半导体封装件及其制法制造技术

一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括基板、至少一电子元件与封装胶体，该电子元件接置且电性连接于该基板上，该封装胶体形成于该基板上，且包覆该电子元件，且该封装胶体包括：占该封装胶体总重5至10重量％的环氧树脂；占该封装胶体总重1至5重量％的酚树脂；占该封装胶体总重65至75重量％的氧化铁；占该封装胶体总重5至30重量％的二氧化硅；以及占该封装胶体总重0.1至1重量％的碳黑，藉此有效改善电磁干扰问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤指一种具有电磁遮蔽能力的。
技术介绍
由于电子产业的蓬勃发展，大部份的电子产品均朝向微型化及高速化的目标发展，尤其现今通讯产业的发展已普遍运用整合于各类电子产品，例如移动电话(cell phone)或膝上型电脑(laptop)等等；然而，上述的电子产品均需使用高频的射频晶片，且该射频晶片的位置可能相邻数字集成电路(digital 1C)、数字信号处理器(Digital Signal Processor, DSP)或基带(BaseBand, BB)晶片，造成彼此电磁干扰(electromagnetic interference, EU)的现象，因此，必须进行电磁屏蔽(Electromagnetic Shielding)处理。图1A与图1B所示者，分别为现有射频模组的立体图与剖视图。该射频模组I用于将多个半导体元件IlaUlb电性连接在一基板10上，再以如环氧树脂的封装胶体12包覆各该半导体元件IlaUlb及基板10，并于该封装胶体12上罩设一金属薄膜13。该射频模组I藉由该封装胶体12保护该半导体元件11a、Ilb及基板10，并避免外界水气或污染物的侵害，且藉由该金属薄膜13保护该等半导体元件IlaUlb免受外界电磁干扰的影响。图2所示者，为另一种现有射频模组的剖视图。该射频模组2于外围包覆有屏障(shielding)层23，以避免该射频模组2与其他模组产生相互电磁干扰。虽然现有射频模组1、2可藉由于外围包覆金属材以达到避免电磁干扰的目的，然而，该金属薄膜13或该屏障层23的设置将导致制程时间过长及成本过高的缺点。因此，如何避免上述现有技术中的种种问题，实为目前业界所急需解决的课题。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的缺失，本专利技术的目的为提供一种，以有效改善电磁干扰问题。本专利技术的半导体封装件包括:基板；接置且电性连接于该基板上的至少一电子元件；以及形成于该基板上的封装胶体，其包覆该电子元件，其中，该封装胶体包括:占该封装胶体总重5至10重量％的环氧树脂；占该封装胶体总重I至5重量％的酚树脂；占该封装胶体总重65至75重量％的氧化铁；占该封装胶体总重5至30重量％的二氧化硅；以及占该封装胶体总重0.1至I重量％的碳黑。于前述的半导体封装件中，该二氧化硅为非晶形二氧化硅(amorphous silica),且该电子元件为主动元件或被动元件。于本专利技术中，该电子元件为射频模组，该电子元件为射频晶片，且该射频晶片为蓝牙晶片或W1-Fi晶片。本专利技术还提供一种半导体封装件的制法，包括:基板上接置且电性连接至少一电子元件；以及于该基板上形成包覆该电子元件的封装胶体，且该封装胶体包括:占该封装胶体总重5至10重量％的环氧树脂；占该封装胶体总重I至5重量％的酚树脂；占该封装胶体总重65至75重量％的氧化铁；占该封装胶体总重5至30重量％的二氧化硅；以及占该封装胶体总重0.1至I重量％的碳黑。于前述的半导体封装件的制法中，该二氧化硅为非晶形二氧化硅(amorphoussilica),且该电子元件为主动元件或被动元件。本专利技术的半导体封装件的制法中，该电子元件为射频模组，该电子元件为射频晶片，且该射频晶片为蓝牙晶片或W1-Fi晶片。由上可知，本专利技术的封装胶体具有抑制电磁干扰的成分，所以无须再于外表面敷设任何金属层，进而能缩短制程、提升产品良率、降低制造成本及提高信赖性；此外，该封装胶体也具有良好的散热能力，故无须再处理散热问题，进而能缩短产品开发时间，并降低成本。