晶片封装体及其制造方法技术

技术编号:46625193 阅读:2 留言:0更新日期:2025-10-14 21:21
本发明专利技术提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括透光片、半导体基板、绝缘层、重布线层、保护层、导电结构及模压材。半导体基板位于透光片上。绝缘层位于半导体基板背对透光片的表面上。重布线层位于绝缘层上。重布线层位于保护层中。导电结构位于保护层中的重布线层上。模压材位于保护层上,且围绕导电结构。模压材背对保护层的表面与导电结构背对重布线层的表面共平面。经由以上设计,模压材能提供导电结构支撑力并提升晶片封装体的整体强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种晶片封装体及一种晶片封装体的制造方法。


技术介绍

1、一般而言,用于影像感测的晶片封装体包括透光片与具有感测区的半导体基板。此外,晶片封装体还可包括重布线层、锡球及保护层(例如绿漆)。

2、然而,上述晶片封装体的保护层是先经图案化形成开口,接着才进行植球工艺。如此一来,锡球大部分的体积会在保护层外,使得保护层对锡球难以提供保护与支撑,不利于晶圆切割(dicing)后的步骤。此外,在制造晶片封装体期间,可能需执行研磨透光片的工艺,而保护层的材料强度与厚度不足,研磨透光片可能会导致层的剥离或断线,使良率难以提升。


技术实现思路

1、根据本专利技术的一些实施方式,一种晶片封装体包括透光片、半导体基板、绝缘层、重布线层、保护层、导电结构及模压材。半导体基板位于透光片上。绝缘层位于半导体基板背对透光片的表面上。重布线层位于绝缘层上。重布线层位于保护层中。导电结构位于保护层中的重布线层上。模压材位于保护层上,且围绕导电结构。模压材背对保护层的表面与导电结构背对重布线层的表面共平面。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶片封装体,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该保护层的材料与该模压材的材料不同。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该透光片的侧壁具有凹部,该保护层覆盖该半导体基板的侧壁且延伸至该透光片的该凹部。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该模压材覆盖该半导体基板的侧壁与该透光片的侧壁。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体,其特征在于,该透光片的该侧壁具有凹部,该模压材覆盖该凹部。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该保护层在该绝缘层上的厚度与该模压材...

【技术特征摘要】

1.一种晶片封装体,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该保护层的材料与该模压材的材料不同。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该透光片的侧壁具有凹部,该保护层覆盖该半导体基板的侧壁且延伸至该透光片的该凹部。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该模压材覆盖该半导体基板的侧壁与该透光片的侧壁。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体,其特征在于,该透光片的该侧壁具有凹部,该模压材覆盖该凹部。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该保护层在该绝缘层上的厚度与该模压材在该保护层上的厚度的比例在1:3至1:50的范围中。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该半导体基板具有穿孔与位于该穿孔中的焊垫,该重布线层延伸至该穿孔中的该焊垫上。

8.根据权利要求7所述的晶片封装体,其特征在于,该保护层的一部分延伸至该穿孔中的该重布线层而定义出交接处,该半导体基板的厚度与该半导体基板的该表面与该交接处之间的距离的比例在3:1至20:1的范围中。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,还包括:

10.根据权利要求9所述的晶片封装体,其特征在于,该接合层的侧壁接触该保护层。

11.根据权利要求9所述的晶片封装体,其特征在于,该接合层的侧壁接触该模压材。

12.一种晶片封装体...

【专利技术属性】
技术研发人员:简玮铭李柏汉刘沧宇
申请(专利权)人:精材科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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