晶片封装体制造技术

本发明专利技术提供一种晶片封装体，该晶片封装体包括：一下基底；一上基底，具有一上表面及一下表面，且设置于下基底上方；一凹口，邻近于上基底的一侧壁，其中凹口沿着自上基底的上表面朝下表面的一方向而形成；一元件区或感测区，位于上基底的上表面；一导电垫，位于上基底的上表面；以及一导电层电性连接导电垫，且沿着上基底的侧壁延伸至凹口。本发明专利技术可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程，且可显著缩减制程时间与成本。

【技术实现步骤摘要】
晶片封装体本申请是申请日为2011年5月11日、申请号为201110122210.4、专利技术名称为“晶片封装体及其形成方法”的申请的分案申请。
本专利技术有关于晶片封装体及其形成方法，且特别有关于感测晶片的晶片封装体。
技术介绍
传统晶片封装体的制程涉及多道图案化制程与材料沉积制程，不仅耗费生产成本，还需较长的制程时间，因此，业界亟需更为简化与快速的晶片封装技术。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装体，包括：一下基底；一上基底，具有一上表面及一下表面，且设置于下基底上方；一凹口，邻近于上基底的一侧壁，其中凹口沿着自上基底的上表面朝下表面的一方向而形成；一元件区或感测区，位于上基底的上表面。一导电垫位于上基底的上表面；以及一导电层，电性连接导电垫，且沿着上基底的侧壁延伸至凹口。本专利技术提供一种晶片封装体，包括：一承载基底；一半导体基底，具有一上表面及一下表面，且设置于承载基底上方；一元件区或感测区，位于半导体基底内；一导电垫，位于半导体基底的上表面；以及一导电层，电性连接导电垫，且自半导体基底的上表面延伸至半导体基底的一侧壁上，其中半导体基底的侧壁倾斜于半导体基底的上表面。本专利技术提供一种晶片封装体，包括：一晶片，该晶片包括一承载基底以及位于承载基底上的一半导体基底；一指纹辨识区以及一导电垫，位于晶片的一前表面；一凹口，形成于晶片的前表面；一导电层，电性连接导电垫，其中导电层沿着凹口的一侧壁而形成；以及一电路板具有一接垫，其中导电层通过一导电结构而与电路板上的接垫电性连接。本专利技术提供一种晶片封装体，包括：一承载基底；一半导体基底，具有一上表面及一下表面，且设置于该承载基底之上；一元件区或感测区，位于该半导体基底的该上表面；一导电垫，位于该半导体基底的该上表面；一导电层，电性连接该导电垫，且自该半导体基底的该上表面延伸至该半导体基底的一侧壁上；以及一绝缘层，位于该导电层与该半导体基底之间。本专利技术所述的晶片封装体，该半导体基底的该侧壁倾斜于该半导体基底的该上表面。本专利技术所述的晶片封装体，该元件区或感测区于该上表面直接露出。本专利技术所述的晶片封装体，该导电层延伸进入该承载基底中。本专利技术所述的晶片封装体，延伸进入该承载基底中的该导电层包括平行于该半导体基底的该上表面的部分。本专利技术所述的晶片封装体，该绝缘层延伸进入该承载基底中。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一电路板，其中该承载基底设置于该电路板之上，且该导电层通过一导电结构而与该电路板上的一接垫电性连接。本专利技术所述的晶片封装体，该导电结构包括一焊球或一焊线。本专利技术所述的晶片封装体，该导电结构为一焊球，且该焊球位于该承载基底与该电路板之间的一转角处。本专利技术所述的晶片封装体，该元件区或感测区包括一指纹辨识区。本专利技术提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一半导体基底，具有一上表面及一下表面，该半导体基底的该上表面处包括至少一元件区或感测区以及至少一导电垫；提供一承载基底，并将该半导体基底设置于该承载基底之上；自该半导体基底的该上表面形成一凹口；于该半导体基底的该上表面上与该凹口之中形成一绝缘层；于该绝缘层上形成一导电层，该导电层电性连接该导电垫，且自该半导体基底的该上表面延伸至该半导体基底的一侧壁上；以及自该凹口的一底部切断该承载基底以形成多个分离的晶片封装体。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该凹口延伸进入该承载基底之中。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该导电层延伸在该凹口的该底部上。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括在形成该凹口之前将该半导体基底薄化。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该半导体基底的薄化包括：在将该半导体基底设置于该承载基底之前，于该半导体基底的该上表面上设置一暂时性承载基底；以及以该暂时性承载基底为支撑，自该半导体基底的该下表面薄化该半导体基底。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括在形成该凹口之前，移除该暂时性承载基底。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括：提供一电路板，具有一接垫；将该承载基底设置于该电路板之上；以及形成一导电结构，该导电结构电性连接该接垫与该导电层。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该导电结构包括一焊球或一焊线。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该导电结构为一焊球，且该焊球位于该承载基底与该电路板之间的一转角处。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该元件区或感测区于该上表面直接露出。本专利技术可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程，且可显著缩减制程时间与成本。附图说明图1A至1D显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的一系列制程剖面图。图2显示本专利技术一实施例的晶片封装体的剖面图。附图中符号的简单说明如下：10：晶片封装体；100：半导体基底；100a、100b：表面；102：元件区或感测区；104：导电垫；106：暂时性承载基板；108、112：粘着层；110：承载基底；114：凹口；116：绝缘层；118：导电层；120：电路板；122：接垫；124：焊球；126：焊线。具体实施方式以下将详细说明本专利技术实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本专利技术提供许多可供应用的专利技术概念，其可以多种特定形式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本专利技术的特定方式，非用以限制本专利技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。本专利技术一实施例的晶片封装体可用以封装感测晶片。然其应用不限于此，例如在本专利技术的晶片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(activeorpassiveelements)、数字电路或模拟电路(digitaloranalogcircuits)等集成电路的电子元件(electroniccomponents)，例如是有关于光电元件(optoelectronicdevices)、微机电系统(MicroElectroMechanicalSystem；MEMS)、微流体系统(microfluidicsystems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理感测器(PhysicalSensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(waferscalepackage；WSP)制程对影像感测元件、发光二极管(light-emittingdiodes；LEDs)、太阳能电池(solarcells)、射频元件(RFcircuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(microactuators)、表面声波元件(surfaceacousticwavedevices)、压力感测器(processsensors)、喷墨头(inkprinterheads)、或功率模组(powerICmodules)等半导体晶片进行封装。其中，上述晶圆级封装制程主要是指，在晶圆阶段完成封装步骤后再予以切割成独立的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体晶片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称之为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于借堆叠(stack本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一下基底；一上基底，具有一上表面及一下表面，且设置于该下基底上方；一凹口，邻近于该上基底的一侧壁，其中该凹口沿着自该上基底的该上表面朝该下表面的一方向而形成；一元件区或感测区，位于该上基底的该上表面；一导电垫，位于该上基底的该上表面；以及一导电层，电性连接该导电垫，且沿着该上基底的该侧壁延伸至该凹口。

