System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电子封装件及其制法制造技术_技高网

电子封装件及其制法制造技术

技术编号:40416245 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-20 22:33
一种电子封装件及其制法,包括于一承载结构上设置多个电子元件及一位于相邻两电子元件之间的屏蔽结构,该屏蔽结构形成有至少一空腔及位于该空腔相对两侧的屏蔽件,使该两电子元件之间配置有多个屏蔽件,故电磁信号会经由该些屏蔽件反射,避免该两电子元件之间相互电磁干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种半导体装置,尤指一种具屏蔽结构的电子封装件及其制法


技术介绍

1、随着半导体技术的演进,半导体产品已开发出不同封装产品型态,而为提升电性品质,多种半导体产品具有屏蔽的功能,以防止电磁干扰(electromagneticinterference,简称emi)。

2、如图1a所示,现有避免emi的射频(radio frequency,简称rf)模块1于一封装基板10上置放多个半导体芯片11、被动元件19与屏蔽件12,该些半导体芯片11与被动元件19电性连接该封装基板10,且该屏蔽件12位于两相邻的半导体芯片11之间。接着,形成一封装胶体13于该封装基板10上,以包覆该半导体元件11与该屏蔽件12。之后,将一金属层14形成于该封装胶体13上以保护该些半导体芯片11免受外界emi影响。

3、但是,现有射频模块1中,若该些半导体芯片11的电磁波太强,而两者之间仅通过单一金属板作为屏蔽件12,如图1b所示,将无法避免各该半导体芯片11之间的电磁干扰(emi),导致各该半导体芯片11的信号传递容易发生错误。

4、因此,如何克服上述现有技术的问题,实已成目前亟欲解决的课题。


技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的种种缺陷,本专利技术提供一种电子封装件及其制法,以解决现有技术中的至少部分问题。

2、本专利技术的电子封装件,包括:承载结构;多个电子元件,其设于该承载结构上且电性连接该承载结构;以及屏蔽结构,其设于该承载结构上并位于该多个电子元件的任二者之间,其中,该屏蔽结构形成有至少一空腔及位于该至少一空腔相对两侧的屏蔽件,使多个该屏蔽件位于该多个电子元件的任二者之间。

3、本专利技术还提供一种电子封装件的制法,包括:将多个电子元件设于一承载结构上,且令该多个电子元件电性连接该承载结构;以及将屏蔽结构设于该承载结构上,以令该屏蔽结构位于该多个电子元件的任二者之间,其中,该屏蔽结构形成有至少一空腔及位于该至少一空腔相对两侧的屏蔽件,使多个该屏蔽件位于该多个电子元件的任二者之间。

4、前述的电子封装件及其制法中,该屏蔽结构具有宽度不同的多个段部,以令该至少一空腔形成于该多个段部的较宽者上。例如,该多个段部的较宽者的宽度至多大于该多个段部的较窄者的宽度的10倍。

5、前述的电子封装件及其制法中,该屏蔽结构的顶面呈类工字形、类z字形或类中字形。

6、前述的电子封装件及其制法中,该至少一空腔的深度小于或等于该屏蔽结构的厚度。

7、前述的电子封装件及其制法中,该至少一空腔的深度为该屏蔽结构的厚度的1/5至4/5。

8、前述的电子封装件及其制法中,还包括形成包覆层于该承载结构上,以令该包覆层包覆该多个电子元件与该屏蔽结构。例如,该屏蔽结构的至少部分表面外露于该包覆层。进一步,可形成遮蔽层于该包覆层上。

9、前述的电子封装件及其制法中,该至少一空腔开口朝向该承载结构及/或该至少一空腔形成于该屏蔽结构的顶面上。

10、由上可知,本专利技术的电子封装件及其制法中,主要通过该屏蔽件的设计,以于相邻两电子元件之间形成多道屏蔽件,使其中一电子元件的电磁信号经由该些屏蔽件反射而远离另一电子元件,故相比于现有技术,本专利技术的电子元件之间不会相互电磁干扰,进而使终端产品的可靠性更佳。

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【技术保护点】

1.一种电子封装件,包括:

2.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该屏蔽结构具有宽度不同的多个段部,以令该至少一空腔形成于该多个段部的较宽者上。

3.如权利要求2所述的电子封装件,其中,该多个段部的较宽者的宽度至多大于该多个段部的较窄者的宽度的10倍。

4.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该屏蔽结构的顶面呈类工字形、类Z字形或类中字形。

5.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该至少一空腔的深度小于或等于该屏蔽结构的厚度。

6.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该至少一空腔的深度为该屏蔽结构的厚度的1/5至4/5。

7.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括形成于该承载结构上以包覆该多个电子元件与该屏蔽结构的包覆层。

8.如权利要求7所述的电子封装件,其中,该屏蔽结构的至少部分表面外露于该包覆层。

9.如权利要求7所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括形成于该包覆层上的遮蔽层。

10.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该至少一空腔开口朝向该承载结构及/或该至少一空腔形成于该屏蔽结构的顶面上。

11.一种电子封装件的制法,包括:

12.如权利要求11所述的电子封装件的制法,其中,该屏蔽结构具有宽度不同的多个段部,以令该至少一空腔形成于该多个段部的较宽者上。

13.如权利要求12所述的电子封装件的制法,其中,该多个段部的较宽者的宽度至多大于该多个段部的较窄者的宽度的10倍。

14.如权利要求11所述的电子封装件的制法,其中,该屏蔽结构的顶面呈类工字形、类Z字形或类中字形。

15.如权利要求11所述的电子封装件的制法,其中,该至少一空腔的深度小于或等于该屏蔽结构的厚度。

16.如权利要求11所述的电子封装件的制法,其中,该至少一空腔的深度为该屏蔽结构的厚度的1/5至4/5。

17.如权利要求11所述的电子封装件的制法,其中,该制法还包括形成包覆层于该承载结构上,以令该包覆层包覆该多个电子元件与该屏蔽结构。

18.如权利要求17所述的电子封装件的制法,其中,该屏蔽结构的至少部分表面外露于该包覆层。

19.如权利要求17所述的电子封装件的制法,其中,该制法还包括形成遮蔽层于该包覆层上。

20.如权利要求11所述的电子封装件的制法,其中,该至少一空腔开口朝向该承载结构及/或该至少一空腔形成于该屏蔽结构的顶面上。

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【技术特征摘要】

1.一种电子封装件,包括:

2.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该屏蔽结构具有宽度不同的多个段部,以令该至少一空腔形成于该多个段部的较宽者上。

3.如权利要求2所述的电子封装件,其中,该多个段部的较宽者的宽度至多大于该多个段部的较窄者的宽度的10倍。

4.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该屏蔽结构的顶面呈类工字形、类z字形或类中字形。

5.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该至少一空腔的深度小于或等于该屏蔽结构的厚度。

6.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该至少一空腔的深度为该屏蔽结构的厚度的1/5至4/5。

7.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括形成于该承载结构上以包覆该多个电子元件与该屏蔽结构的包覆层。

8.如权利要求7所述的电子封装件,其中,该屏蔽结构的至少部分表面外露于该包覆层。

9.如权利要求7所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括形成于该包覆层上的遮蔽层。

10.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该至少一空腔开口朝向该承载结构及/或该至少一空腔形成于该屏蔽结构的顶面上。

11.一种电子封装件的制法,包括:

【专利技术属性】
技术研发人员:邱志贤何志强简俊忠蔡文荣
申请(专利权)人:矽品精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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