晶片封装体及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括半导体基板、导电垫、绝缘层与重布线层。半导体基板具有第一表面、背对第一表面的第二表面、贯穿第一表面与第二表面的通孔、及第一表面中的凹孔。导电垫位于半导体基板的第二表面上，且位于通孔中。绝缘层位于半导体基板的第二表面上，且围绕导电垫。重布线层位于半导体基板的第一表面上，且延伸至凹孔中与通孔中的导电垫上。晶片封装体的热可经由重布线层传出，可有效提升晶片封装体的热传导效率。此外，重布线层可作为导电垫的接地导线，提供导电垫接地的功能。提供导电垫接地的功能。提供导电垫接地的功能。

【技术实现步骤摘要】
晶片封装体及其制造方法


[0001]本专利技术有关一种晶片封装体及一种晶片封装体的制造方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路(IC)制造技术日益进步，晶片可具有多种功能，且计算能力也越来越快，但这些优点会导致晶片封装体产生较多的热。然而，若在晶片封装体外额外设置导热结构，将不利于微小化设计，且组装时间与人力成本也难以降低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一技术态样为一种晶片封装体。
[0004]根据本专利技术的一些实施方式，一种晶片封装体包括半导体基板、导电垫、绝缘层与重布线层。半导体基板具有第一表面、背对第一表面的第二表面、贯穿第一表面与第二表面的通孔、及第一表面中的凹孔。导电垫位于半导体基板的第二表面上，且位于通孔中。绝缘层位于半导体基板的第二表面上，且围绕导电垫。重布线层位于半导体基板的第一表面上，且延伸至凹孔中与通孔中的导电垫上。
[0005]在一些实施方式中，上述凹孔的深度小于通孔的深度。
[0006]在一些实施方式中，上述凹孔的深度小于半导体基板的厚度。
>[0007]在一些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：半导体基板，具有第一表面、背对该第一表面的第二表面、贯穿该第一表面与该第二表面的通孔、及该第一表面中的凹孔；导电垫，位于该半导体基板的该第二表面上，且位于该通孔中；绝缘层，位于该半导体基板的该第二表面上，且围绕该导电垫；以及重布线层，位于该半导体基板的该第一表面上，且延伸至该凹孔中与该通孔中的该导电垫上。2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该凹孔的深度小于该通孔的深度。3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该凹孔的深度小于该半导体基板的厚度。4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该凹孔的深度小于该半导体基板的该第一表面与该第二表面之间的距离。5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该凹孔的直径小于该通孔的直径。6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层在该凹孔处的顶面为凹状。7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：晶种层，位于该重布线层与该半导体基板的该第一表面之间。8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电垫包括彼此电性连接的多个金属层，该绝缘层包括多个介电层，且所述多个金属层的数量与所述多个介电层的数量相同。9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，所述多个金属层中的最下层未与所述多个介电层中的最下层重叠。10.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭靖婷，傅圣翔，陈心一，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：