半导体封装件及其制法制造技术

一种半导体封装件及其制法，该制法，先提供一具有多个凹槽的承载件及多个承载体，且单一该承载体上设有多个电子元件；接着，将各该承载体对应置放于各该凹槽中，使各该电子元件凸出于该承载件上，再形成封装材于该承载件上以包覆该些电子元件，之后移除各该承载体与该承载件，最后进行分离制程。藉由该承载体与该凹槽的设计，以将整版面结构分割成所需尺寸的封装区块，而于后续可以现有机台进行切单制程，所以能省去机台开发的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种半导体封装件的制法，尤指一种提升产能的。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化(miniaturizat1n)的封装需求,发展出晶圆级封装(Wafer LevelPackaging, WLP)的技术。如图1A至图1E，其为现有晶圆级半导体封装件I的制法的剖面示意图。如图1A所示,形成一热化离型胶层(thermal release tape) 11于一承载件10上。接着，置放多个半导体元件12于该热化离型胶层11上，该些半导体元件12具有相对的主动面12a与非主动面12b，各该主动面12a上均具有多个电极垫120，且各该主动面12a粘着于该热化离型胶层11上。如图1B所示，形成一封装胶体13于该热化离型胶层11上，以包覆该半导体元件12，且使该半导体元件12的非主动面12b外露于该封装胶体13。如图1C所示，于该封装胶体13及该半导体元件12的非主动面12b上藉由一结合层170贴覆一支撑件17，再烘烤该封装胶体13以硬化该热化离型胶层11而移除该热化离型胶层11与该承载件10,使该半导体元件12的主动面12a外露。之后，固化(curing)该封装胶体13。如图1D所示,进行线路重布层(Redistribut1n layer, RDL)制程,其形成一线路重布结构14于该封装胶体13与该半导体元件12的主动面12a上，令该线路重布结构14电性连接该半导体元件12的电极垫120。接着，形成一绝缘保护层15于该线路重布结构14上，且该绝缘保护层15外露该线路重布结构14的部分表面，以供结合如焊球的导电元件16。如图1E所示，沿如图1D所示的切割路径S进行切单制程，以获取多个半导体封装件1(即封装单元)。现有半导体封装件I的制法为晶圆级(wafer form),而为降低生产成本,其以整版面形式(Panel form)制作。目前制作的整版面形式的尺寸，其长与宽分别为370mm X470mm,目标发展为600 mm X 700 mm。然而，现有半导体封装件I的制法中，目前现有切单机台最大仅能置放100mm X 240 mm，因而无法放置370 mm X 470 mm或更大尺寸，所以现阶段需先以人工方式切割成适合尺寸，再放入现有切单机中，导致难以提升产量。此外，若要直接将370 mm X 470 mm或更大尺寸的版面进行切单制程，需额外特制机台，导致产品制作成本提高。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺失，本专利技术提供一种，能省去机台开发的成本。本专利技术的半导体封装件，其为整版面结构，其包括:一承载件，其具有多个凹槽；多个承载体，其分别对应置放于各该凹槽中；多个电子元件，其设于该承载体上并凸出该承载件上，且单一该承载体上设有多个该电子元件；以及封装材，其形成于该承载件上，以包覆该些电子元件。前述的半导体封装件中，该电子元件具有相对的主动面与非主动面，且该电子元件的主动面结合于该承载体上。前述的半导体封装件中，还包括支撑件，其设于该封装材上。本专利技术还提供一种半导体封装件的制法，其包括:提供一具有多个凹槽的承载件及多个承载体，且各该承载体上设有多个电子元件；将各该承载体对应置放于各该凹槽中，使各该电子元件凸出于该承载件上；形成封装材于该承载件上，以令该封装材包覆该些电子元件，且于对应各该承载体上定义有多个由该封装材与多个该些电子元件构成的封装体；移除各该承载体与该承载件；以及依各该封装体进行分离制程。前述的制法中，该电子元件具有相对的主动面与非主动面，且该电子元件以其主动面结合于该承载体上。前述的制法中，各该凹槽的形状对应该承载体的形状。前述的制法中，还包括于移除各该承载体与该承载件前，设置支撑件于该封装材上。还包括于于进行分离制程后，移除该支撑件；还包括先移除该支撑件，再进行该分离制程。前述的制法中，还包括于移除各该承载体与该承载件后，形成一线路重布结构于各该封装材上，且该线路重布结构电性连接该电子元件。前述的制法中，还包括于进行该分离制程后，进行切单制程。由上可知，本专利技术的，藉由该承载体与凹槽的设计，以于整版面结构中分离出所需尺寸的封装区块，而于后续制程中，可进行切单、封装与组装等制程，所以藉此方法可依需求增加整版面的尺寸以提升产量，且能省去机台开发的成本。【附图说明】图1A至图1E为现有半导体封装件的制法的剖面示意图；以及图2A至图2G为本专利技术的半导体封装件的制法的剖面示意图；其中，图2F’及图2G’为图2F及图2G的下视图。符号说明I, 2 半导体封装件 10，20 承载件11热化离型胶层 12半导体元件12a, 22a主动面12b, 22b非主动面120, 220电极垫13封装胶体14，24 线路重布结构15绝缘保护层16，26 导电元件17，27 支撑件170, 270结合层2’封装区块2a封装单元200凹槽21承载体210粘着层22电子元件23封装材240介电层241 线路层25封装体A，W 面积L分割路径S，S’切割路径。【具体实施方式】以下藉由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用于限定本专利技术可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用于限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。图2A至图2G为本专利技术的半导体封装件的制法的剖面示意图。如图2A至图2B所示，提供一具有多个凹槽200的承载件20及多个承载体21，且各该承载体21上设有多个电子元件22。接着，将各该承载体21对应置放于各该凹槽200中，使各该电子元件22凸出于该承载件20上。于本实施例中，该承载件20为如晶圆、硅板的半导体基板或玻璃基板，且该承载件20的顶侧或底侧的面积X为610 mm X 720 mm,并于该单一承载体21上结合有多个该电子元件22，而该承载体21藉由其表面上的粘着层210以结合该些电子元件22。此外，该承载体21的顶侧或底侧的面积A为100 mm X 240 mm,且各该凹槽200的形状对应该承载体21的形状，所以该承载体21与该凹槽200可作为拼图式结构，也就是该承载体21的制作可为从一板体结构中切割分离出该承载件20与该承载体21。又,该电子元件22为主动元件、被动元件或其组合者,且该主动元件例如半导体晶片，而该被动元件例如电阻、电容及电感。例如，该电子元件22具有相对的主动面22a与非主动面22b，该电子元件22以其主动面22a (即具有电极垫220之侧)结合该粘着层210。[004当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，其为整版面结构，其包括：一承载件，其具有多个凹槽；多个承载体，其分别对应置放于各该凹槽中；多个电子元件，其设于该承载体上并凸出该承载件上，且单一该承载体上设有多个该电子元件；以及封装材，其形成于该承载件上，以包覆该些电子元件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林畯棠，詹慕萱，纪杰元，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71