括：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，包括：
2.一种半导体装置，包括：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：松崎隆德，大贯达也，国武宽司，方堂凉太，神保安弘，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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