【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的示例实施例涉及一种半导体器件。更具体地，本专利技术构思的示例实施例涉及三维（3d）存储器件。
技术介绍
1、dram器件可以包括字线、位线、沟道和电容器。为了增加dram器件的集成度，更有效地布置字线、位线、沟道和/或电容器可能是有利的。
技术实现思路
1、本专利技术构思的示例实施例提供了一种具有改进的和/或增强的电特性的半导体器件。
2、根据本专利技术构思的一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；第一沟道，所述第一沟道位于所述衬底的第一区域上；第一栅极结构，所述第一栅极结构围绕所述第一沟道的一部分；位线，所述位线位于所述第一沟道的第一侧，所述位线电连接到所述第一沟道；电容器，所述电容器位于所述第一沟道的第二侧，所述电容器电连接到所述第一沟道；第二沟道，所述第二沟道位于所述衬底的所述第二区域上；第二栅极结构，所述第二栅极结构围绕所述第二沟道的一部分；第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于所述第二沟道的第一侧，所述第一...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线中的材料与所述第一源极/漏极图案中的材料和所述第二源极/漏极图案中的材料相同。
3. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述位线、所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案包括掺杂有n型杂质的多晶硅。
4. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述位线接触所述第一栅极绝缘图案和所述第一栅极掩模。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线中的材料与所述第一源极/漏极图案中的材料和所述第二源极/漏极图案中的材料相同。
3. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述位线、所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案包括掺杂有n型杂质的多晶硅。
4. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述位线接触所述第一栅极绝缘图案和所述第一栅极掩模。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二栅极结构包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极图案接触所述第二栅极绝缘图案和所述第二栅极掩模。
9. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构的距所述衬底的上...
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