一种PoP封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种PoP封装结构及其制造方法，该PoP封装通过上、下封装堆叠形成。下封装体包括了第一金属凸点结构、第一IC芯片、凸点、第一塑封料、第二金属凸点结构、第一金属层、再布线金属走线层、介电材料层、第二金属层和第一焊球。所述方法：在金属基材薄板上表面制作第一金属凸点结构，倒装芯片贴片，塑封，在塑封材料上制作通孔，在通孔中制作第二金属凸点结构，制作再布线金属走线层，植球和回流工艺形成下封装体。在下封装体上方直接贴装BGA封装等其他封装作为上封装体，或者在下封装体上方进行上芯、引线键合和塑封工艺形成上封装体，形成PoP封装。该发明专利技术解决了现有PoP封装技术所存在的封装密度和成本问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种PoP封装结构，其特征在于，所述结构是由下封装体(50)和上封装体组成；所述下封装体(50)包括了第一金属凸点结构(2)、第一IC芯片(3)、凸点(4)、第一塑封料(5)、第二金属凸点结构(6)、第一金属层(7)、再布线金属走线层(8)、介电材料层(9)、第二金属层(10)和第一焊球(11)；所述具有凸点(4)的第一IC芯片(3)倒装贴装于第一金属凸点结构(2)上，所述第一金属凸点结构(2)上部依次与第二金属凸点结构(6)和第一金属层(7)连接，第一塑封料(5)包围了凸点(4)、第一IC芯片(3)、第一金属凸点结构(2)和第二金属凸点结构(6)，裸露第一IC芯片(3)的背面；所述第一金属凸...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏国峰，于大全，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61