半导体封装件及其制法制造技术

一种半导体封装件及其制法，该制法为先提供一设有半导体元件的承载件，再形成一具有至少一开口的封装层于该承载件上，使该封装层包覆该半导体元件，且该开口的侧面呈平滑表面；接着，形成线路层于该封装层的第二表面上，且该线路层具有形成于该开口中的导电体，之后移除该承载件，以藉由同时制成该封装层与该开口，不仅能避免该开口的壁面过于粗糙，且能大幅缩短制程时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装制程，特别是关于一种能避免激光钻孔的问题的。
技术介绍
随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，遂开发出不同的立体封装技术，例如，扇出式封装堆迭(Fan Out Package on package,简称F0 PoP)等，以配合各种晶片上大幅增加的输入/出埠数量，进而将不同功能的积体电路整合于单一封装结构，此种封装方式能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子元件，例如:记忆体、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，藉由堆迭设计达到系统的整合，适合应用于轻薄型各种电子产品。图1A至图1F为现有封装堆迭装置的其中一半导体封装件1的制法的剖面示意图。如图1A所示，设置一如晶片的半导体元件10于一承载件11的热化离形层110上，再形成一封装层13于该热化离形层110上以包覆该半导体元件10。如图1B所示，将具有铜箔120的另一承载件12设于该封装层13上。如图1C所示，移除该承载件11及其热化离形层110，以露出该半导体元件10与封装层13。如图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：至少一半导体元件；一具有相对的第一表面与第二表面的封装层，其包覆该半导体元件，该封装层具有至少一开口及至少一开槽，该开口连通该第一及第二表面，该开槽连通该第二表面并呈现绝缘状态，其中，该开口的侧面呈平滑表面；以及线路层，其设于该封装层的第二表面上，且该线路层具有形成于该开口中的导电体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赖杰隆，戴瑞丰，陈贤文，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71