【附图说明】图1A与图1B所示者分别为现有射频模组的立体图与剖视图。图2所示者为另一种现有射频模组的剖视图。图3A与图3B所示者为本专利技术的半导体封装件的制法的剖视图。符号说明1、2射频模组10、30 基板IlaUlb半导体元件12、32 封装胶体13金属薄膜23屏障层30a第一表面30b第二表面31电子元件。【具体实施方式】以下藉由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用于限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的用语也仅为便于叙述的明了，而非用于限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。图3A与图3B所示者，为本专利技术的半导体封装件的制法的剖视图。如图3A所示，于一具有相对的第一表面30a及第二表面30b的基板30的该第一表面30a上接置且电性连接至少一电子元件31。于本实施例中，该电子元件31可为主动元件或被动元件，该电子元件31可为射频模组，该电子元件31可为射频晶片，且该射频晶片可为蓝牙晶片或W1-Fi晶片。如图3B所示，于该基板30的第一表面30a上形成包覆该电子元件31的封装胶体32,且该封装胶体32包括:占该封装胶体总重5至10重量％的环氧树脂(epoxy resin)；占该封装胶体总重I至5重量％的酸树脂(phenol resin)；占该封装胶体总重65至75重量％的氧化铁(Fe2O3);占该封装胶体总重5至30重量％的二氧化硅(silica);以及占该封装胶体总重0.1至I重量％的碳黑(carbon black)。要补充说明的是，该氧化铁于烧结后具有高绝缘阻抗、高散热率及吸收与抑制电磁干扰(EMI)的能力，将研磨成粉状的该氧化铁混合至该环氧树脂中并进行搅拌，以制成该封装胶体32。于本实施例中，该二氧化硅可为非晶形二氧化硅(amorphous silica)。本专利技术还提供一种半导体封装件，包括:基板30，其具有相对的第一表面30a及第二表面30b ;至少一电子元件31，其接置且电性连接于该基板30的第一表面30a上；以及封装胶体32，其形成于该基板30的第一表面30a上，且包覆该电子元件31，于该封装胶体32包括:占该封装胶体总重5至10重量％的环氧树脂；占该封装胶体总重I至5重量％的酚树脂；占该封装胶体总重65至75重量％的氧化铁；占该封装胶体总重5至30重量％的二氧化硅；以及占该封装胶体总重0.1至I重量％的碳黑。依上所述的半导体封装件，该二氧化硅为非晶形二氧化硅(amorphous silica),且该电子元件31为主动元件或被动元件。于本实施例的半导体封装件中，该电子元件31为射频模组，该电子元件31为射频晶片，且该射频晶片为蓝牙晶片或W1-Fi晶片。综上所述，相较于现有技术，由于本专利技术的封装胶体具有抑制电磁干扰(EMI)的成分，所以无须再额外包覆形成金属材料，进而能缩短制程、提升产品良率、降低制造成本及提高信赖性；此外，该封装胶体也具有良好的散热能力，故无须针对散热问题再思考对策，以缩短产品开发时间，并降低成本。上述实施例仅用于例示性说明本专利技术的原理及其功效，而非用于限制本专利技术。任何本领域技术人员均可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本专利技术的权利保护范围，应如权利要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：基板；至少一电子元件，其接置且电性连接于该基板上；以及封装胶体，其形成于该基板上，且包覆该电子元件，其中，该封装胶体包括：占该封装胶体总重5至10重量％的环氧树脂；占该封装胶体总重1至5重量％的酚树脂；占该封装胶体总重65至75重量％的氧化铁；占该封装胶体总重5至30重量％的二氧化硅；以及占该封装胶体总重0.1至1重量％的碳黑。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：许聪贤，钟兴隆，朱德芳，陈嘉扬，邱志贤，张敬昇，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71