半导体封装件和制造半导体封装件的方法技术

公开了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：封装基体基底；至少一个第一半导体芯片，设置在封装基体基底上；第一模制构件，设置在与所述至少一个第一半导体芯片相同的水平处并且不覆盖所述至少一个第一半导体芯片的上表面；至少一个第二半导体芯片，堆叠在所述至少一个第一半导体芯片上以在所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件上方延伸，其中，所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件的至少一部分设置在封装基体基底和所述至少一个第二半导体芯片之间；以及第二模制构件，设置在与所述至少一个第二半导体芯片相同的水平处。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件和制造半导体封装件的方法本申请要求在2013年11月14日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0138363号韩国专利申请的优先权的权益，通过引用将该韩国专利申请的全部公开内容包含于此。
本公开涉及半导体封装件和制造半导体封装件的方法，更具体地讲，涉及包括多个半导体芯片的堆叠式半导体封装件和制造堆叠式半导体封装件的方法。
技术介绍
随着电子工业和用户需求的快速发展，电子装置正在变得更紧凑、更轻和多功能化。因此，通常要求电子装置中使用的半导体封装件紧凑、质轻和多功能化，因此需要在单个半导体封装件中包括多个半导体芯片的堆叠式半导体封装件。然而，在堆叠式半导体封装件均包括不同类型的半导体芯片的情况下，因为半导体芯片堆叠的顺序根据半导体芯片的尺寸受限，所以难以获得不同的半导体芯片在考虑到它们的各自功能的情况下堆叠的堆叠式半导体封装件。
技术实现思路
公开的实施例描述了一种半导体封装件，在该半导体封装件中可以堆叠半导体芯片使得一个半导体芯片从另一个半导体芯片伸出。在一些实施例中，半导体芯片可以因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基体基底；至少一个第一半导体芯片，设置在封装基体基底上；第一模制构件，设置在与所述至少一个第一半导体芯片相同的水平处并且不覆盖所述至少一个第一半导体芯片的上表面；至少一个第二半导体芯片，堆叠在所述至少一个第一半导体芯片上以在所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件上方延伸，其中，第一模制构件的至少一部分和所述至少一个第一半导体芯片设置在封装基体基底和所述至少一个第二半导体芯片之间；以及第二模制构件，设置在与所述至少一个第二半导体芯片相同的水平处，其中，第二模制构件在界面处接触第一模制构件，第一模制构件由具有第一杨氏模量的材料形成，第二模制构件由具有比...

【技术特征摘要】
2013.11.14 KR 10-2013-01383631.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
封装基体基底；
至少一个第一半导体芯片，设置在封装基体基底上；
第一模制构件，设置在与所述至少一个第一半导体芯片相同的水平处并且不覆盖所述至少一个第一半导体芯片的上表面；
至少一个第二半导体芯片，堆叠在所述至少一个第一半导体芯片上以在所述至少一个第一半导体芯片和第一模制构件上方延伸，其中，第一模制构件的至少一部分和所述至少一个第一半导体芯片设置在封装基体基底和所述至少一个第二半导体芯片之间；
第二模制构件，设置在与所述至少一个第二半导体芯片相同的水平处，并且不覆盖所述至少一个第二半导体芯片的上表面；以及
散热板，设置在第二模制构件的上表面以及所述至少一个第二半导体芯片的上表面上，其中，
第二模制构件的最下面的表面在第一模制构件和第二模制构件之间的界面处接触第一模制构件的最上面的表面，
第二模制构件的上表面与所述至少一个第二半导体芯片的上表面共面，
第一模制构件由具有第一杨氏模量的材料形成，第二模制构件由具有比第一杨氏模量大的第二杨氏模量的材料形成。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一模制构件覆盖所述至少一个第一半导体芯片的侧表面。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，相对于封装基体基底的上表面，第一模制构件的上表面形成在与所述至少一个第一半导体芯片的上表面相同的水平处。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第二模制构件覆盖所述至少一个第二半导体芯片的侧表面。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：
形成第一模制构件的材料是包括使得第一模制构件具有第一杨氏模量的第一填料颗粒的第一材料；以及
形成第二模制构件的材料是包括使得第二模制构件具有第二杨氏模量的第二填料颗粒的第一材料。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：
形成第二模制构件的材料覆盖所述至少一个第二半导体芯片的侧表面并填充所述至少一个第一半导体芯片和所述至少一个第二半导体芯片之间的空间。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：
形成第二模制构件的材料覆盖所述至少一个第二半导体芯片的侧表面，并且不同的材料填充所述至少一个第一半导体芯片和所述至少一个第二半导体芯片之间的空间，使得形成第二模制构件的材料和所述不同的材料都覆盖第一模制构件的最上面的表面。


8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：
所述至少一个第一半导体芯片包括穿透电极，
所述至少一个第二半导体芯片通过穿透电极电连接到封装基体基底。


9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个第二半导体芯片的上表面大于所述至少一个第一半导体芯片的上表面，和/或，所述至少一个第二半导体芯片的在与封装基体基底的上表面平行的第一方向上的宽度大于所述至少一个第一半导体芯片的在第一方向上的宽度。


10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一模制构件的外侧表面与第二模制构件的外侧表面共面。


11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
封装基底，在半导体封装件的底部处；
第一半导体芯片，堆叠在封装基底上，并设置在封装基底上方；
第二半导体芯片，堆叠在封装基底上，并设置在第一半导体芯片上方，其中，第二半导体芯片伸出第一半导体芯片；
一组第一穿透电极，竖直地延伸穿过第一半导体芯片并将封装基底的电路电连接到第二半导体芯片的电路；
第一模制构件，在与第一半导体芯片相同的水平处并覆盖第一半导体芯片的侧表面而不覆盖第一半导体芯片的上表面；
第二模制构件，在与第二半导体芯片相同的水平处并覆盖第二半导体芯片的侧表面，并且不覆盖第二半导体芯片的上表面；以及
散热板，设置在第二模制构件的上表面以及第二半导体芯片的上表面上，
其中，第二半导体芯片竖直地叠置第...

【专利技术属性】
技术研发人员：马金希，赵泰济，金知晃，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR