双向集成埋入式芯片重布线POP封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种双向集成埋入式芯片重布线POP封装结构及其制作方法，所述结构包括第一封装体和第二封装体，第一封装体包括第二线路层（8），第二线路层（8）正面设置有第一连接铜柱（1）和第一元器件（2），第一连接铜柱（1）和第一元器件（2）外包封有第一绝缘材料（3），第一绝缘材料（3）正面设置有第一线路层（4），第一线路层（4）正面设置有第二连接铜柱（5）和第二元器件（6），第二连接铜柱（5）和第二元器件（6）外包封有第二绝缘材料（7），第二线路层（8）背面设置有第三连接铜柱（9），第三连接铜柱（9）上设置有金属球（11）。本发明专利技术能够多层双向埋入，无源器件贴装个数更多，有效节约了基板空间提高了封装工艺的集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双向集成埋入式芯片重布线POP封装结构及其制作方法，属于半导体封装

技术介绍
随着电子器件向着高功能化、微型化方向发展，电子系统中无源器件占比也来越多。目前无源器件主要采用表面贴装的方式，不仅占据了基板表面大量的空间，而且表面焊点数量多及互连长度较长，大大降低了系统的电性能、可靠性等等。为节省电路板/基板表面空间，以及提供更轻薄、性能更好、可靠性更强的电子系统，将表面贴装型无源器件转变为可埋入式无源器件，连同有源元件全部埋置于基板内部的终极三维封装技术被视为解决问题的趋势。目前传统的三维封装结构如图1所示，其制作方式是在基板的一面埋入无源、有源元件，压合或涂布绝缘材料，通过镭射钻孔电镀盲孔技术将底层功能引到第二连接层再制作线路层，其仍然存在以下缺点：常规基板易变形且厚度较厚，不利于提高封装集成度；镭射钻孔电镀盲孔工艺精度不高且散热性、电性不佳，尤其是对于高频高功率的产品。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种双向集成埋入式芯片重布线POP封装结构及其制作方法，它能够多层双向埋入元器件，有效地节约了基板空间提高了封装工艺的集成度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向集成埋入式芯片重布线POP封装结构，其特征在于：它包括第一封装体和第二封装体，所述第一封装体包括第二线路层（8），所述第二线路层（8）正面设置有第一连接铜柱（1）和第一元器件（2），所述第一连接铜柱（1）和第一元器件（2）外围包封有第一绝缘材料（3），所述第一绝缘材料（3）正面设置有第一线路层（4），所述第一线路层（4）正面设置有第二连接铜柱（5）和第二元器件（6），所述第二连接铜柱（5）和第二元器件（6）外围包封有第二绝缘材料（7），所述第二线路层（8）背面设置有第三连接铜柱（9），所述第二线路层（8）和第三连接铜柱（9）外围包封有第三塑封材料（10），所述第三连接铜柱（9）的植球区...

【技术特征摘要】
1.一种双向集成埋入式芯片重布线POP封装结构，其特征在于：它包括第一封装体和第二封装体，所述第一封装体包括第二线路层（8），所述第二线路层（8）正面设置有第一连接铜柱（1）和第一元器件（2），所述第一连接铜柱（1）和第一元器件（2）外围包封有第一绝缘材料（3），所述第一绝缘材料（3）正面设置有第一线路层（4），所述第一线路层（4）正面设置有第二连接铜柱（5）和第二元器件（6），所述第二连接铜柱（5）和第二元器件（6）外围包封有第二绝缘材料（7），所述第二线路层（8）背面设置有第三连接铜柱（9），所述第二线路层（8）和第三连接铜柱（9）外围包封有第三塑封材料（10），所述第三连接铜柱（9）的植球区域设置有金属球（11），所述第二封装体堆叠设置于第一封装体的第二连接铜柱（5）上。2.一种双向集成埋入式芯片重布线POP封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：步骤一、取一金属载板步骤二、金属载板正面电镀第一连接铜柱步骤三、在金属载板正面贴装第一元器件步骤四、金属载板正面覆盖第一层绝缘材料在金属载板正面覆盖第一层绝缘材料，在第一层绝缘材料表面进行研磨，直到露出第一连接铜柱为止；步骤五、第一层绝缘材料正面电镀第一线路层步骤六、第一线路层正面电镀第二连接铜柱步骤七、第一线路层正面贴装第二元器件步骤八、第一层绝缘材料正面覆盖第二层绝缘材料在第一层绝缘材料正面覆盖第二层绝缘材料在第二层绝缘材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，陈灵芝，张凯，郁科锋，
申请(专利权)人：江阴芯智联电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32