【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种扇出型圆片级芯片倒装封装结构。
技术介绍
在当前的半导体行业中，电子封装已经成为行业发展的一个重要方面。几十年的封装技术的发展，使高密度、小尺寸的封装要求成为封装的主流方向。扇出WLP是在晶圆一级加工的埋置型封装，也是一个I/O数量大，集成灵活性高的主要先进封装工艺。而且，它能在一个封装内实现垂直和水平方向多芯片集成且不用衬底。这样，扇出WLP技术目前正在发展成为下一代封装技术，如多芯片、低剖面封装和3DSip。随着电子产品向更薄、更轻、更高引脚密度、更低成本方面发展，采用单颗芯片封装技术已经逐渐无法满足产业需求，一种新的封装技术即圆片级封装技术的出现为封装行业向低成本封装发展提供了契机。目前，圆片级扇出倒装封装结构，通过重构圆片和圆片级再布线的方式，实现芯片扇出结构的塑封，最终切割成单颗封装体，但其仍存在如下不足:1)、其强度偏低，使扇出(Fan-out)结构的支撑强度不够，在薄型封装中难以应用；2)、扇出(Fan-out)结构较为单一，应用不够广泛；3)、现有工艺不利于产品的低成本化；4)、I/O端密度相对较...
【技术保护点】
一种扇出型圆片级芯片倒装封装结构，包括焊盘(2)、芯片(8)、导电层(6)、电介层(5)，其特征在于：芯片(8)安装固定在所述焊盘(2)上；焊盘(2)与导电层(6)相连并位于导电层(6)上方，导电层(6)和电介层(5)在同一层面上，电介层(5)把导电层(6)分隔成不相连的不同区域，导电层底部裸露形成电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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