【技术特征摘要】
2010.05.11 US 61/333,4591.一种晶片封装体，其特征在于，包括：一下基底；一上基底，具有一上表面及一下表面，且设置于该下基底上方；一凹口，邻近于该上基底的一侧壁，其中该凹口沿着自该上基底的该上表面朝该下表面的一方向而形成；一元件区或感测区，位于该上基底的该上表面；一导电垫，位于该上基底的该上表面；以及一导电层，电性连接该导电垫，且自该上基底的该上表面沿着该上基底的该侧壁延伸至该凹口。2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该上基底的该侧壁倾斜于该上基底的该上表面。3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电垫位于该凹口与该元件区或感测区之间。4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电层还延伸至该凹口的一底部上。5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，该凹口的该底部位于该下基底的一表面上方且平行于该上基底的该上表面。6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一绝缘层，该绝缘层位于该导电层与该上基底之间及/或位于该导电层与该下基底之间。7.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一电路板，其中该导电层通过一导电结构而与该电路板上的一接垫电性连接。8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该导电结构包括一焊球或一焊线。9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该导电结构位于该电路板的该接垫与该上基底的该上表面之间。10.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该元件区或感测区的一表面位于该上基底的该上表面，且该导电结构的一部分位于该元件区或感测区的该表面上方。11.一种晶片封装体，其特征在于，包括：一承载基底；一半导体基底，具有一上表面及一下表面，且设置于该承载基底上方；一元件区或...

【专利技术属性】
技术研发人员：林超彦，林义航，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71