一种磷硅玻璃钝化膜的优化方法技术

本发明专利技术提供一种磷硅玻璃钝化膜的优化方法，是采用磷硅玻璃钝化膜经过磷含量控制后，经过磷处理后，采用PECVD方法生长氮化硅膜，保护磷硅玻璃钝化膜防止潮解的一项工艺优化过程。解决了表面因钠（Na+）离子污染引起器件表面漏电流过大而的产生器件电压蠕动和漏电现象。本发明专利技术采用了对磷硅玻璃钝化膜中磷含量的控制、钝化膜磷处理和钝化膜保护等优化工艺，解决了磷硅玻璃钝化膜自身缺陷而引起的刻蚀侵蚀，表面潮解而引起的极化效应。通过工艺优化，达到了器件表面漏电的控制和钝化膜刻蚀和保存的难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件磷硅玻璃钝化膜保护领域，涉及钝化膜生长方法和钝化膜保护的方法。
技术介绍
半导体表面钝化工艺已经成为半导体工艺
中最重要技术。而生产中Na+是影响半导体表面状态和表面漏电流的重要因素，它将引起小电流下的电流放大和击穿电压下降，使电压产生漂移。而磷硅玻璃(PSG)膜具有提取、固定和阻挡Na+的作用，起到了对器件的钝化和保护作用。虽然磷硅玻璃具有一定的束缚钠离子能力和降低表面漏电流的作用，但是磷硅玻璃钝化膜极其不稳定，刻蚀时易侧侵和潮解。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种磷硅玻璃钝化膜的工艺优化方法，可以解决磷硅玻璃易潮解和侧侵蚀的难题。 本专利技术的技术方案如下: 一种具有束缚钠离子能力和降低表面漏电流的一种钝化膜，其钝化膜优化包括磷硅玻璃钝化膜(PSG)中磷含量的控制；一磷硅玻璃钝化膜防刻蚀钻蚀和侧侵；一磷硅玻璃钝化膜防潮解措施。 所述磷硅玻璃(PSG)钝化膜虽然有束缚钠离子的作用，但PSG钝化膜中含磷量的多少直接影响其钝化效果。含磷量太少，起不到束缚Na+的作用；而含磷量太高，光刻刻蚀时极易钻蚀.另外PSG膜因本身易吸潮，不能长久存放。因此为解决PSG的这些缺点，提出了。首先通过磷硅玻璃钝化膜(PSG)最佳生长温度和时间和源流量控制磷的含量；其次对磷硅玻璃钝化膜进行磷处理；再次对磷硅玻璃钝化膜进行PECVD氮化硅保护。【附图说明】图1为本专利技术工艺最佳实施工艺步骤的具体实施方案。 图2a、图2b、图2c、图2d为器件形成工艺步骤的纵向剖面图结构示意图及结构原理示意图。 其中图2中:1代表二氧化硅层；2代表磷硅玻璃层；3代表PECVD氮化硅层图3a、图3b为本专利技术采用不进行工艺优化和进行工艺优化后的刻蚀效对比示意图。 图4为经过磷硅玻璃钝化工艺优化前后的漏电流测试的柱形对比示意图。【主权项】1.，其特征是用磷硅玻璃钝化膜磷含量控制、磷硅玻璃钝化膜的磷处理和磷硅玻璃钝化膜表面保护。2.根据权利要求1所述的，其特征在于所述磷硅玻璃钝化膜厚度为5500 A?6500 A03.根据权利要求1的要求所述的，在N区扩散后，在温度定为860°C，生长时间定为1min源+20 HiinN2,源量流量控制140ml/min条件下进行磷硅玻璃钝化膜的生长。4.根据权利要求1的要求所述的，将磷硅玻璃钝化膜经盐酸与硝酸体积比为5的比例条件下进行磷处理后，在800°C温度下进行退火15min后缓慢拉出放在炉口冷却5min冷却。5.根据权利要求1的要求所述的一种磷娃玻璃钝化膜的优化方法，将的磷娃玻璃钝化膜退火后的硅片，采用PECVD工艺生长厚度为10000A±500A的氮化硅，保护磷硅玻璃钝化膜防止膜潮解。【专利摘要】本专利技术提供，是采用磷硅玻璃钝化膜经过磷含量控制后，经过磷处理后，采用PECVD方法生长氮化硅膜，保护磷硅玻璃钝化膜防止潮解的一项工艺优化过程。解决了表面因钠（Na+）离子污染引起器件表面漏电流过大而的产生器件电压蠕动和漏电现象。本专利技术采用了对磷硅玻璃钝化膜中磷含量的控制、钝化膜磷处理和钝化膜保护等优化工艺，解决了磷硅玻璃钝化膜自身缺陷而引起的刻蚀侵蚀，表面潮解而引起的极化效应。通过工艺优化，达到了器件表面漏电的控制和钝化膜刻蚀和保存的难题。【IPC分类】H01L23/29, H01L21/316【公开号】CN105226033【申请号】CN201410244676【专利技术人】不公告专利技术人 【申请人】哈尔滨工大华生电子有限公司【公开日】2016年1月6日【申请日】2014年6月5日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磷硅玻璃钝化膜的优化方法，其特征是用磷硅玻璃钝化膜磷含量控制、磷硅玻璃钝化膜的磷处理和磷硅玻璃钝化膜表面保护。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：哈尔滨工大华生电子有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23